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深度解析AC-DC電源設(shè)計

作者: 時間:2013-06-29 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
的主要部分。應(yīng)該采用適合于高頻工作的開氣隙的鐵氧體材料,得的PFC效率如圖3所示。

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圖3. 交錯式BCM PFC 測得的效率 (100%=330W)。

對于300W小型 AHB變壓器,一種解決方案是采用兩個水平磁芯結(jié)構(gòu):初級端繞組串聯(lián),次級端繞組并聯(lián)。在一個不到20mm的小型元件上設(shè)計橫截面積150mm2的傳統(tǒng)形狀的磁芯是不可能的事情。最后一個重要設(shè)計步驟是把AHB變壓器中的漏電感量控制在允許范圍之內(nèi)。對于ZVS,需要某些特定的漏電感值,對于自驅(qū)動SR,需要調(diào)節(jié)時序延遲。在本設(shè)計中因變壓器產(chǎn)生的有效泄漏被優(yōu)化為7μH,也就是總體有效磁性電感的1.5%。300W AHB DC-DC轉(zhuǎn)換器測得的效率結(jié)果如圖4所示。

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圖4. AHB 390V to 12V/25A,DC-DC 測得的效率(100%=300W)。

滿負載效率主要由轉(zhuǎn)換器功率水平的傳導損耗來決定,因此,在這些條件下,幾乎沒有一種控制器有所助益。不過,要保持較高的輕載效率,倒有好幾種控制器技術(shù)可供考慮。FAN9612是一款交錯式雙BCM PFC控制器,其利用一個內(nèi)部固定最大頻率鉗位來限制輕載下和AC輸入電壓的過零點附近的與頻率相關(guān)的Coss MOSFET開關(guān)損耗。在AC線電壓部分VIN>VOUT/2期間,采用谷底開關(guān)技術(shù)來感測最佳MOSFET導通時間,進一步降低Coss電容性開關(guān)損耗。另一方面,當VIN

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圖5. PFC 相位管理 (1→2, 19%=64W ;2→1, 12%=42W)。

AHB隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的實現(xiàn)方案可采用AHB控制器FSFA2100來實現(xiàn)。這種先進的集成度讓設(shè)計人員利用較少的外部元件即可獲得高達420W的極高效率。把這三大關(guān)鍵功能整合在單個封裝中,可避免對ZVS所需的死區(qū)時間的編程任務(wù),并把內(nèi)部驅(qū)動器與MOSFET之間的柵極驅(qū)動寄生電感減至最小。SIP功率封裝中的功耗大部分源于內(nèi)部MOSFET的開關(guān),因此需要一個小型擠壓式散熱器,尤其是對無強制空氣冷卻的300W設(shè)計。

總的 系統(tǒng)包括輸入EMI濾波器、橋式整流器、交錯式BCM PFC 和 AHB DC-DC,它獲得的總體效率如圖6所示。在Vin=120VAC時,該設(shè)計峰值效率為91%;Vin=230VAC 時為92% ;Vin=120VAC 或 230VAC ,以及POUT>38% (114W)時,大于90%。

測得的總體系統(tǒng)效率



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