工程師匯總：開關(guān)電源中EMC知識(shí)及分類標(biāo)準(zhǔn)配置

1MHZ 以內(nèi)----以差模干擾為主

1.增大X 電容量;

2.添加差模電感;

-SPACING: 0px; PADDING-TOP: 0px; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">3.小功率電源可采用PI 型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。1MHZ---5MHZ---差模共?；旌?，采用輸入端并聯(lián)一系列X 電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并以解決：

1.對(duì)于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整X 電容量,添加差模電感器，調(diào)差模電感量;

2.對(duì)于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感,選用合理的電感量來抑制;

3.也可改變整流二極管特性來處理一對(duì)快速二極管如FR107 一對(duì)普通整流二極管1N4007。

5M---以上以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法。

對(duì)于外殼接地的，在地線上用一個(gè)磁環(huán)串繞2-3 圈會(huì)對(duì)10MHZ 以上干擾有較大的衰減作用;可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔, 銅箔閉環(huán).處理后端輸出整流管的吸收電路和初級(jí)大電路并聯(lián)電容的大小。

對(duì)于20--30MHZ，

1.對(duì)于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對(duì)地Y2 電容量或改變Y2 電容位置;

2.調(diào)整一二次側(cè)間的Y1 電容位置及參數(shù)值;

3.在變壓器外面包銅箔;變壓器最里層加屏蔽層;調(diào)整變壓器的各繞組的排布。

4.改變PCB LAYOUT;

5.輸出線前面接一個(gè)雙線并繞的小共模電感;

6.在輸出整流管兩端并聯(lián)RC 濾波器且調(diào)整合理的參數(shù);

7.在變壓器與MOSFET 之間加BEAD CORE;

8.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容。

9. 可以用增大MOS 驅(qū)動(dòng)電阻.

30---50MHZ 普遍是MOS 管高速開通關(guān)斷引起，

1.可以用增大MOS 驅(qū)動(dòng)電阻;

2.RCD 緩沖電路采用1N4007 慢管;

3.VCC 供電電壓用1N4007 慢管來解決;

XT-ALIGN: left; PADDING-BOTTOM: 0px; WIDOWS: 2; TEXT-TRANSFORM: none; TEXT-INDENT: 2em; MARGIN: 10px 25px 0px; PADDING-LEFT: 0px; PADDING-RIGHT: 0px; FONT: 14px/22px 宋體, Georgia, verdana, serif; WHITE-SPACE: normal; ORPHANS: 2; LETTER-SPACING: normal; COLOR: rgb(68,68,68); WORD-SPACING: 0px; PADDING-TOP: 0px; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">4.或者輸出線前端串接一個(gè)雙線并繞的小共模電感;5.在MOSFET 的D-S 腳并聯(lián)一個(gè)小吸收電路;

6.在變壓器與MOSFET 之間加BEAD CORE;

7.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容;

8.PCB 心LAYOUT 時(shí)大電解電容，變壓器，MOS 構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小;

9.變壓器，輸出二極管，輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小。

50---100MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起，

1.可以在整流管上串磁珠;

2.調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù);

3.可改變一二次側(cè)跨接Y電容支路的阻抗,如PIN腳處加BEAD CORE或串接適當(dāng)?shù)碾娮?

4.也可改變MOSFET，輸出整流二極管的本體向空間的輻射(如鐵夾卡MOSFET; 鐵夾卡DIODE，改變散熱器的接地點(diǎn))。

5.增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射.