小型熒光燈用400V功率MOSFETSTS1DNC40/STQ1NC40
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1 主要特點(diǎn)
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/225746.htm隨著全球節(jié)能技術(shù)的提高，小型熒光燈市場的發(fā)展非常迅猛。在眾多的低成本解決方案中，用戶通常選用簡單的自振蕩電路，
而這些電路一般都采用STBV或BUL系列等功率雙極型器件。
在采用如L6569型驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用，選用MOSFET是一個(gè)十分有效的解決方案。為此，ST公司專門推出了用于小型熒光燈的400V功率MOSFET STS1DNC40和STQ1NC40，這兩種器件與傳統(tǒng)器件相比，具有高效、低成本的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)不影響產(chǎn)品的性能或使用壽命。另外，由于NC系列硅效率的提高和NC系列（PwerMESH）上RDS（on）*面積的減小，這兩款器件的功耗也有明顯的降低。
STS1DN40和STQ1NC40是全新的小型熒光燈400V功率MOSFET。其中STS1DN40采用表面安裝雙島版SO-8封裝，而STQ1NC40則采用TO-92封裝。這兩種器件集NC系列400V器件的性能和小型裝所特有的靈活性于一身，因而具有成本低、可節(jié)省電路板空間（采用STS1DNC40可節(jié)省一個(gè)封裝）以及可鉗位尺寸等特點(diǎn)。
2 主要電氣參數(shù)
STS1DNC40的典型RDS（on）為4.7Ω，可采用低門限門極驅(qū)動(dòng)，由于采用SO-98的標(biāo)準(zhǔn)外形封裝，因此十分方便于自動(dòng)化表面安裝。而STQ1NC40的典型RDS（on）也為4.7Ω,并具有極高的db/dt能力，可進(jìn)行100%的雪崩測試。它采用新高壓基準(zhǔn)，并采用門極電荷 最小化的TO-92封裝形式。STS1DNC40和STQ1NC40的主要電氣參數(shù)如表1所列。
表1 STS1DNC40和STQ1NC40的主要電氣參數(shù)
| P/N | 電源（V） | 封裝 | RDS（ON）（Ω）最大值 | BVDSS（V） | 總功耗Tc=25℃ |
| STS1DNC40 | 220 | SO-8 | 5.5 | 400 | 2W |
| STQ1NC40 | 220 | TO-92 | 5.5 | 400 | 3.5W |
表2 220V小型熒光燈用標(biāo)準(zhǔn)功率MOSFET的主要參數(shù)
| P/N | 電源（V） | 封裝 | RDS（ON）（Ω）最大值 | BVDSS（V） | 典型CFL功率范圍（W） | 技術(shù) |
| STD1NB50/-1 | 220 | DPAK/IPAK | 9 | 500 | 7-23 | PowerMESHI |
| STD2NB50/-1 | 220 | DPAK/IPAK | 6 | 500 | 7-23 | PowerMESHI |
| STD3NB50/-1 | 220 | DPAK/IPAK | 2.7 | 500 | 7-23 | PowerMESHII |
| STD4NB50/-1 | 220 | DPAK/INAK | 1.5 | 500 | 7-23 | PowerMESHII |
| STD2NB50/-1 | 220 | DPAK/IPAK | 5.5 | 400 | 7-23 | PowerMESHII |
3 應(yīng)用電路
圖1是采用STQ1NC40設(shè)計(jì)的小型熒光燈電路原理圖，可以看出，采用這種新型元器件設(shè)計(jì)的電路可極大的提高電路的靈活性和降低電路成本。表2給出了ST公司其它的220V小型熒光燈用功率MOSFET的主要參數(shù)。
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