兼顧高耐壓與低Vce性能的650V溝槽IGBT受熱捧

圖3 逆變器採用不同IGBT在10安培、20安培電流情況的效率表現(xiàn)

基于前述比較結(jié)果，可進(jìn)一步估算系統(tǒng)中的功率損耗。假定目標(biāo)系統(tǒng)為3kW額定混頻全橋式逆變器，內(nèi)建兩個低端IGBT以線頻進(jìn)行切換，兩個高端IGBT以17kHz進(jìn)行切換，圖4即為其功率損耗估算摘要。為驗證功率損耗估算，可分別採用50安培/650伏特IGBT，以及功率損耗與其類似的3號IGBT做評比。

圖4 新型IGBT與其他競爭方案的功率損耗預(yù)估

如圖5所示，3kW系統(tǒng)在滿載時，3號IGBT與50安培/650伏特IGBT的功耗相當(dāng)接近，此狀況完全符合估算，此外，效率斷層會隨著負(fù)載減少而逐漸變大，此狀況亦符合圖3的效率變化，在低電流位準(zhǔn)時，50安培/650伏特IGBT的表現(xiàn)最優(yōu)異。

圖5 混頻全橋式逆變器應(yīng)用不同IGBT的效率比較

新型650伏特場截止溝槽式IGBT已于近期問世，且效能亦已通過系統(tǒng)廠評估，相較于舊型IGBT，新方案提供更好的DC及交流電(AC)特性，且抗短路時間及漏電流問題均有改善，可支援效率更高且更可靠的轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)。