小貼士：開(kāi)關(guān)電源EMI頻段干擾原因及抑制辦法
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時(shí)間：2014-01-23
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4.也可改變MOSFET，輸出整流二極管的本體向空間的輻射(如鐵夾卡MOSFET；鐵夾卡DIODE，改變散熱器的接地點(diǎn))。
5.增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射
200MHZ以上開(kāi)關(guān)電源已基本輻射量很小，一般可過(guò)EMI標(biāo)準(zhǔn)
補(bǔ)充說(shuō)明:
開(kāi)關(guān)電源高頻變壓器初次間一般是屏蔽層的，以上未加綴述
開(kāi)關(guān)電源是高頻產(chǎn)品，PCB的元器件布局對(duì)EMI，請(qǐng)密切注意此點(diǎn)
開(kāi)關(guān)電源若有機(jī)械外殼，外殼的結(jié)構(gòu)對(duì)輻射有很大的影響，請(qǐng)密切注意此點(diǎn)
主開(kāi)關(guān)管，主二極管不同的生產(chǎn)廠家參數(shù)有一定的差異，對(duì)EMC有一定的影響。
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評(píng)論