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小貼士:開(kāi)關(guān)電源EMI頻段干擾原因及抑制辦法

作者: 時(shí)間:2014-01-23 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

整改中,關(guān)于不同原因及抑制辦法:

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/226673.htm

1MHZ以內(nèi)----以差模干擾為主

1.增大X電容量;

2.添加差模電感;

3.小功率電源可采用PI型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。

1MHZ---5MHZ---差模共?;旌?/strong>

采用輸入端并聯(lián)一系列X電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并以解決,

1.對(duì)于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整X電容量,添加差模電感器,調(diào)差模電感量;

2.對(duì)于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感,選用合理的電感量來(lái)抑制;

3.也可改變整流二極管特性來(lái)處理一對(duì)快速二極管如FR107一對(duì)普通整流二極管1N4007。

5M---以上以共摸干擾為主,采用抑制共摸的方法

對(duì)于外殼接地的,在地線上用一個(gè)磁環(huán)串繞2-3圈會(huì)對(duì)10MHZ以上干擾有較大的衰減作用;

可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔,銅箔閉環(huán)

處理后端輸出整流管的吸收電路和初級(jí)大電路并聯(lián)電容的大小。

對(duì)于20--30MHZ

1.對(duì)于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對(duì)地Y2電容量或改變Y2電容位置;

2.調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值;

3.在變壓器外面包銅箔;變壓器最里層加屏蔽層;調(diào)整變壓器的各繞組的排布。

4.改變PCB LAYOUT;

5.輸出線前面接一個(gè)雙線并繞的小共模電感;

6.在輸出整流管兩端并聯(lián)RC濾波器且調(diào)整合理的參數(shù);

7.在變壓器與MOSFET之間加BEAD CORE;

8.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容。

9. 可以用增大MOS驅(qū)動(dòng)電阻30---50MHZ 普遍是MOS管高速開(kāi)通關(guān)斷引起

1.可以用增大MOS驅(qū)動(dòng)電阻;

2.RCD緩沖電路采用1N4007慢管;

3.VCC供電電壓用1N4007慢管來(lái)解決;

4.或者輸出線前端串接一個(gè)雙線并繞的小共模電感;

5.在MOSFET的D-S腳并聯(lián)一個(gè)小吸收電路;

6.在變壓器與MOSFET之間加BEAD CORE;

7.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容;

8.PCB心LAYOUT時(shí)大電解電容,變壓器,MOS構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的??;

9.變壓器,輸出二極管,輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小。

50---100MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起

1.可以在整流管上串磁珠;

2.調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù);

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