IGBT模塊的密勒電容影響
IGBT寄生電容是其芯片的內(nèi)部結構固有的特性,芯片結構及簡單的原理圖如下圖所示。輸入電容Cies及反饋電容Cres是衡量柵極驅動電路的根本要素,輸出電容Coss限制開關轉換過程的dv/dt,Coss造成的損耗一般可以被忽略。
其中:Cies = CGE + CGC:輸入電容(輸出短路)Coss = CGC + CEC:輸出電容(輸入短路)Cres = CGC:反饋電容(米勒電容)動態(tài)電容隨著集電極與發(fā)射極電壓的增加而減小,如下圖所示。
可以看出密勒電容在VCE電壓較小時有一個比較大的值,此時VCE的瞬變會通過此電容對IGBT柵極有明顯的影響,尤其在半橋電路中有可能造成寄生導通,需要多加注意,實際選型時往往CCE對Cies的比值越小越好。 電容相關文章:電容原理 網(wǎng)線測試儀相關文章:網(wǎng)線測試儀原理
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