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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅（sic）

格力碳化硅芯片工廠建成投產(chǎn)

  • 12月18日消息，格力電器董事長董明珠日前在《珍知酌見》欄目中表示，格力芯片成功了。據(jù)董明珠介紹，格力在芯片領(lǐng)域從自主研發(fā)、自主設(shè)計、自主制造到整個全產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)完成。據(jù)報道，格力芯片工廠是一座投資近百億元建設(shè)的碳化硅芯片工廠。該項目于2022年12月開始打樁建設(shè)，2023年4月開始鋼結(jié)構(gòu)吊裝，當(dāng)年10月設(shè)備移入，12個月實現(xiàn)通線。項目規(guī)劃占地面積600畝，包含芯片工廠、封測工廠以及配套的半導(dǎo)體檢測中心和超級能源站。值得一提的是，該項目關(guān)鍵核心工藝國產(chǎn)化設(shè)備導(dǎo)入率超過70%，據(jù)稱是全球第二組、亞洲第一座全自
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深度 | GaN還是SiC，電氣工程師該如何選擇？

  • /  編輯推薦 /氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導(dǎo)通電阻小，寄生參數(shù)小等。他們也有各自與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數(shù)，極快開關(guān)速度使其特別適合高頻應(yīng)用。碳化硅MOSFET的易驅(qū)動，高可靠等特性使其適合于高性能開關(guān)電源中。本文基于英飛凌科技有限公司的氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET產(chǎn)品，對他們的結(jié)構(gòu)、特性、兩者的應(yīng)用差異等方面進(jìn)行了詳細(xì)的介紹。引 言作為第三代功率半導(dǎo)體的絕代雙驕，氮化鎵晶體
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博世將獲美芯片補(bǔ)貼擴(kuò)產(chǎn)SiC半導(dǎo)體

  • 據(jù)媒體報道，美國商務(wù)部13日宣布，已與德國汽車零部件供應(yīng)商博世達(dá)成初步協(xié)議，向其提供至多2.25億美元補(bǔ)貼，用于在加州生產(chǎn)碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體。據(jù)悉，這筆資金將支持博世計劃的19億美元投資，改造其位于加州羅斯維爾的工廠，以生產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體。此外，美國商務(wù)部還將為博世提供約3.5億美元政府貸款。博世計劃于 2026 年開始生產(chǎn) SiC 芯片，據(jù)估計，該項目一旦全面投入運(yùn)營，可能占美國SiC制造產(chǎn)能的40%以上。
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雷諾旗下安培與意法半導(dǎo)體簽署碳化硅長期供應(yīng)協(xié)議，合作開發(fā)電動汽車 電源控制系統(tǒng)

  • ●? ?意法半導(dǎo)體與雷諾集團(tuán)簽署長期供貨協(xié)議，保證安培碳化硅功率模塊的供應(yīng)安全●? ?合作開發(fā)逆變器電源控制系統(tǒng)和散熱系統(tǒng)，進(jìn)一步提高安培新一代電機(jī)的能效水平●? ?該協(xié)議符合安培與供應(yīng)鏈上游企業(yè)合作，為其每一項電動汽車技術(shù)設(shè)計最佳解決方案的策略雷諾集團(tuán)旗下純智能電動汽車制造公司安培 (Ampere) 與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST)近日宣布了下一步戰(zhàn)略合作行動，雷諾集
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安森美將收購碳化硅JFET技術(shù)，以增強(qiáng)其針對AI數(shù)據(jù)中心的電源產(chǎn)品組合

  • 安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達(dá)成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。該收購將補(bǔ)足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應(yīng)對人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB) 等新興市場的部署。SiC JFET的單位面積導(dǎo)通電阻超低，低于任何其他技術(shù)的一半。它們還支持使用硅基晶體管幾十年來常用的現(xiàn)成驅(qū)動器。綜合這
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安森美收購Qorvo旗下SiC JFET技術(shù)

  • 據(jù)安森美官微消息，近日，安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達(dá)成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司 United Silicon Carbide。該交易需滿足慣例成交條件，預(yù)計將于2025年第一季度完成。據(jù)悉，該收購將補(bǔ)足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應(yīng)對人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB)等新興市場的部署。安森美電源方案事業(yè)群總裁兼總經(jīng)理
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碳化硅可靠性驗證要點

  • 從MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是我們生活中無數(shù)電子設(shè)備的核心。從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施，到個人電子產(chǎn)品和電動汽車(EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設(shè)備的持續(xù)運(yùn)行。第三代寬禁帶（WBG）解決方案是半導(dǎo)體技術(shù)的前沿，如使用碳化硅（SiC）。與傳統(tǒng)的硅（Si）晶體管相比，SiC的優(yōu)異物理特性使基于SiC的系統(tǒng)能夠在更小的外形尺寸內(nèi)顯著減少損耗并加快開關(guān)速度。由于SiC在市場上相對較新，一些工程師在尚未確定該技術(shù)可靠性水平之前，對從Si到SiC的轉(zhuǎn)換猶豫不決。但是，等待本身也會帶來風(fēng)
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光伏逆變器市場狂飆，全SiC模組會成為主流嗎？

  • 隨著清潔能源的快速增長，作為光伏系統(tǒng)心臟的太陽能逆變器儼然已經(jīng)成為能源革命浪潮中的超級賽道。高效的光伏系統(tǒng)，離不開功率器件。全I(xiàn)GBT方案、混合SiC方案和全SiC方案以其在成本、性能、空間、可靠性等方面不同的優(yōu)勢，均在市場上有廣泛應(yīng)用。但隨著SiC成本下降，全SiC方案被越來越多的廠家采用。未來10年，光伏逆變器市場狂飆目前，風(fēng)能和太陽能的總發(fā)電量已經(jīng)超過了水力發(fā)電。預(yù)計到2028年，清潔能源的比重將達(dá)到42%。中國市場增長勢頭強(qiáng)勁，已成為全球清潔能源增長的主要驅(qū)動力。光伏逆變器承載著將太陽能光伏組件產(chǎn)
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引入碳化硅技術(shù)，采埃孚在華第3家電驅(qū)動工廠開業(yè)

  • 據(jù)采埃孚官微消息，采埃孚又一電驅(qū)動工廠—采埃孚電驅(qū)動系統(tǒng)（沈陽）有限公司近日開業(yè)。作為采埃孚在華的第3家電驅(qū)動工廠，沈陽工廠將生產(chǎn)和銷售新能源汽車電驅(qū)動橋三合一總成等產(chǎn)品。據(jù)介紹，沈陽電驅(qū)動工廠的主打產(chǎn)品為新能源汽車的電驅(qū)動系統(tǒng)，涵蓋前橋及后橋總成，包含電機(jī)、控制器及減速器。其中，控制器搭載了采埃孚High 2.0 SiC技術(shù)，圍繞800伏平臺持續(xù)升級，既可以提升安全等級又可以優(yōu)化成本。截至目前，采埃孚在中國共有3家電驅(qū)動工廠。2022年9月，采埃孚電驅(qū)動技術(shù)（杭州）有限公司二期項目投產(chǎn)，主要生產(chǎn)800伏
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第10講：SiC的加工工藝（2）柵極絕緣層

  • 柵極氧化層可靠性是SiC器件應(yīng)用的一個關(guān)注點。本節(jié)介紹SiC柵極絕緣層加工工藝，重點介紹其與Si的不同之處。SiC可以通過與Si類似的熱氧化過程，在晶圓表面形成優(yōu)質(zhì)的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優(yōu)勢。在平面柵SiC MOSFET中，這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜，并已實現(xiàn)產(chǎn)品化。然而，SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異，在將熱氧化工藝應(yīng)用于SiC器件時必須考慮到這一點。首先，與Si相比，SiC的熱氧化速率低。因此，該過程需要很長時間，而且還需要高溫。在SiC的熱氧
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手搓了一個3kW碳化硅電源！實測一下！

  • 做了一個3KW碳化硅電源！(全稱：碳化硅3KW圖騰柱PFC)它能起到什么作用？具體參數(shù)是（第1章）？怎么設(shè)計出來的（第2章）？實測情況（第3章）？原理是（第4章）？開源網(wǎng)址入口（第5章）？下文一一為你解答！1.基礎(chǔ)參數(shù)雙主控設(shè)計：CW32+IVCC1102輸入：AC 110V~270V 20Amax輸出：DC 350V-430V 20Amax功率：3000W設(shè)計功率：3500W效率：98.5%能用在哪些地方？① 可以作為3KW LLC電源或者全橋可調(diào)電源的前級PFC環(huán)節(jié)；② 
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第9講：SiC的加工工藝（1）離子注入

  • 離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實現(xiàn)對n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂啤１疚暮喴榻B離子注入工藝及其注意事項。SiC的雜質(zhì)原子擴(kuò)散系數(shù)非常小，因此無法利用熱擴(kuò)散工藝制造施主和受主等摻雜原子的器件結(jié)構(gòu)（形成pn結(jié)）。因此，SiC器件的制造采用了基于離子注入工藝的摻雜技術(shù)：在SiC中進(jìn)行離子注入時，對于n型區(qū)域通常使用氮（N）或磷（P），這是容易低電阻化的施主元素，而對于p型區(qū)域則通常使用鋁（Al）作為受主元素。另外，用于Al離子注入的原料通常是固體，要穩(wěn)定地進(jìn)行高濃度的Al離子注入，需
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基本半導(dǎo)體完成股份改制，正式更名

  • 為適應(yīng)公司戰(zhàn)略發(fā)展需要，經(jīng)深圳市市場監(jiān)督管理局核準(zhǔn)，深圳基本半導(dǎo)體有限公司于2024年11月15日成功完成股份改制及工商變更登記手續(xù)，公司名稱正式變更為“深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司”。此次股份改制是基本半導(dǎo)體發(fā)展的重要里程碑，標(biāo)志著公司治理結(jié)構(gòu)、經(jīng)營機(jī)制和組織形式得到全方位重塑，將邁入全新的發(fā)展階段。從即日起，公司所有業(yè)務(wù)經(jīng)營活動將統(tǒng)一采用新名稱“深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司”。公司注冊地址變更至青銅劍科技集團(tuán)總部大樓，詳細(xì)地址為：深圳市坪山區(qū)龍?zhí)锝值览峡由鐓^(qū)光科一路6號青銅劍科技大廈1棟801。股改完成后
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全球 33 家 SiC 制造商進(jìn)展概覽

  • SiC 功率器件市場規(guī)模逐年擴(kuò)大，并將保持高速增長。
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意法半導(dǎo)體先進(jìn)的電隔離柵極驅(qū)動器STGAP3S為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護(hù)功能

  • 意法半導(dǎo)體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關(guān)柵極驅(qū)動器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護(hù)功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。STGAP3S 在柵極驅(qū)動通道與低壓控制和接口電路之間采用增強(qiáng)型電容隔離，瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)達(dá)到 200V/ns。通過采用這種的先進(jìn)的電隔離技術(shù)，STGAP3S提高了空調(diào)、工廠自動化、家電等工業(yè)電機(jī)驅(qū)動裝置的可靠性。新驅(qū)動器還適合電源和能源應(yīng)用，包括充電站、儲能系統(tǒng)、功率因數(shù)校正 (PFC)、
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碳化硅（sic）介紹

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