開關電源轉換器高性能碳化硅（SiC）功率半導體器件 作者： 時間：2012-09-09 來源：網(wǎng)絡 英飛凌汽車電子生態(tài)圈 掃碼關注獲取最新最全汽車電子技術方案與實用技巧 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 進入21世紀，開關電源技術將會有更大的發(fā)展，這需要我國電力電子、電源、通信、器件、材料等工業(yè)和學術各界努力協(xié)作，沿著下述方向，開發(fā)與開關電源相關的產(chǎn)品和技術。 碳化硅SiC是功率半導體器件晶片的理想材料，其優(yōu)點是禁帶寬，工作溫度高（可達600℃）、熱穩(wěn)定性好、通態(tài)電阻小、導熱性能好、漏電流極小、DNI結耐壓高等，有利于制造出耐高溫的高頻大功率的半導體開關器件，如SiC功率MOSFET和SiC IGBT等。
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