高功率LED的封裝基板發(fā)展趨勢(shì)
長(zhǎng)久以來(lái)顯示應(yīng)用一直是led發(fā)光元件主要訴求,并不要求LED高散熱性,因此LED大多直接封裝于一般樹(shù)脂系基板,然而2000年以后隨著LED高輝度化與高效率化發(fā)展,尤其是藍(lán)光LED元件的發(fā)光效率獲得大幅改善,液晶、家電、汽車(chē)等業(yè)者也開(kāi)始積極檢討LED的適用性。
現(xiàn)今數(shù)碼家電與平面顯示器急速普及化,加上LED單體成本持續(xù)下降,使得LED應(yīng)用范圍,以及有意愿采用LED的產(chǎn)業(yè)范圍不斷擴(kuò)大,其中又以液晶面板廠商面臨歐盟頒布的危害性物質(zhì)限制指導(dǎo)(RoHS: Restriction of Hazardous Substances Directive)規(guī)范,而陸續(xù)提出未來(lái)必須將水銀系冷陰極燈管(CCFL: Cold Cathode Fluorescent Lamp)全面無(wú)水銀化的發(fā)展方針,其結(jié)果造成高功率LED的需求更加急迫。
技術(shù)上高功率LED封裝后的商品,使用時(shí)散熱對(duì)策實(shí)為非常棘手,而此背景下具備高成本效率,且類(lèi)似金屬系基板等高散熱封裝基板的產(chǎn)品發(fā)展動(dòng)向,成為L(zhǎng)ED高效率化之后另1個(gè)備受?chē)谀康慕裹c(diǎn)。
環(huán)氧樹(shù)脂已不符合高功率需求
以往LED的輸出功率較小,可以使用傳統(tǒng)FR4等玻璃環(huán)氧樹(shù)脂封裝基板,然而照明用高功率LED的發(fā)光效率只有20%~30%,且芯片面積非常小,雖然整體消費(fèi)電力非常低,不過(guò)單位面積的發(fā)熱量卻很大。
汽車(chē)、照明與一般民生業(yè)者已經(jīng)開(kāi)始積極檢討LED的適用性,業(yè)者對(duì)高功率LED期待的特性分別是省電、高輝度、長(zhǎng)使用壽命、高色彩再現(xiàn)性,這意味著散熱性佳是高功率LED封裝基板不可欠缺的條件。
樹(shù)脂基板的散熱極限多半只支持0.5W以下的LED,超過(guò)0.5W以上的LED封裝大多改用金屬系與陶瓷系高散熱基板,主要原因是基板的散熱性對(duì)LED的壽命與性能有直接影響,因此封裝基板成為設(shè)計(jì)高輝度LED商品應(yīng)用時(shí)非常重要的元件。
金屬系高散熱基板又分成硬質(zhì)(rigid)與可撓曲(flexible)系基板兩種,硬質(zhì)系基板屬于傳統(tǒng)金屬基板,金屬基材的厚度通常大于1mm,廣泛應(yīng)用在LED燈具模塊與照明模塊,技術(shù)上它與鋁質(zhì)基板相同等級(jí)高熱傳導(dǎo)化的延伸,未來(lái)可望應(yīng)用在高功率LED封裝。
可撓曲系基板的出現(xiàn)是為了滿(mǎn)足汽車(chē)導(dǎo)航儀等中型LCD背光模塊薄形化,以及高功率LED三次元封裝要求的前提下,透過(guò)鋁質(zhì)基板薄板化賦予封裝基板可撓曲特性,進(jìn)而形成兼具高熱傳導(dǎo)性與可撓曲性的高功率LED封裝基板。
高效率化 金屬基板備受關(guān)注
硬質(zhì)金屬系封裝基板是利用傳統(tǒng)樹(shù)脂基板或是陶瓷基板,賦予高熱傳導(dǎo)性、加工性、電磁波遮蔽性、耐熱沖擊性等金屬特性,構(gòu)成新世代高功率LED封裝基板。
高功率LED封裝基板是利用環(huán)氧樹(shù)脂系接著劑將銅箔黏貼在金屬基材的表面,透過(guò)金屬基材與絕緣層材質(zhì)的組合變化,制成各種用途的LED封裝基板。
高散熱性是高功率LED封裝用基板不可或缺的基本特性,因此上述金屬系LED封裝基板使用鋁與銅等材料,絕緣層大多使用高熱傳導(dǎo)性無(wú)機(jī)填充物(Filler)的環(huán)氧樹(shù)脂。鋁質(zhì)基板是應(yīng)用鋁的高熱傳導(dǎo)性與輕量化特性制成高密度封裝基板,目前已經(jīng)應(yīng)用在冷氣空調(diào)的轉(zhuǎn)換器(Inverter)、通訊設(shè)備的電源基板等領(lǐng)域,也同樣適用于高功率LED封裝。
一般而言,金屬封裝基板的等價(jià)熱傳導(dǎo)率標(biāo)準(zhǔn)大約是2W/mK,為滿(mǎn)足客戶(hù)4~6W/mK高功率化的需要,業(yè)者已經(jīng)推出等價(jià)且熱傳導(dǎo)率超過(guò)8W/mK的金屬系封裝基板。由于硬質(zhì)金屬系封裝基板主要目的是支持高功率LED封裝,因此各封裝基板廠商正積極開(kāi)發(fā)可以提高熱傳導(dǎo)率的技術(shù)。
硬質(zhì)金屬系封裝基板的主要特征是高散熱性。高熱傳導(dǎo)性絕緣層封裝基板,可以大幅降低LED芯片的溫度。此外基板的散熱設(shè)計(jì),透過(guò)散熱膜片與封裝基板組合,還望延長(zhǎng)LED芯片的使用壽命。
金屬系封裝基板的缺點(diǎn)是基材的金屬熱膨脹系數(shù)非常大,與低熱膨脹系數(shù)陶瓷系芯片元件焊接時(shí)情形相似,容易受到熱循環(huán)沖擊,如果高功率LED封裝使用氮化鋁時(shí),金屬系封裝基板可能會(huì)發(fā)生不協(xié)調(diào)的問(wèn)題,因此必須設(shè)法吸收LED模塊各材料熱膨脹系數(shù)差異造成的熱應(yīng)力,藉此緩和熱應(yīng)力進(jìn)而提高封裝基板的可靠性。
封裝基板業(yè)者積極開(kāi)發(fā)可撓曲基板
可撓曲基板的主要用途大多集中在布線用基板,以往高功率晶體管與IC等高發(fā)熱元件幾乎不使用可撓曲基板,最近幾年液晶顯示器為滿(mǎn)足高輝度化需求,強(qiáng)烈要求可撓曲基板可以高密度設(shè)置高功率LED,然而LED的發(fā)熱造成LED使用壽命降低,卻成為非常棘手的技術(shù)課題,雖然利用鋁板質(zhì)補(bǔ)強(qiáng)板可以提高散熱性,不過(guò)卻有成本與組裝性的限制,無(wú)法根本解決問(wèn)題。
高熱傳導(dǎo)撓曲基板在絕緣層黏貼金屬箔,雖然基本結(jié)構(gòu)則與傳統(tǒng)撓曲基板完全相同,不過(guò)絕緣層采用軟質(zhì)環(huán)氧樹(shù)脂充填高熱傳導(dǎo)性無(wú)機(jī)填充物的材料,具有與硬質(zhì)金屬系封裝基板同等級(jí)8W/mK的熱傳導(dǎo)性,同時(shí)兼具柔軟可撓曲、高熱傳導(dǎo)特性與高可靠性。此外可撓曲基板還可以依照客戶(hù)需求,將單面單層面板設(shè)計(jì)成單面雙層、雙面雙層結(jié)構(gòu)。
高熱傳導(dǎo)撓曲基板的主要特征是可以設(shè)置高發(fā)熱元件,并作三次元組裝,亦即可以發(fā)揮自由彎曲特性,進(jìn)而獲得高組裝空間利用率。
根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示使用高熱傳導(dǎo)撓曲基板時(shí),LED的溫度約降低100C,此意味溫度造成LED使用壽命的降低可望獲得改善。事實(shí)上除了高功率LED之外,高熱傳導(dǎo)撓曲基板還可以設(shè)置其它高功率半導(dǎo)體元件,適用于局促空間或是高密度封裝等要求高散熱等領(lǐng)域。
有關(guān)類(lèi)似照明用LED模塊的散熱特性,單靠封裝基板往往無(wú)法滿(mǎn)足實(shí)際需求,因此基板周邊材料的配合變得非常重要,例如配合3W/mK的熱傳導(dǎo)性膜片,可以有效提高LED模塊的散熱性與組裝作業(yè)性。
陶瓷封裝基板對(duì)熱歪斜非常有利
如上所述白光LED的發(fā)熱隨著投入電力強(qiáng)度的增加持續(xù)上升,LED芯片的溫升會(huì)造成光輸出降低,因此LED封裝結(jié)構(gòu)與使用材料的檢討非常重要。以往LED使用低熱傳導(dǎo)率樹(shù)脂封裝,被視為影響散熱特性的原因之一,因此最近幾年逐漸改用高熱傳導(dǎo)陶瓷,或是設(shè)有金屬板的樹(shù)脂封裝結(jié)構(gòu)。LED芯片高功率化常用方式分別包括了:LED芯片大型化、改善LED芯片發(fā)光效率、采用高取光效率封裝,以及大電流化等等。
雖然提高電流發(fā)光量會(huì)呈比例增加,不過(guò)LED芯片的發(fā)熱量也會(huì)隨著上升。因?yàn)樵诟咻斎腩I(lǐng)域放射照度呈現(xiàn)飽和與衰減現(xiàn)象,這種現(xiàn)象主要是LED芯片發(fā)熱所造成,因此LED芯片高功率化時(shí),首先必須解決散熱問(wèn)題。
LED的封裝除了保護(hù)內(nèi)部LED芯片之外,還兼具LED芯片與外部作電氣連接、散熱等功能。LED封裝要求LED芯片產(chǎn)生的光線可以高效率取至外部,因此封裝必須具備高強(qiáng)度、高絕緣性、高熱傳導(dǎo)性與高反射性,令人感到意外的是陶瓷幾乎網(wǎng)羅上述所有特性,此外陶瓷耐熱性與耐光線劣化性也比樹(shù)脂優(yōu)秀。
傳統(tǒng)高散熱封裝是將LED芯片設(shè)置在基板上
屬基板上周?chē)侔矘?shù)脂,然而這種封裝方式的金屬熱膨脹系數(shù)與LED芯片差異相當(dāng)大,當(dāng)溫度變化非常大或是封裝作業(yè)不當(dāng)時(shí)極易產(chǎn)生熱歪斜,進(jìn)而引發(fā)芯片瑕疵或是發(fā)光效率降低。
未來(lái)LED芯片面臨大型化發(fā)展時(shí),熱歪斜問(wèn)題勢(shì)必變成無(wú)法忽視的困擾,針對(duì)上述問(wèn)題,具備接近LED芯片
評(píng)論