大功率LED晶片封裝方式

一.加大尺寸法：通過增大單顆LED的有效發(fā)光面積，和增大尺寸后促使流經(jīng)TCL層的電流均勻分布而特殊設(shè)電路電極結(jié)構(gòu)
（一般為梳狀電極）之改變以求達(dá)到預(yù)期光通量，但簡(jiǎn)單的增大發(fā)光面積無法解決根本的散熱和出光問題。

二.硅底板倒裝法：1.在外延片頂部的P型GaNiMg沉積厚度大于500埃的NiAu層，用于歐姆接觸和背反射，2.采用掩模選擇刻燭掉P型層和多量子阱有源層露出的N型層3.沉積刻燭形成N型歐姆接觸層，芯片尺寸1X1mm，P型歐姆接觸為正方形，N歐姆接觸以梳狀插入其中，這樣縮短襯底電阻減小。4.將金屬化的凸點(diǎn)的AlGaInN芯片倒裝焊接在具有ESD的硅載體

三.陶瓷底板倒裝法：既是制備出適合共晶焊接電極結(jié)構(gòu)的大出光面積和相應(yīng)的陶瓷底板

四.藍(lán)寶石襯底過渡法：既是按照傳統(tǒng)的ZnGaN芯片制造方法在藍(lán)寶石襯底生長(zhǎng)出PN結(jié)后藍(lán)寶石襯底切除再連接傳統(tǒng)四元材料，制造出上下電極結(jié)構(gòu)的大尺寸藍(lán)光LED芯片

成型后的大功率藍(lán)色芯片封裝基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)一般是連接芯片端采用銅基式銀基熱沉積再將該熱沉連接在鋁基散熱器上采用階梯型導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)，利用銅基式銀基熱沉的高導(dǎo)熱率將芯片產(chǎn)生熱量高效傳遞到鋁基散熱器，再鋁基散熱器散出，一般用于銀膠，但銀膠的熱阻高，且TG點(diǎn)低，所以現(xiàn)在用錫 。