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淺析通過數(shù)字控制提高DC/DC轉(zhuǎn)換器效率的技術(shù)

作者: 時(shí)間:2013-09-22 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
能為開關(guān)周期的10%,并且在該死區(qū)期間,高次級(jí)電流將流經(jīng)MOSFET 的高正向壓降內(nèi)部二極管。通過配置同步MOSFET 的PWM 柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)疊加,高次級(jí)電流可流經(jīng)MOSFET 通道。在這種情況下,將只有Rds(ON)損耗,其與死區(qū)中MOSFET 內(nèi)部二極管導(dǎo)致的損耗相比非常小。對(duì)于具有電信輸入(36 至76 VDC)的系統(tǒng),通過疊加同步MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào),直流-直流轉(zhuǎn)換器的效率將提高3 - 4%.

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/228256.htm

  實(shí)現(xiàn)這些技術(shù)需要靈活的具有完全獨(dú)立PWM 輸出的電源控制器。DSC(例如dsPIC? DSC)提供了靈活性以及PWM 外設(shè),可輕松實(shí)現(xiàn)此技術(shù)和其他效率提升技術(shù)。

  結(jié)論

  PSFB 拓?fù)渚哂袑?shí)現(xiàn)現(xiàn)代電源所需效率的潛力。使設(shè)計(jì)人員能夠非常精確地控制PSFB拓?fù)浜蛯?shí)現(xiàn)高級(jí)控制技術(shù)(例如疊加同步MOSFET)。新拓?fù)?、新技術(shù)及新理念正在推動(dòng)電源進(jìn)入二十一世紀(jì)。器(例如Microchip 的dsPIC? DSC)已經(jīng)為未來的電源需求做好了準(zhǔn)備。


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關(guān)鍵詞: 數(shù)字控制 DC/DC

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