大、中功率MOSFET與IGBT驅(qū)動(dòng)電路方案探討

作者：時(shí)間：2012-03-17 來源：網(wǎng)絡(luò)

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  技術(shù)方案與實(shí)用技巧

　　控制脈沖由Hin、Lin輸入，與兩路輸出H0、L0同相對(duì)應(yīng)分別用于驅(qū)動(dòng)上端和下端的開關(guān)管。SD可用作保護(hù)端，當(dāng)SD為高電平時(shí)，兩路輸出同時(shí)截止。驅(qū)動(dòng)器設(shè)有欠壓保護(hù)，如圖3中VCC低于欠壓給定值時(shí)，欠壓檢測(cè)電路產(chǎn)生一關(guān)斷信號(hào)，以關(guān)閉兩路輸出。邏輯輸入端設(shè)置了施密特觸發(fā)電路，提供高的抗干擾能力和接受緩慢上升時(shí)間的輸入信號(hào)。具有高抗干擾能力的VDD/VCC電平轉(zhuǎn)換電路將邏輯信號(hào)轉(zhuǎn)換成輸出驅(qū)動(dòng)。同時(shí)，在電源地（COM）和邏輯地（VSS）之間設(shè)有±5V的額定偏移量，這樣使邏輯電路不會(huì)受到輸出驅(qū)動(dòng)開關(guān)感應(yīng)噪聲的影響。驅(qū)動(dòng)器兩通道均采用低跨導(dǎo)圖騰柱輸出，輸出峰值電流達(dá)2A以上。用IR2110構(gòu)成的全橋驅(qū)動(dòng)電路如圖4所示：

圖4　IR2110應(yīng)用于全橋電路圖
　　圖中充電二極管VD1、VD2的耐壓值必須高于總線峰值電壓，應(yīng)采用功耗較小的快恢復(fù)整流二極管。自舉電容Cb1、Cb2的選取取決于開關(guān)頻率、負(fù)載周期及開關(guān)管柵極充電需要，應(yīng)考慮如下幾點(diǎn)：
　　
　?。?）PWM開關(guān)頻率高，電容值應(yīng)選小。
　　
　　（2）對(duì)占空比調(diào)節(jié)較大的場(chǎng)合，特別是在高占空比時(shí)，電容要選小。否則，在有限的時(shí)間內(nèi)無法達(dá)到自舉電壓。

　?。?）盡量使自舉上電回路不經(jīng)大阻抗負(fù)載，否則電容得不到可靠的充電。

4　結(jié)語

　　針對(duì)不同的應(yīng)用場(chǎng)合，合理選取驅(qū)動(dòng)電路形式、正確選擇工作參數(shù)是MOSFET與IGBT安全工作的關(guān)鍵，同時(shí)也是保證整機(jī)運(yùn)行的一個(gè)重要環(huán)節(jié)。實(shí)踐證明，在中、小功率場(chǎng)合采用驅(qū)動(dòng)芯片直接驅(qū)動(dòng)、大功率場(chǎng)合采用集成驅(qū)動(dòng)器的方案切實(shí)可行，能夠滿足設(shè)備的一般驅(qū)動(dòng)要求。

參考文獻(xiàn):

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