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利用TOP Switch設(shè)計(jì)的開關(guān)電源

作者: 時(shí)間:2012-03-15 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
2.3 內(nèi)部結(jié)構(gòu)

圖2  內(nèi)部圖框


   的內(nèi)部框圖如圖2所示,它主要包括10個(gè)部分:

  控制電壓源(Vc)-—控制電壓Vc可以向并聯(lián)調(diào)整器和門驅(qū)動(dòng)級(jí)提供偏壓,而控制端電流Ic則能調(diào)節(jié)占空比。電路剛上電啟動(dòng)時(shí),高壓電流源通過開關(guān)S提供控制端電流Ic,以便給控制電路供電,并對(duì)Cr充電。當(dāng)Vc首次充電達(dá)到5.7V時(shí),S關(guān)斷,高壓直流源被斷開,PWM發(fā)生器和功率MOSFET開始工作。此后,Ic由反饋電路供電。

  帶隙基準(zhǔn)電壓源—-給內(nèi)部提供各種基準(zhǔn)電壓,同時(shí)還可產(chǎn)生一個(gè)具有溫度補(bǔ)償并可調(diào)整的電流源,來精確設(shè)定振蕩器的頻率和門驅(qū)動(dòng)電流。

  振蕩器(Oscillator)-—產(chǎn)生鋸齒波(SAW)、最大占空比信號(hào)(Dmax)和時(shí)鐘信(CLOCK)。振蕩頻率內(nèi)部已設(shè)定為100kHz,這有利于減小EMI和提高電源效率。

  并聯(lián)調(diào)整器/誤差放大器(Shunt Regulator/Error Amplifier)--并聯(lián)調(diào)整器的作用是當(dāng)加到C端的反饋電流超過所需要的電流值時(shí),就通過并聯(lián)調(diào)整器就行分流,以確保Vc=5.7V(典型值)。誤差放大器將反饋電壓與5.7V的基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較,控制輸出誤差電流Ifb,當(dāng)Ifb流過電阻Re之后,形成一個(gè)誤差電壓送到PWM調(diào)制器,從而調(diào)節(jié)PWM信號(hào)的占空比。

  脈寬調(diào)制器(PWM Comparator)—-通過改變控制端電流IC的大小,可連續(xù)調(diào)節(jié)脈沖占空比,實(shí)現(xiàn)脈寬調(diào)制。同時(shí),它正輸入端的R、C組成截止頻率為7kHz低通濾波器能慮掉開關(guān)噪聲電壓。
門極驅(qū)動(dòng)級(jí)和輸出級(jí)(Control Turn-on Gate Driver)-—用于驅(qū)動(dòng)N溝道MOSFET,使其按照內(nèi)部設(shè)定的開關(guān)頻率工作。

  過流保護(hù)電路——利用MOSFET的漏-源通態(tài)電阻Rds.on來檢測過流信號(hào)。片子內(nèi)部將Rds.on上產(chǎn)生的壓降Vds.on與一個(gè)參考電壓Vlimit作比較。當(dāng)Id過大時(shí),Vds.on也隨之上升。如果Vds.on>Vlimit,過流比較器將會(huì)翻轉(zhuǎn),進(jìn)而發(fā)出信號(hào)使MOSFET關(guān)斷,起到過流保護(hù)作用。片子在設(shè)計(jì)時(shí),還對(duì)Vlimit進(jìn)行了溫度補(bǔ)償,以消除因Rds.on隨溫度變化而引起的Vds.on的波動(dòng)。
過熱保護(hù)及上電復(fù)位電路(Thermal Shutdown Power-up Reset)-—當(dāng)片子的結(jié)溫達(dá)到135 時(shí),過熱保護(hù)電路就輸出高電平,將RS觸發(fā)器的Q端置“1”,進(jìn)而關(guān)斷輸出級(jí)。

  關(guān)斷/自動(dòng)重啟電路(Shutdown/Auto-restart)—-當(dāng)調(diào)節(jié)失效時(shí),立即使片子在5%的低占空比下工作,同時(shí)切斷從外部流入控制端的電流Ic。如果故障已經(jīng)排除,就自動(dòng)重啟動(dòng),回復(fù)到正常工作狀態(tài)。自動(dòng)重啟的頻率為1.2Hz(當(dāng)Cr為47uF時(shí))。

  高壓直流源——在啟動(dòng)或是滯后調(diào)節(jié)模式下,該電流源通過電子開關(guān)S給內(nèi)部電路提供偏置電流,并且對(duì)Cr進(jìn)行充電以啟動(dòng)電路。電源正常工作時(shí)開關(guān)S改接內(nèi)部電源,高壓直流源被旁路掉。

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