根據(jù)應(yīng)用恰當(dāng)選擇MOSFET的技巧

低輸出電容也有利于傳統(tǒng)的降壓轉(zhuǎn)換器(有時(shí)又稱為硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器)，不過原因不同。因?yàn)槊總€(gè)硬開關(guān)周期存儲在輸出電容中的能量會丟失，反之在諧振轉(zhuǎn)換器中能量反復(fù)循環(huán)。因此，低輸出電容對于同步降壓調(diào)節(jié)器的低邊開關(guān)尤其重要。

馬達(dá)控制應(yīng)用的MOSFET

馬達(dá)控制應(yīng)用是功率MOSFET大有用武之地的另一個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域，這時(shí)最重要的選擇基準(zhǔn)可能又與其它大不相同。不同于現(xiàn)代開關(guān)電源，馬達(dá)控制電路不在高頻下開關(guān)。典型的半橋式控制電路采用2個(gè)MOSFET (全橋式則采用4個(gè))，但這兩個(gè)MOSFET的關(guān)斷時(shí)間(死區(qū)時(shí)間)相等。對于這類應(yīng)用，反向恢復(fù)時(shí)間(trr) 非常重要。在控制電感式負(fù)載(比如馬達(dá)繞組)時(shí)，控制電路把橋式電路中的MOSFET切換到關(guān)斷狀態(tài)，此時(shí)橋式電路中的另一個(gè)開關(guān)經(jīng)由MOSFET中的體二極管臨時(shí)反向傳導(dǎo)電流。于是，電流重新循環(huán)，繼續(xù)為馬達(dá)供電。當(dāng)?shù)谝粋€(gè)MOSFET再次導(dǎo)通時(shí)，另一個(gè)MOSFET二極管中存儲的電荷必須被移除，通過第一個(gè)MOSFET放電，而這是一種能量的損耗，故trr 越短，這種損耗越小。

所以，若設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)需要在電源電路采用MOSFET，在評估過程開始之前，需對手中的應(yīng)用進(jìn)行仔細(xì)全面的考慮。應(yīng)根據(jù)自己的需求而非制造商吹噓的特定規(guī)格來對各項(xiàng)參數(shù)進(jìn)行優(yōu)先級劃分。

補(bǔ)充：利用IC和封裝設(shè)計(jì)獲得最小的 RDS(ON) 規(guī)格

在MOSFET的選擇過程中，評估參數(shù)的設(shè)計(jì)人員一般通過仔細(xì)分析相關(guān)規(guī)格來了解自己到底需要什么。但有時(shí)深入了解IC制造商如何提供工作特性是很有必要的。以RDS(ON)為例，你也許通常期望該規(guī)格只與器件的設(shè)計(jì)及半導(dǎo)體制造工藝有關(guān)。但實(shí)際上，封裝設(shè)計(jì)對導(dǎo)通阻抗RDS(ON) 的最小化有著巨大的影響。

封裝對RDS(ON)的作用巨大是因?yàn)樵搮?shù)主要取決于傳導(dǎo)損耗，而封裝無疑可以影響傳導(dǎo)損耗。考慮本文正文提及的飛兆半導(dǎo)體FDMS7650 和1mΩ導(dǎo)通阻抗。該器件能獲得較低RDS(ON) 值，大約一半原因可歸結(jié)于封裝設(shè)計(jì)。其封裝采用一種堅(jiān)固的銅夾技術(shù)取代常用的鋁或金鍵合引線來連接源極和引線框架。這種方案把封裝阻抗降至最小，并降低了源極電感，源極電感是開關(guān)器件產(chǎn)生振鈴的主要原因。