碳化硅（sic）文章進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區(qū)

業(yè)界首款用于SiC MOSFET柵極保護(hù)的非對(duì)稱瞬態(tài)抑制二極管系列

Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司今日宣布推出SMFA非對(duì)稱系列表面貼裝瞬態(tài)抑制二極管，這是市場(chǎng)上首款非對(duì)稱瞬態(tài)抑制解決方案，專為保護(hù)碳化硅（SiC）MOSFET柵極免受過(guò)壓事件影響而設(shè)計(jì)。與傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)速度更快、效率更高，因此越來(lái)越受到歡迎，對(duì)穩(wěn)健柵極保護(hù)的需求也越來(lái)越大。SMFA非對(duì)稱系列提供了一種創(chuàng)新的單元件解決方案，在簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)的同時(shí)顯著提高了電路的可靠性。SMFA非對(duì)稱系列是市場(chǎng)
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碳化硅6吋基板供過(guò)于求價(jià)格崩盤

碳化硅（SiC）6吋基板新產(chǎn)能大量開(kāi)出，嚴(yán)重供過(guò)于求，報(bào)價(jià)幾乎季季跳水，2024年年中每片低于500美元（約中國(guó)大陸制造成本價(jià)），第四季價(jià)格已有喊到450、400美元（9月400～600美元），甚至更低。產(chǎn)業(yè)人士指出，價(jià)格崩盤已讓絕大多數(shù)業(yè)者陷入賠錢銷售，而買家不敢輕易出手撿便宜，因?yàn)橘I方預(yù)期SiC價(jià)格還會(huì)再下降。而明日之星的8吋SiC基板，雖未到真正量產(chǎn)，但2024年報(bào)價(jià)已快速下滑，尤其是中國(guó)大陸價(jià)格直落，彷佛坐上溜滑梯，下修速度甚快。業(yè)者分析，8吋SiC基板并沒(méi)有標(biāo)準(zhǔn)價(jià)格，供應(yīng)鏈端仍屬于試產(chǎn)階段，供給
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聚焦碳化硅項(xiàng)目，鉅芯半導(dǎo)體等三方達(dá)成合作

據(jù)“融中心”消息，大連市中韓經(jīng)濟(jì)文化交流協(xié)會(huì)、韓中文化協(xié)會(huì)及安徽鉅芯半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱：鉅芯半導(dǎo)體）在安徽省池州市舉行了一場(chǎng)簽約儀式。此次簽約標(biāo)志著三方在碳化硅領(lǐng)域的合作正式開(kāi)始。據(jù)悉，三方本次合作的核心內(nèi)容圍繞碳化硅襯底、碳化硅外延片及汽車空調(diào)關(guān)鍵零部件的生產(chǎn)展開(kāi)，將共同打造高質(zhì)量的碳化硅產(chǎn)品生產(chǎn)線。據(jù)了解，今年以來(lái)，部分韓國(guó)半導(dǎo)體廠商正在持續(xù)發(fā)力碳化硅產(chǎn)業(yè)，并不斷取得新進(jìn)展。據(jù)韓媒ETnews報(bào)道，今年3月26日，半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司Power Cube Semi宣布，已在韓國(guó)首次成功開(kāi)發(fā)出2
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進(jìn)擊的中國(guó)碳化硅

中國(guó)碳化硅廠商把價(jià)格打下來(lái)了。
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全球有多少個(gè)8英寸碳化硅晶圓廠？

全球 14 家 8 英寸 SiC 晶圓廠布局。
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高功率SiC模塊助力實(shí)現(xiàn)可持續(xù)軌道交通

國(guó)際能源署（IEA）今年發(fā)布的報(bào)告稱，2023年全球與能源相關(guān)的二氧化碳排放量達(dá)到374億噸，較2022年增加4.1億噸，再創(chuàng)新的記錄。其中，交通運(yùn)輸排放增長(zhǎng)最為顯著，激增近2.4億噸，位居第一。軌道交通的溫室氣體排放約為航空出行的五分之一，對(duì)于由可再生能源發(fā)電驅(qū)動(dòng)的電氣化列車，這一比率則更低。因此，擴(kuò)建軌道交通基礎(chǔ)設(shè)施及電氣化改造是減少CO2排放和實(shí)現(xiàn)氣候目標(biāo)的關(guān)鍵。與電動(dòng)汽車不同的是，電力機(jī)車已被廣泛使用了一百多年。然而，全球范圍內(nèi)的軌道交通電氣化轉(zhuǎn)型仍然方興未艾，不同國(guó)家和地區(qū)的軌道交通電氣化率存在
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利用SiC模塊進(jìn)行電動(dòng)壓縮機(jī)設(shè)計(jì)要點(diǎn)

壓縮機(jī)是汽車空調(diào)的一部分，它通過(guò)將制冷劑壓縮成高溫高壓的氣體，再流經(jīng)冷凝器，節(jié)流閥和蒸發(fā)器換熱，實(shí)現(xiàn)車內(nèi)外的冷熱交換。傳統(tǒng)燃油車以發(fā)動(dòng)機(jī)為動(dòng)力，通過(guò)皮帶帶動(dòng)壓縮機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)。而新能源汽車脫離了發(fā)動(dòng)機(jī)，以電池為動(dòng)力，通過(guò)逆變電路驅(qū)動(dòng)無(wú)刷直流電機(jī)，從而帶動(dòng)壓縮機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)空調(diào)的冷熱交換功能。電動(dòng)壓縮機(jī)是電動(dòng)汽車熱管理的核心部件，除了可以提高車廂內(nèi)的環(huán)境舒適度（制冷，制熱）以外，對(duì)電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的溫度控制發(fā)揮著重要作用，對(duì)電池的使用壽命、充電速度和續(xù)航里程都至關(guān)重要。圖1.電動(dòng)壓縮機(jī)是電動(dòng)汽車熱管理的核心部件電動(dòng)壓縮機(jī)需
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意法半導(dǎo)體第四代碳化硅功率技術(shù)問(wèn)世！為下一代電動(dòng)汽車電驅(qū)逆變器量身定制

意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱ST）推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個(gè)方面成為新的市場(chǎng)標(biāo)桿。在滿足汽車和工業(yè)市場(chǎng)需求的同時(shí)，意法半導(dǎo)體還針對(duì)電動(dòng)汽車電驅(qū)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術(shù)。公司計(jì)劃在2027年前推出更多先進(jìn)的SiC技術(shù)創(chuàng)新成果，履行創(chuàng)新承諾。意法半導(dǎo)體模擬、功率與分立器件、MEMS和傳感器產(chǎn)品部（APMS）總裁Marco Cassis表示：“意法半導(dǎo)體承諾為市場(chǎng)提供尖端的碳化硅技術(shù)，推動(dòng)電動(dòng)汽車和高能效工業(yè)的未來(lái)發(fā)展。我們將繼續(xù)在器
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劍指8英寸碳化硅！兩大廠官宣合作

9月24日，Resonac（原昭和電工）在官網(wǎng)宣布，其與Soitec簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議，雙方將共同開(kāi)發(fā)用于功率半導(dǎo)體的8英寸碳化硅鍵合襯底。在這次共同開(kāi)發(fā)中，Resonac將向Soitec提供碳化硅單晶，Soitec將使用這些單晶制造碳化硅鍵合襯底。鍵合技術(shù)加速碳化硅8英寸轉(zhuǎn)型據(jù)悉，Soitec擁有一種獨(dú)有的SmartSiC?技術(shù)，該技術(shù)通過(guò)處理高質(zhì)量的碳化硅單晶襯底，將處理后的表面鍵合到多晶碳化硅晶圓作為支撐襯底，然后將單晶襯底分割成薄膜，從而從一個(gè)碳化硅單晶襯底生產(chǎn)出多個(gè)高質(zhì)量的碳化硅晶圓，由此顯著提
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東芝第3代SiC肖特基勢(shì)壘二極管產(chǎn)品線增添1200 V新成員，其將助力工業(yè)電源設(shè)備實(shí)現(xiàn)高效率

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）產(chǎn)品線中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產(chǎn)品，為其面向太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車充電站和開(kāi)關(guān)電源等工業(yè)設(shè)備降低功耗。東芝現(xiàn)已開(kāi)始提供該系列的十款新產(chǎn)品，其中包括采用TO-247-2L封裝的五款產(chǎn)品和采用TO-247封裝的五款產(chǎn)品。最新TRSxxx120Hxx系列為1200 V產(chǎn)品，其采用東芝第3代650 V SiC SBD的改進(jìn)型結(jié)勢(shì)壘肖特基（JBS）結(jié)構(gòu)[1]。在結(jié)勢(shì)壘中使用新型金屬，有
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美印宣布將在印度建立半導(dǎo)體工廠，生產(chǎn)氮化鎵、碳化硅等芯片

美國(guó)和印度達(dá)成協(xié)議，將共同在印度建立一家半導(dǎo)體制造廠，助力印度總理莫迪加強(qiáng)該國(guó)制造業(yè)的雄心計(jì)劃。據(jù)白宮消息人士稱，擬建的工廠將生產(chǎn)紅外、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導(dǎo)體，這是美國(guó)總統(tǒng)拜登和莫迪在特拉華州會(huì)晤后發(fā)布的。消息人士稱，該工廠的建立將得到印度半導(dǎo)體計(jì)劃（ISM），以及Bharat Semi、3rdiTech和美國(guó)太空部隊(duì)之間的戰(zhàn)略技術(shù)伙伴關(guān)系的支持。印度在亞洲的戰(zhàn)略地緣政治地位為該國(guó)及其在技術(shù)領(lǐng)域所能提供的機(jī)會(huì)提供了新的關(guān)注點(diǎn)。在過(guò)去十年中，莫迪曾多次表示，他將把印度定位為中國(guó)的替代品，并
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅

第4講：SiC的物理特性

與Si材料相比，SiC半導(dǎo)體材料在物理特性上優(yōu)勢(shì)明顯，比如擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、耐高溫、熱傳導(dǎo)性好等，使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細(xì)了解SiC材料的物理特性。SiC作為半導(dǎo)體功率器件材料，具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對(duì)比見(jiàn)表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度，可實(shí)現(xiàn)高耐壓。與另一種寬禁帶半導(dǎo)體GaN相比，物理特性相似，但在p型器件導(dǎo)通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異，4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備方面具有優(yōu)勢(shì)。此外，由
關(guān)鍵字：三菱電機(jī) SiC

第5講：SiC的晶體缺陷

SiC晶體中存在各種缺陷，對(duì)SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構(gòu)成和生長(zhǎng)機(jī)制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。在SiC晶體中存在各種缺陷，其中一些會(huì)影響器件的特性。SiC缺陷的主要類型包括微管、晶界、多型夾雜物、碳夾雜物等大型缺陷、以及堆垛層錯(cuò)（SF）、以及刃位錯(cuò)（TED）、螺旋位錯(cuò)（TSD）、基面位錯(cuò)（BPD）和這些復(fù)合體的混合位錯(cuò)。就密度而言，最近質(zhì)量相對(duì)較好的SiC晶體中，微管是1?10個(gè)/cm2，位錯(cuò)的密度約為103～10?長(zhǎng)達(dá)個(gè)/cm2。至今，與Si相
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EPC Power 攜手 Wolfspeed，以碳化硅打造可靠的模塊化電網(wǎng)級(jí)儲(chǔ)能方案

幾十年來(lái)，電網(wǎng)一直是電力生產(chǎn)單位和消費(fèi)者之間可靠的橋梁，只需輕輕一按開(kāi)關(guān)，便能暢通無(wú)阻地將電力源源不斷地輸送到千家萬(wàn)戶。然而，隨著太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源發(fā)電需求的不斷增長(zhǎng)，現(xiàn)有電網(wǎng)唯有成功應(yīng)對(duì)新的挑戰(zhàn)（包括整合儲(chǔ)能系統(tǒng)），才能確保在用電高峰期電力供應(yīng)充足。 EPC Power 作為一家提供尖端功率轉(zhuǎn)換解決方案的知名地面電站逆變器制造商，現(xiàn)已攜手 Wolfspeed 開(kāi)發(fā)解決方案，共同應(yīng)對(duì)儲(chǔ)能挑戰(zhàn)。此次強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，雙方利用碳化硅的強(qiáng)大性能，打造出業(yè)界首款地面電站組串式逆變器“M”，使并網(wǎng)儲(chǔ)能系統(tǒng)比以往任何時(shí)
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EPC Power攜手Wolfspeed，以碳化硅打造可靠的模塊化電網(wǎng)級(jí)儲(chǔ)能方案

幾十年來(lái)，電網(wǎng)一直是電力生產(chǎn)單位和消費(fèi)者之間可靠的橋梁，只需輕輕一按開(kāi)關(guān)，便能暢通無(wú)阻地將電力源源不斷地輸送到千家萬(wàn)戶。然而，隨著太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源發(fā)電需求的不斷增長(zhǎng)，現(xiàn)有電網(wǎng)唯有成功應(yīng)對(duì)新的挑戰(zhàn)（包括整合儲(chǔ)能系統(tǒng)），才能確保在用電高峰期電力供應(yīng)充足。EPC Power 作為一家提供尖端功率轉(zhuǎn)換解決方案的知名地面電站逆變器制造商，現(xiàn)已攜手 Wolfspeed 開(kāi)發(fā)解決方案，共同應(yīng)對(duì)儲(chǔ)能挑戰(zhàn)。此次強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，雙方利用碳化硅的強(qiáng)大性能，打造出業(yè)界首款地面電站組串式逆變器“M”，使并網(wǎng)儲(chǔ)能系統(tǒng)比以往任何時(shí)候
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