高性能柵極驅(qū)動(dòng)器提高HEV和EV應(yīng)用的效率和可靠性
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild)技術(shù)行銷副經(jīng)理張瑞斌告訴記者,2010年EV逆變器動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)就比2004年EV逆變器縮小20%,同時(shí)還提高功率密度和抗噪能力。為了幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn),飛兆半導(dǎo)體最近開發(fā)出大電流高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器IC產(chǎn)品FAN7171和大電流高側(cè)與低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器IC產(chǎn)品FAN7190。
張瑞斌說,F(xiàn)AN7171和FAN7190是飛兆半導(dǎo)體汽車高壓IC(HVIC)柵極驅(qū)動(dòng)器系列的成員,適合電動(dòng)與混合動(dòng)力DC/DC電源和功率逆變器、柴油和汽油噴射器及閥門,以及MOSFET和IGBT高側(cè)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用,在嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用中能提供更高效率、更大驅(qū)動(dòng)電流和更高穩(wěn)健性。
FAN7171和FAN7190具有很高的功率密度,4.5A/4.5A源/漏電流驅(qū)動(dòng)能力。FAN7171能夠驅(qū)動(dòng)工作電壓高達(dá)+500V的高速M(fèi)OSFET和IGBT的單片式高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器IC,而FAN7190則能夠驅(qū)動(dòng)工作電壓高達(dá)+600V的MOSFET和IGBT。更大的驅(qū)動(dòng)能力能夠?qū)崿F(xiàn)功率更高的系統(tǒng),提高功效。
大電流高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器IC產(chǎn)品FAN7171架構(gòu)圖
兩款器件采用飛兆半導(dǎo)體的高壓工藝和共模噪聲消除技術(shù),均具有緩沖輸出級(jí),帶有設(shè)計(jì)用于大脈沖電流驅(qū)動(dòng)能力和最小交叉?zhèn)鲗?dǎo)的全部NMOS晶體管。FAN7171和FAN7190具有很強(qiáng)的抗噪能力,15V VBS下負(fù)電壓擺幅(VS)低至-9.8V,可實(shí)現(xiàn)更高的設(shè)計(jì)可靠性,并提高了在惡劣噪聲環(huán)境中的耐久性。
FAN7171和FAN7190滿足汽車AECQ100 Class 1標(biāo)準(zhǔn),是具有更多功能的高集成度器件,能夠減少元件數(shù)目并降低材料清單成本,縮小線路板空間并有縮短設(shè)計(jì)周期的潛力。
評(píng)論