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工程師匯總:開關(guān)電源中EMC知識及分類標(biāo)準(zhǔn)配置

作者: 時間:2014-01-12 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
e-height: 24px; color: rgb(62, 62, 62); font-family: Tahoma, Arial, sans-serif; font-size: 14px; text-align: justify; ">1.把噪音電路節(jié)點的PCB銅箔面積最大限度地減小;如開關(guān)管的漏極、集電極,初次級繞組的節(jié)點,等。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/226981.htm

2.使輸入和輸出端遠(yuǎn)離噪音元件,如變壓器線包,變壓器磁芯,開關(guān)管的散熱片,等等。

3. 使噪音元件(如未遮蔽的變壓器線包,未遮蔽的變壓器磁芯,和開關(guān)管,等等)遠(yuǎn)離外殼邊緣,因為在正常操作下外殼邊緣很可能靠近外面的接地線。

4. 如果變壓器沒有使用電場屏蔽,要保持屏蔽體和散熱片遠(yuǎn)離變壓器。

5. 盡量減小以下電流環(huán)的面積:次級(輸出)整流器,初級開關(guān)功率器件,柵極(基極)驅(qū)動線路,輔助整流器。

6.不要將門極(基極)的驅(qū)動返饋環(huán)路和初級開關(guān)電路或輔助整流電路混在一起。

7.調(diào)整優(yōu)化阻尼電阻值,使它在開關(guān)的死區(qū)時間里不產(chǎn)生振鈴響聲。

8. 防止EMI濾波電感飽和。

9.使拐彎節(jié)點和 次級電路的元件遠(yuǎn)離初級電路的屏蔽體或者開關(guān)管的散熱片。

10.保持初級電路的擺動的節(jié)點和元件本體遠(yuǎn)離屏蔽或者散熱片。

11.使高頻輸入的EMI濾波器靠近輸入電纜或者連接器端。

12.保持高頻輸出的EMI濾波器靠近輸出電線端子。

13. 使EMI濾波器對面的PCB板的銅箔和元件本體之間保持一定距離。

14.在輔助線圈的整流器的線路上放一些電阻。

15.在磁棒線圈上并聯(lián)阻尼電阻。

OP: 0px; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">16.在輸出RF濾波器兩端并聯(lián)阻尼電阻。17.在PCB設(shè)計時允許放1nF/ 500 V陶瓷電容器或者還可以是一串電阻,跨接在變壓器的初級的靜端和輔助繞組之間。

18.保持EMI濾波器遠(yuǎn)離功率變壓器;尤其是避免定位在繞包的端部。

19.在PCB面積足夠的情況下, 可在PCB上留下放屏蔽繞組用的腳位和放RC阻尼器的位置,RC阻尼器可跨接在屏蔽繞組兩端。

20.空間允許的話在開關(guān)功率場效應(yīng)管的漏極和門極之間放一個小徑向引線電容器(米勒電容, 10皮法/ 1千伏電容)。

21.空間允許的話放一個小的RC阻尼器在直流輸出端。

22. 不要把AC插座與初級開關(guān)管的散熱片靠在一起。

EMI的特點

作為工作于開關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置,的電壓、電流變化率很高,產(chǎn)生的干擾強(qiáng)度較大;干擾源主要集中在功率開關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器,相對于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚;開關(guān)頻率不高(從幾十千赫和數(shù)兆赫茲),主要的干擾形式是傳導(dǎo)干擾和近場干擾;而印刷線路板 (PCB)走線通常采用手工布線,具有更大的隨意性,這增加了PCB分布參數(shù)的提取和近場干擾估計的難度。

1MHZ以內(nèi)----以差模干擾為主,增大X電容就可解決

1MHZ---5MHZ---差模共?;旌?采用輸入端并一系列X電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并解決;

5M---以上以共摸干擾為主,采用抑制共摸的方法.對于外殼接地的,在地線上用一個磁環(huán)繞2圈會對10MHZ以上干擾有較大的衰減(diudiu2006);對于25--30MHZ不過可以采用加大對地Y電容、在變壓器外面包銅皮、改變PCB LAYOUT、輸出線前面接一個雙線并繞的小磁環(huán),最少繞10圈、在輸出整流管兩端并RC濾波器.

30---50MHZ 普遍是MOS管高速開通關(guān)斷引起,可以用增大MOS驅(qū)動電阻,RCD緩沖電路采用1N4007慢管,VCC供電電壓用1N4007慢管來解決.

100---200MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起,可以在整流管上串磁珠

100MHz-200MHz之間大部分出于PFC MOSFET及PFC 二極管,現(xiàn)在MOSFET及PFC二極管串磁珠有效果,水平方向基本可以解決問題,但垂直方向就很無奈了

的輻射一般只會影響到100M 以下的頻段.也可以在MOS,二極管上加相應(yīng)吸收回路,但效率會



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