基于TOP249的切割電源引弧電路研究
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引弧質(zhì)量的高低是決定切割質(zhì)量的關(guān)鍵性因素。早期的引弧電路是通過工頻變壓器變壓，產(chǎn)生與主電路隔離的高壓，擊穿火花放電器，在工件與電極之間產(chǎn)生電壓大于3000V，頻率在150~200KHZ高頻高壓振蕩，擊穿中性氣體介質(zhì)而形成電弧[1]。工頻變壓器的體積和重量都很大，引弧電路也不易控制。采用高頻開關(guān)技術(shù)可以減小切割電源的體積和重量，但會使整機電路復(fù)雜化，而且高頻開關(guān)及引弧所產(chǎn)生的電磁干擾（EMI）很容易干擾開關(guān)電源的正常工作，尤其是脈沖電路和控制電路，影響了穩(wěn)定性。
美國動力公司PI(Power Integrations)研制的單片開關(guān)器件TOPSwitch-GX，有效地把高壓功率MOSFET器件、PWM控制、故障保護和其它控制電路集成到單片CMOS上，還集成了很多內(nèi)置的及用戶可配置的功能[2]。我們采用了TOPSwitch-GX系列中的TOP249來實現(xiàn)切割電源的高頻引弧電路，結(jié)構(gòu)簡單緊湊，控制方便，能夠有效地抑制電磁干擾，引弧高效穩(wěn)定，效果很好。
2 方案設(shè)計
我們所設(shè)計的切割電源高頻引弧電路原理如圖1所示，包括輸入整流濾波電路、開關(guān)電路、反饋電路、保護電路、倍壓整流電路以及引弧電路。電路中采用了TOP249實現(xiàn)高頻開關(guān)部分。
2.1 TOP249功能簡介
TOP249是PI公司研制的第二代單片集成開關(guān)芯片，在工作過程中利用反饋電流來調(diào)節(jié)驅(qū)動脈沖占空比，達到穩(wěn)壓目的[5]。對于Y型封裝的 TOP249芯片，共有六個管腳，分別是D、C、S、L、X、F。其中D、C、S分別為漏極、控制極和源極。
L為輸入欠壓與過壓檢測端，R5（圖1所示）為欠壓或過壓檢測電阻，并能給線路提供電壓前饋，以減少開關(guān)頻率的波動。實驗中取R5=2MΩ時，當(dāng)直流輸入電壓達到100V時，電路起動。TOP249的欠壓電流IUV=50μA，過壓電流IOV=225μA。由此可以估算出 TOP249正常工作的電壓范圍：
X為外部電流調(diào)整端。在X端與源極S之間接入不同的電阻值，則可以將開關(guān)電流限定為不同的數(shù)值。
F為開關(guān)頻率選擇端。當(dāng)F端與源極S相接時，TOP249的開關(guān)頻率為132KHz，當(dāng)F端與控制端C相接時，其開關(guān)頻率為66KHz。
此外，只要將L、X、F端同時與源極S相接，即可以作為一般的三端TOP器件使用。
2.2 反饋電路
變壓器的反饋線圈電壓整流濾波，經(jīng)過平滑濾波后向TOP249提供一個偏置電壓，當(dāng)電壓波動時，就使控制端電流得以改變，通過調(diào)節(jié)輸出占空比，使輸出電壓穩(wěn)定。C3還與R6（X端電阻）一起構(gòu)成尖峰電壓濾波器，使偏置電壓在負載較重時仍能保持穩(wěn)定。
2.3 保護電路
當(dāng)功率MOSFET由導(dǎo)通轉(zhuǎn)為截止時，在高頻變壓器初級線圈上就會產(chǎn)生感應(yīng)電壓和尖峰電壓，其中尖峰電壓是由高頻變壓器的漏感而形成的，與感應(yīng)電壓疊加后產(chǎn)生的高壓很容易損壞MOSFET。因此必須增加初級保護電路，對尖峰電壓進行鉗位或者吸收。在電路中利用瞬間變壓二極管和超快恢復(fù)二極管組成TVS、 SRD鉗位電路，能充分發(fā)揮TVS響應(yīng)速度極快、可承受高能量瞬態(tài)脈沖等優(yōu)點，具有良好的保護效果。
2.4 工作過程
電網(wǎng)交流電壓220V經(jīng)整流濾波得到約300V的直流電壓，通過TOP249的開通和關(guān)斷，在高頻變壓器T1初級得到頻率為132KHZ的高頻高壓交流，經(jīng)升壓后約為600V的高頻交流，再經(jīng)過四倍壓整流后得到幅值約2500V的直流高壓加在電極兩端，電極被擊穿從而導(dǎo)致打火。并和后級的電容、點火變壓器初級線圈形成高頻振蕩，振蕩電壓經(jīng)點火變壓器升壓，可在工件和電極之間產(chǎn)生幅值為10000V左右、頻率在150～200KHZ之間的高頻高壓，從而擊穿中性氣體介質(zhì)引燃電弧。
3 主要參數(shù)設(shè)計
3.1 變壓器原邊參數(shù)
引弧電路工作時允許交流輸入電壓范圍為85V～265V，引弧所需的功率大約為30W；根據(jù)引弧的頻率范圍，可以將TOP249的開關(guān)頻率設(shè)置為132KHz。
U =U min時，TOP249產(chǎn)生最大占空比
取MOSFET的通態(tài)漏源電壓VDS=10V，最小直流輸入電壓
可計算出Vmin為276V, 由此可得Dmax=0.33[3]
原邊平均電流（設(shè)定開關(guān)轉(zhuǎn)換效率為0.8[2]）
原邊電流峰值
脈動電流
原邊電流有效值
倍壓整流電路相關(guān)文章:倍壓整流電路原理
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