高功率文章進(jìn)入高功率技術(shù)社區(qū)

運(yùn)用返馳轉(zhuǎn)換器的高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)

多相返馳轉(zhuǎn)換器不僅推升了最大可能功率的極限，而且具有容易設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)，其所產(chǎn)生的傳導(dǎo)干擾也相對(duì)更低。返馳轉(zhuǎn)換器是產(chǎn)生受調(diào)節(jié)電氣隔離電壓的良好途徑。此種電壓轉(zhuǎn)換技術(shù)的應(yīng)用層面相當(dāng)廣泛，原因是其電路簡(jiǎn)單且技術(shù)也發(fā)展得相當(dāng)成熟。圖一顯示返馳轉(zhuǎn)換器的示意簡(jiǎn)圖。圖一 : 不使用光耦合器（no-opto）的返馳轉(zhuǎn)換器然而，返馳式技術(shù)在使用上存在許多限制，而其最大傳輸功率也有其極限，主要是因?yàn)樵趫D一所示的Q1開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通期間，電流會(huì)經(jīng)過(guò)變壓器的一次側(cè)。在此期間，能量會(huì)儲(chǔ)存在變壓器的磁芯T1。在Q1的關(guān)斷期
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imec展示56Gb波束成形發(fā)射機(jī) 實(shí)現(xiàn)高功率零中頻的D頻段傳輸

于本周舉行的國(guó)際電機(jī)電子工程師學(xué)會(huì)（IEEE）射頻集成電路國(guó)際會(huì)議（RFIC Symposium）上，比利時(shí)微電子研究中心（imec）發(fā)表了一款基于CMOS技術(shù)的先進(jìn)波束成形發(fā)射機(jī)，用來(lái)滿(mǎn)足D頻段的無(wú)線傳輸應(yīng)用。該發(fā)射器具備優(yōu)異的輸出功率及能源效率，同時(shí)支持每通道56Gb/s的超高數(shù)據(jù)傳輸率。該組件也是比利時(shí)微電子研究中心（imec）研究人員目前正在開(kāi)發(fā)的四路波束成形收發(fā)機(jī)芯片之核心構(gòu)件。運(yùn)用這項(xiàng)技術(shù)，他們希望可以協(xié)助部署新一代100GHz以上的高頻短距無(wú)線傳輸服務(wù)。 imec先進(jìn)CMOS波束成
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低導(dǎo)通電阻SiC器件在大電流高功率應(yīng)用中的優(yōu)越性

眾所周知，SiC作為一種性能優(yōu)異的第三代半導(dǎo)體材料，因其高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、寬禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度等特性可以輔助電子器件更好地在高溫、高壓、高頻應(yīng)用中使用，可有效突破傳統(tǒng)Si基半導(dǎo)體材料的物理極限。目前使用最廣泛的SiC開(kāi)關(guān)器件是SiC MOSFET，與傳統(tǒng)Si IGBT相比，SiC材料的優(yōu)異性能配合MOSFET單極開(kāi)關(guān)的特點(diǎn)可以在大功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高頻、高效、高能量密度、低成本的目標(biāo)，從而推動(dòng)電力電子系統(tǒng)的發(fā)展。圖1: 碳化硅器件應(yīng)用范圍示意圖1圖2: 典型應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)應(yīng)的功率等級(jí)2從技術(shù)上講，
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48V高功率電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)

根據(jù)歐盟對(duì)汽車(chē)CO2排放限值的要求,至2025年,這一排放指標(biāo)須比2021年降低15.0%;至2030年,這一排放指標(biāo)須比2021年降低37.5%?目前,研究人員需要進(jìn)一步降低新款車(chē)型的CO2排放,為此應(yīng)大力推廣電氣化動(dòng)力總成系統(tǒng)?除了純電動(dòng)汽車(chē)和插電式混合動(dòng)力汽車(chē)(PHEV)之外,全混合動(dòng)力汽車(chē)(FHEV)也屬于該類(lèi)車(chē)型?FHEV雖然無(wú)須進(jìn)行外部充電,但是仍能以純電動(dòng)狀態(tài)行駛,特別是在市區(qū)范圍內(nèi)?研究人員如果對(duì)德國(guó)混合動(dòng)力汽車(chē)市場(chǎng)可公開(kāi)得到的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析,那么就能獲得如下信息:輕度混合動(dòng)力汽車(chē)(MHEV
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艾睿電子在英國(guó)設(shè)立高功率卓越中心,加速電氣化和可持續(xù)性發(fā)展

全球技術(shù)解決方案供應(yīng)商艾睿電子公司及其旗下工程服務(wù)公司eInfochips日前宣布，將在英國(guó)斯溫頓設(shè)立高功率卓越中心（Centre of Excellence）。該中心旨在協(xié)助客戶(hù)開(kāi)發(fā)高功率解決方案，深化在電氣化和可持續(xù)發(fā)展應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展。高功率設(shè)計(jì)在實(shí)現(xiàn)能源效率方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用，對(duì)于電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源、電池儲(chǔ)能、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施和其他各種凈零排放項(xiàng)目至關(guān)重要。然而，高功率電子設(shè)計(jì)極具復(fù)雜性，包括極高的電力專(zhuān)業(yè)知識(shí)要求、嚴(yán)格的功能安全性和可靠性要求、繁雜的印刷電路板布局以及昂貴的測(cè)試設(shè)備等，都給創(chuàng)新者帶來(lái)
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ERS electronic公司推出高功率溫度卡盤(pán)系統(tǒng)

半導(dǎo)體制造業(yè)提供溫度管理解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者——ERS electronic，現(xiàn)推出全新高功率溫度卡盤(pán)系統(tǒng)。該技術(shù)針對(duì)高端CPU、GPU和高并行性DRAM器件應(yīng)用的晶圓測(cè)試，可在-60°C至+200°C溫度范圍內(nèi)對(duì)Device Under Test (DUT)進(jìn)行精確且強(qiáng)大的溫度控制。 High Power Dissipation” is the newest thermal chuck system from ERS electronic, suited for wafer test of
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Nexperia雙通道500 mA RET可在空間受限的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高功率負(fù)載開(kāi)關(guān)

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布新推出全新的500 mA雙通道內(nèi)置電阻晶體管(RET)系列產(chǎn)品，均采用超緊湊型DFN2020(D)-6封裝。新系列器件適用于可穿戴設(shè)備和智能手機(jī)中的負(fù)載開(kāi)關(guān)，也可用于功率要求更高的數(shù)字電路。例如空間受限的計(jì)算、通信、工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用。值得注意的是，DFN封裝的RET采用雙重空間節(jié)省方案，可加倍提高空間利用率。首先，通過(guò)將雙極性晶體管(BJT)和電阻巧妙地集成到單一封裝中，可節(jié)省大量電路板空間。此外，無(wú)引腳DFN封裝本身的空間效益較高。這種集成和封裝有
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具有OVC III的高功率密度轉(zhuǎn)換器:儒卓力提供RECOM的20 W AC/DC RAC20E-K/277產(chǎn)品

儒卓力(Rutronik Elektronische Bauelemente GmbH)推出RECOM公司E-K 系列中具有高功率密度的 20 W AC/DC 轉(zhuǎn)換器RAC20E-K/277，它的特點(diǎn)是具有OVC III 額定值，可在海拔2000 米運(yùn)行 (OVC II則為5000 米)，并且具有-40 °C至+90 °C的寬工作溫度范圍 (帶有降額)，因此該器件特別適用于嚴(yán)苛的環(huán)境條件，例如路邊電動(dòng)汽車(chē)充電樁、工業(yè)環(huán)境以及測(cè)試和測(cè)量應(yīng)用中的電源。此外，其高功率密度也適合一般家居應(yīng)用和標(biāo)稱(chēng)電壓為 277
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e絡(luò)盟現(xiàn)貨開(kāi)售Power Integrations系列高功率產(chǎn)品

安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷(xiāo)商e絡(luò)盟近日引入Power Integrations系列高功率柵極驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步擴(kuò)大其功率產(chǎn)品陣容，均可快速交付。Power Integrations高功率產(chǎn)品系列包括：●? ?SCALE?-2：即插即用●? ?ISO5125I：DC-DC電源●? ?SCALE-2：Driver Core驅(qū)動(dòng)核●? ?SCALE-2+：Driver Core 驅(qū)動(dòng)核●? ?SCAL
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Qorvo QPA3069 S波段功率放大器在貿(mào)澤開(kāi)售,助力國(guó)防和航空航天行業(yè)

專(zhuān)注于引入新品并提供海量庫(kù)存的電子元器件分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 近日將開(kāi)始備貨Qorvo的QPA3069功率放大器。100 W QPA3069專(zhuān)為國(guó)防和航空航天應(yīng)用而設(shè)計(jì)，能為2.7 – 3.5 GHz射頻 (RF) 設(shè)計(jì)提供高功率密度和附加功率效率。這款S波段的高功率放大器采用Qorvo的0.25 μm 碳化硅基氮化鎵 (GaN-on-SiC) ?工藝制成，可簡(jiǎn)化系統(tǒng)集成度，提供優(yōu)異的性能，且尺寸小巧，僅7.0 × 7.0 × 0.85 mm 。貿(mào)澤備貨的Qo
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采用小巧，堅(jiān)固封裝的高功率步進(jìn)柵極驅(qū)動(dòng)器IC

TMC2590是Trinamic最新的2相步進(jìn)電機(jī)柵極驅(qū)動(dòng)器。低功耗的EMI優(yōu)化芯片具有保護(hù)和診斷功能，使得為極具競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案提供小型化設(shè)計(jì)成為可能。漢堡，2019年9月2日 - TRINAMIC Motion Control GmbH＆Co. KG 宣布推出TMC2590，這是一款兩相步進(jìn)電機(jī)柵極驅(qū)動(dòng)器，具有堅(jiān)固的設(shè)計(jì)和高功率密度。適用于從5V ... 60V DC工作電壓的各種步進(jìn)電機(jī)。它是一款經(jīng)濟(jì)型解決方案，可廣泛應(yīng)用于紡織，工廠和實(shí)驗(yàn)室自動(dòng)化，3D打印，液體處理，醫(yī)療，安全，泵和閥門(mén)以及PO
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在緊湊的 PCB 面積內(nèi)提供高功率以及完整的數(shù)字控制和遙測(cè)功能

對(duì)于任何人來(lái)說(shuō)，數(shù)字電源系統(tǒng)管理 (DPSM) 在通信和計(jì)算機(jī)行業(yè)內(nèi)的持續(xù)采用，在很大程度上繼續(xù)由位于其系統(tǒng)架構(gòu)核心的 20nm 以下 ASIC 和 / 或 FPGA 所
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驅(qū)動(dòng)高功率以太網(wǎng)絡(luò)的供電技術(shù)

目前有許多已開(kāi)發(fā)的實(shí)用PoE 應(yīng)用，然而，新推出的應(yīng)用所需要的功率高于現(xiàn)今 802.3af 標(biāo)準(zhǔn)所定義的功率限制，也就是為用電裝置端提供約 13 W 的功率?，F(xiàn)今需要新的 PoE+ 標(biāo)準(zhǔn)以滿(mǎn)足增加功率的需求，但這項(xiàng)新標(biāo)準(zhǔn)仍未定義完成。在新標(biāo)準(zhǔn)出爐前，勢(shì)必要能夠針對(duì)所需功率高于現(xiàn)今可提供功率的 PD 負(fù)載進(jìn)行供電。
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采用LJ6585D的高功率因數(shù)熒光燈電子鎮(zhèn)流器電路

采用LJ6585D的高功率因數(shù)熒光燈電子鎮(zhèn)流器電路由L6585D組成的高功率因數(shù)熒光燈電子鎮(zhèn)流器電路如圖3所示。
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高功率半導(dǎo)體的未來(lái) 前方道路通往何處？

　　電力電子系統(tǒng)技術(shù)之所以快速發(fā)展，功率模組乃是公認(rèn)的主要推動(dòng)力，尤其在節(jié)約能源、功率控制動(dòng)態(tài)范圍、減少雜訊、減輕重量和縮減體積方面，表現(xiàn)更是出色。功率半導(dǎo)體主要用來(lái)控制發(fā)電與耗電之間的能量流，其過(guò)程需要的是無(wú)比的精確與極低損耗。　　為了因應(yīng)工業(yè)應(yīng)用，持續(xù)推動(dòng)電力電子技術(shù)精益求精的力量有5個(gè)面向：能源效率、作業(yè)溫度、微型化、可靠程度與成本精簡(jiǎn)，而這5個(gè)面向在某種程度下會(huì)相互影響。這些趨勢(shì)在過(guò)去30年來(lái)不斷地驅(qū)策著功率半導(dǎo)體的發(fā)展，未來(lái)也勢(shì)必扮演重要的推手。　　　　圖1：過(guò)去
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