技術(shù)進(jìn)步促使LED封裝技術(shù)改變之分析

作者：時(shí)間：2011-05-31 來源：網(wǎng)絡(luò)

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一、LED芯片效率的提升與led應(yīng)用技術(shù)的擴(kuò)展必將會(huì)改變現(xiàn)有的LED封裝技術(shù)

LED LAMP現(xiàn)有的封裝形式為:DIP、SMD、TOP、SUPERFLUX、HIGHT POWER

目前各種封裝形式的不足（熱阻高、出光利用率低、最終應(yīng)用結(jié)構(gòu)匹配難）

未來芯片技術(shù)將會(huì)以提高效率降低成本、瑩光粉技術(shù)以提高效率穩(wěn)定性與演色指數(shù)為進(jìn)步方向

LED芯片效率的提升將以階段性成長為主,從10lm/w~80lm/w、80lm/w~100lm /w、100lm/w~150lm/w、150lm/w~200lm/w…… 當(dāng)技術(shù)進(jìn)步到200lm/w時(shí)對(duì)比現(xiàn)有的芯片效率提升了4.5倍,芯片的發(fā)熱量將大幅度減少(指同體積同面積比較)

二、封裝形式的演變之路

我國發(fā)展半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的藍(lán)圖(2005)

三、芯片效率的提升將使芯片的面積不斷減小

四、LED封裝技術(shù)將會(huì)發(fā)生的改變1

·由高光效技術(shù)的發(fā)展路線可以預(yù)見,現(xiàn)有的封裝工藝與封裝材料并不能適用于未來的封裝要求.

·由于芯片內(nèi)量子效率的提升所以產(chǎn)生的熱量會(huì)減少，芯片有源層的有效電流密度會(huì)大幅度上升。

·芯片整體發(fā)熱量減少了,所以對(duì)于封裝形式的散熱面積要求也會(huì)減少, 目前采用的厚重散熱的封裝結(jié)構(gòu)將會(huì)發(fā)生大的變化.

·LED芯片效率提高使芯片面積大幅度減小，從而改變封裝的方式，使單一器件的光輸出大大增加

五、LED封裝技術(shù)將會(huì)發(fā)生的改變2

·單顆LED的效率大幅度提升使得發(fā)熱大幅度減少。出于制造成本與良率考慮，單顆高功率LED芯片面積也會(huì)大幅度減?。?4mil=60LM）。

·發(fā)熱變少與應(yīng)用上對(duì)單一LED光源的高光通量需求使集成化封裝成為主流。

·集成化封裝LED器件的熱聚集效應(yīng)使LED器件的整體導(dǎo)熱效率變得極為重要。

·能夠大幅度減低熱阻的共晶焊接技術(shù)將成為LED芯片封裝技術(shù)的主流（高導(dǎo)熱銀膠技術(shù)由于熱阻大于共晶焊技術(shù)，本身Tg點(diǎn)溫度過低無法使用回流焊方式進(jìn)行應(yīng)用生產(chǎn)所以無法成為封裝技術(shù)的主流）

·減低成本的需要使非金絲焊接技術(shù)將大規(guī)模應(yīng)用（鋁絲焊接、銅絲焊接、直接復(fù)合等技術(shù)將大量應(yīng)用）

·仿PC硬度的硅膠成型技術(shù)、非球面的二次光學(xué)透鏡技術(shù)等出光技術(shù)都將成為LED封裝技術(shù)的基礎(chǔ)

·定向定量點(diǎn)膠工藝、圖形化涂膠工藝、二次靜電噴瑩光粉工藝、膜層壓法三基色熒光粉涂布工藝、芯片沉積加壓法等白光工藝都將應(yīng)用在LED封裝工藝中，將會(huì)改善LED器件的出光效率與光色分布。

六、LED器件效率與封裝工藝的提升將使LED應(yīng)用成本大幅度下降

　　依照目前以實(shí)現(xiàn)的LED技術(shù)發(fā)展可以預(yù)計(jì)未來三到五年，每100lm的LED價(jià)格將會(huì)下降到RMB2元。（即：現(xiàn)在的高品質(zhì)2000Lm E27節(jié)能燈價(jià)格約為RMB27~47元，則同樣為2000Lm的LED節(jié)能燈的LED器件成本將為20元RMB，用LED制造的節(jié)能燈將直接威脅傳統(tǒng)熒光管節(jié)能燈的市場，初次購買LED節(jié)能燈的成本將為大多數(shù)人所能接受。