薄膜電容器在電磁加熱設(shè)備中的應(yīng)用

　　C6和C3同樣并接于直流母線的正負極上。但是由于結(jié)構(gòu)及布線回路等因數(shù)的制約，導致后端的IGBT遠離C3電容，所以需要在后端的IGBT模塊的電源端直接鎖上一只母線吸收電容，就地吸收IGBT產(chǎn)生的紋波電壓和紋波電流。C6在選擇的時候，耐壓方面一般按照IGBT的額定電壓來選擇。盡量選擇紋波電流大，dv/dt大，雜散電感小的母線吸收電容。例如MKPH-S 0.47?F 1?F 1.5?F 2?F等型號，額定電壓1200V.DC的吸收電容器。　　3 薄膜電容器選型中常出現(xiàn)的問題

　　A 額定電壓選擇不當

　　額定電壓選擇不當，出現(xiàn)最多的地方是諧振電路部分（C5）。研發(fā)人員應(yīng)該根據(jù)設(shè)備的額定功率，輸入電壓，電路拓撲，逆變控制方式，負載材質(zhì)，負載磁載率，電路Q值等參數(shù)作為綜合考慮后作初步計算。待樣機初步達到要求后，需要用示波器加高壓電壓探頭，實際測量一下設(shè)備在最大功率的時候，諧振電容器兩端的峰峰值電壓，峰值電壓，均方根值電壓，諧振頻率等參數(shù)，用來判定所選擇的諧振電容器型號及參數(shù)是否正確。

　　B 額定電流選擇不當

　　額定電流選擇不當，出現(xiàn)最多的地方是C3（直流支撐）和C5（諧振）部份。實際需要的電流值如果比電容器允許通過的電流值大，那么會造成電容器發(fā)熱嚴重，長期高溫工作，導致電容器壽命大大降低，嚴重的會炸毀甚至是起火燃燒。在設(shè)備研發(fā)中，可以通過專用的電流探頭或其他方式，測量一下實際需要的峰值電流，均方根值電流，然后調(diào)整電容器的參數(shù)。最終可通過設(shè)備在滿功率老化測試中，測量一下電容器的溫升，根據(jù)電容器的溫升允許參數(shù)來判定電容器的選擇是否恰當。（電流測量及溫升情況來綜合評定）

　　C 接線方式不當

　　接線方式不當，主要出現(xiàn)在電容器多只并聯(lián)使用中。由于接線方式，走線距離不一致等因數(shù)，導致每只并聯(lián)的電容器在電路中分流不一致。最終體現(xiàn)在多只并聯(lián)的電容器，每只的溫升都不一致。個別位置的電容器溫升過高，出現(xiàn)燒毀的情況。因此，需要對電容器的并聯(lián)使用進行合理的布線及連接，盡量要做到均流，提高電容器的使用壽命。

　　4 薄膜電容器使用中的波形參考

C3電壓基波波形 （505V/300HZ） C3紋波電壓波形（38V/23.3KHz）

C5諧振電流波形（Ip=84A Irms=60A ） C4吸收電容波形（Vce=581V F=19.6KHz）

　　最后，本文分析了設(shè)備內(nèi)部各位置的薄膜電容器所起的作用及選型原則，注意事項等等，以三相全橋商用電磁爐作為案例。隨著電磁加熱設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域日益增大，薄膜電容器的使用要求和電性能參數(shù)也越來越高。