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在高溫超導(dǎo)濾波器后級(jí)的低溫低噪聲放大器的設(shè)計(jì)和調(diào)試方法

作者: 時(shí)間:2013-05-27 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
隨著超導(dǎo)材料應(yīng)用的發(fā)展,采用高溫超導(dǎo)材料制備的濾波器表現(xiàn)出前所未有的高性能. 高溫超導(dǎo)濾波器與低溫低噪聲放大器(LNA) 組成的射頻接收機(jī)前端具有廣闊的應(yīng)用前景[1]。在國內(nèi),自行研制的超導(dǎo)接收機(jī)前端已經(jīng)在移動(dòng)通訊基站中試運(yùn)行,并獲得良好效果。超導(dǎo)接收機(jī)前端是由高溫超導(dǎo)濾波器、LNA、制冷機(jī)、真空腔及控制電路組成,如圖1所示。由于LNA工作在和超導(dǎo)濾波器相同的低溫環(huán)境下,放大器電路的熱噪聲相當(dāng)?shù)汀T诰w管選取方面,HEMT(高電子遷移率場效應(yīng)晶體管)很低的噪聲和良好低溫性能非常符合要求。由于可獲取商業(yè)用晶體管的S參數(shù)僅限于常溫至-55oC, 對制備低溫70K下工作的放大器帶來一定的問題。

本文選用atf-54143型晶體管,采用常溫下晶體管的S參數(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì),并主要采用集總元件實(shí)現(xiàn)電路匹配。詳細(xì)分析了如何設(shè)計(jì)匹配電路來滿足放大器各項(xiàng)指標(biāo)要求,并提出了低溫環(huán)境下的調(diào)試方法。

在高溫超導(dǎo)濾波器后級(jí)的低溫低噪聲放大器的設(shè)計(jì)和調(diào)試方法

圖1
1 放大器設(shè)計(jì)

將放大器電路按圖2作簡化,由于1.9GHz-2GHz屬于L波段,選擇集總元件作匹配電路可以有效減小電路尺寸。設(shè)計(jì)方法同常溫下設(shè)計(jì)低噪聲放大器的方法一致,通過微波仿真軟件ADS幫助計(jì)算,綜合考慮功率匹配,噪聲匹配和駐波匹配,在保證放大器絕對穩(wěn)定的前提下找到平衡點(diǎn),使得各指標(biāo)滿足性能要求。

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圖2 放大器示意圖

噪聲系數(shù)是優(yōu)先考慮的對象,晶體管的噪聲由下式?jīng)Q定:

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輸出匹配電路為了穩(wěn)定性的考慮通常要加入損耗元件,其功率匹配和駐波匹配不再一致,設(shè)計(jì)的主要任務(wù)是得到需要的ΓL值的同時(shí)改善輸出駐波匹配。

2 放大器的研制和低溫下調(diào)試

根據(jù)設(shè)計(jì)的電路繪制PCB版圖,焊接元件,封裝等一系列步驟以后,研制出需要的放大器(圖3)。在70K超導(dǎo)溫度下測量,發(fā)現(xiàn)其性能和設(shè)計(jì)有較大偏差,這一方面是由于實(shí)際電路中大量短微帶線的影響,各分立元件的離散性,和軟件模擬晶體管性能的誤差。更重要原因的是晶體管特性在如此低的溫度下發(fā)生的顯著的變化。根據(jù)德國波鴻大學(xué)Helmut Piel 教授小組對atf54143晶體管的測量,其S參數(shù)較常溫都呈現(xiàn)往高頻偏移的特性[3]。

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圖3 放大器實(shí)物圖

由此可見,根據(jù)實(shí)測結(jié)果對電路的部分元件進(jìn)行調(diào)整是必需的。調(diào)試的步驟可歸納為低溫下測量 ━ 理論計(jì)算偏差值 ━ 常溫下置換元件 ━ 低溫下測量的循環(huán)過程,直到獲得滿意的性能。

放大器的調(diào)試主要就是匹配點(diǎn)的調(diào)試,借助Smith圓圖將使這個(gè)過程變得直觀方便。以輸入駐波為例,根據(jù)低溫下網(wǎng)絡(luò)分析儀測得的Γ1值利用史密斯圓圖可以反推Γin值,然后計(jì)算使Γ1=0的C1*,L1*取值。值得注意的是,放大器兩端的引線和SMA接頭的長度lin必須加入計(jì)算。圖4形象地展示了計(jì)算的過程。

C1,L1作為貼片元件,其元件值都是分立的,經(jīng)常出現(xiàn)元件系列中沒有需要的元件值的情況,這給調(diào)試帶來一定的困難。采用可調(diào)微帶電抗可以很好的解決這個(gè)問題。圖4中給出了可調(diào)微帶電容的結(jié)構(gòu),一個(gè)電容后端接了一段開路微帶線,根據(jù)微帶線理論,此支路等效阻抗Z1由(3)式?jīng)Q定:

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其中,β由微帶線寬高比W/h和介質(zhì)介電常數(shù)決定,通過改變微帶線寬W可以改變參數(shù)β。于是我們可以通過調(diào)節(jié)微帶線的L與W來微調(diào)接入阻抗Z的值。這樣的結(jié)構(gòu)相當(dāng)于一個(gè)連續(xù)可調(diào)的電容C’。增加這樣一個(gè)可調(diào)微帶電容結(jié)構(gòu)以后,支路電容值可以通過切割或者粘貼微帶線連續(xù)可調(diào),給低溫調(diào)試帶來極大的便利。類似的,如果使用一段末端接地的短微帶線作為支路,則相當(dāng)于一個(gè)可調(diào)電感,同樣可以用來調(diào)試放大器電路。

在高溫超導(dǎo)濾波器后級(jí)的低溫低噪聲放大器的設(shè)計(jì)和調(diào)試方法

圖4 Smith圓圖和可調(diào)微帶電容
上述調(diào)試方法適用于L波段,對于更高的微波頻段,電路分布效應(yīng)進(jìn)一步增加,需要更精確的調(diào)試方法。最后,經(jīng)過調(diào)試的低溫低噪聲放大器在70K溫度下1.9GHz-2GHz通帶內(nèi)滿足增益大于18,輸入輸出反射損耗小于-20dB,噪聲低于0.5dB,滿足性能要求并且和超導(dǎo)濾波器匹配良好(圖5)。

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圖5 低溫低噪聲放大器性能

3 結(jié)論

本文介紹了低溫下低噪聲放大器的設(shè)計(jì)調(diào)試方法。總結(jié)了綜合考慮功率匹配,駐波匹配和噪聲匹配的設(shè)計(jì)思路。針對低溫下放大器性能和常溫相比有很大改變的情況,提出了利用Smith圓圖和微帶可調(diào)電容結(jié)構(gòu)的調(diào)試方法,并成功研制出工作在高溫中頻率范圍為1.9G-2GHz的低溫低噪聲放大器,其各項(xiàng)指標(biāo)均達(dá)到要求,該方法對于L波段均適用。

本文作者創(chuàng)新點(diǎn):
1. 介紹工作在超低溫(70K)下的中低噪聲放大器的研制方法。
2. 利用Smith圓圖和可調(diào)微帶電容進(jìn)行低溫下調(diào)試
3. 并研制出了高性能的1.9GHz-2GHz頻段的低溫低噪聲放大器。

參考文獻(xiàn):
[1] Klauda. M, Kasser. T, Mayer. B.“Superconductors and Cryogenics for Future Communication Systems”IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2000;48(7):1228.
[2] 李宗謙.《微波工程基礎(chǔ)》.清華大學(xué)出版社,2004:168.
[3] 王昕,王凡,張曉平等. “場效應(yīng)器件與低噪聲放大器”.低溫物理學(xué)報(bào),2005;27(2):159-164.
[4] 王昌林,李東生,張勇. “一種射頻CMOS低噪聲放大器的設(shè)計(jì)”. 微計(jì)算機(jī)信息,2006.12:117-119

作者簡介:
蔡康康 男,1983年11月生于浙江,2004年畢業(yè)于清華大學(xué)電子工程系并獲清華大學(xué)學(xué)士學(xué)位?,F(xiàn)為清華大學(xué)物理系碩士研究生,研究方向主要為超導(dǎo)系統(tǒng)中低噪聲放大器設(shè)計(jì)。
Email:caikangkang00@mails.tsinghua.edu.cn; 聯(lián)系電話:13693322200
曹必松(1946- ),男,清華大學(xué)物理系博導(dǎo),研究方向:超導(dǎo)物理的基礎(chǔ)研究,超導(dǎo)電子學(xué)應(yīng)用研究。



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