IGBT模塊的密勒電容影響
IGBT寄生電容是其芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)固有的特性,芯片結(jié)構(gòu)及簡(jiǎn)單的原理圖如下圖所示。輸入電容Cies及反饋電容Cres是衡量柵極驅(qū)動(dòng)電路的根本要素,輸出電容Coss限制開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換過(guò)程的dv/dt,Coss造成的損耗一般可以被忽略。
其中:Cies = CGE + CGC:輸入電容(輸出短路)Coss = CGC + CEC:輸出電容(輸入短路)Cres = CGC:反饋電容(米勒電容)動(dòng)態(tài)電容隨著集電極與發(fā)射極電壓的增加而減小,如下圖所示。
可以看出密勒電容在VCE電壓較小時(shí)有一個(gè)比較大的值,此時(shí)VCE的瞬變會(huì)通過(guò)此電容對(duì)IGBT柵極有明顯的影響,尤其在半橋電路中有可能造成寄生導(dǎo)通,需要多加注意,實(shí)際選型時(shí)往往CCE對(duì)Cies的比值越小越好。 電容相關(guān)文章:電容原理 網(wǎng)線測(cè)試儀相關(guān)文章:網(wǎng)線測(cè)試儀原理
評(píng)論