LED芯片的技術發(fā)展狀況
隨著外延生長技術和多量子阱結構的發(fā)展,超高亮度發(fā)光二極管的內量子效率己有了非常大的改善,如波長625 nm AlGaInP基超高亮度發(fā)光二極管的內量子效率可達到100%,已接近極限。AlGaInN基材料內存在的晶格和熱失配所致的缺陷、應力和電場等使得AlGaInN基超高亮度發(fā)光二極管的內量子效率比較低,但也在35~50%之間,半導體材料本身的光電轉換效率己遠高過其它發(fā)光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高發(fā)光效率的關鍵。
評論