開關(guān)電源設(shè)計(jì)中MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)詳解

紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆?？梢奟3越大，MOS的導(dǎo)通速度越慢。

可以看到，驅(qū)動(dòng)電阻增加可以降低MOS開關(guān)的時(shí)候得電壓電流的變化率。比較慢的開關(guān)速度，對EMI有好處。下圖是對兩個(gè)不同驅(qū)動(dòng)情況下，MOS的DS電壓波形做付利葉分析得到

紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆?？梢?，驅(qū)動(dòng)電阻大的時(shí)候，高頻諧波明顯變小

但是驅(qū)動(dòng)速度慢，又有什么壞處呢？那就是開關(guān)損耗大了，下圖是不同驅(qū)動(dòng)電阻下，導(dǎo)通損耗的功率曲線。

紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆?？梢姡?qū)動(dòng)電阻大的時(shí)候，損耗明顯大了。

結(jié)論：驅(qū)動(dòng)電阻到底選多大？還真難講，小了EMI不好；大了效率不好。所以只能一個(gè)折中的選擇了。

那如果，開通和關(guān)斷的速度要分別調(diào)節(jié)，怎么辦？就用以下電路。