元器件分析：薄膜電阻器提供不滲透硫的解決方案

同樣，我們知道，浸鍍的保護(hù)性鈍化層的不重合也可能會使得硫污染的影響更為嚴(yán)重。在這種情況下，降低浸渡工藝的速度可以將這種效應(yīng)降至最低，但這樣做也會增加制造成本并降低制造產(chǎn)能。因為薄膜內(nèi)部端接不受硫污染的影響，所以這一工藝的精度并不重要。

很明顯，就其內(nèi)部端接而言，薄膜電阻器技術(shù)可以更好地抵抗硫污染。除此之外，采用薄膜技術(shù)的電阻器也具有整體穩(wěn)定性、更低的噪聲以及更低的寄生電容和電感（取決于電阻值）。圖2展示了常見的薄膜電阻器，它比厚膜片狀電阻器有顯著的改善，特別是它的電阻值較大。

圖2根據(jù)額定電阻值而變化的典型電流噪聲等級

在過去，這種電噪聲更低的改進(jìn)措施只有在高端音頻應(yīng)用中才能體現(xiàn)其重要性。但是，厚膜電阻器難以滿足目前最新的高速通信設(shè)備，例如路由器、網(wǎng)橋和DSL調(diào)制解調(diào)器等對噪聲的要求。許多因素導(dǎo)致厚膜電阻器的噪聲更大，薄膜和厚膜技術(shù)最顯著的一個差異體現(xiàn)在激光修整特性上。一旦燒制成功，厚膜材料的性狀實際上與玻璃類似。因此，隨著材料的冷卻，激光修整會在修整區(qū)域周圍形成許多細(xì)小的微裂痕。這些微裂痕是寄生電容和錯誤電流路徑的一種來源，所有這些都會固有地導(dǎo)致對高速通信信號的處理性能的下降。

為了降低激光修整對厚膜元件的影響，制造商通常會增加一層絕緣玻璃來穩(wěn)定激光修整。這一層包含微量的鉛，而且人們深知它對于保持厚膜電阻器長期可靠性的重要性；鑒于其重要性，這種絕緣玻璃層目前屬于RoHS標(biāo)準(zhǔn)的豁免項目。

但是，這種豁免今后是會繼續(xù)存在，抑或業(yè)界會要求使用一種不含鉛的激光修整穩(wěn)定的備選方法，前景尚不明朗。薄膜技術(shù)可以提供一種“更為綠色”或更為環(huán)保的電阻器，因為它不需要使用幾乎所有厚膜芯片都會用到的含鉛玻璃。

發(fā)展

薄膜技術(shù)以及厚膜技術(shù)的一項最新發(fā)展是在給定的EIA標(biāo)準(zhǔn)片狀電阻器尺寸上獲得了更高的額定功率（如表1所示）。這一重要進(jìn)步使得工程師能夠使設(shè)計小型化，而無須犧牲功率處理能力。對于增強電流設(shè)計、減小未來設(shè)計的尺寸、產(chǎn)出更小的最終產(chǎn)品或在同尺寸產(chǎn)品中提供更多功能而言，這項突破都是至關(guān)重要的。

影響薄膜技術(shù)批量應(yīng)用于片狀電阻器制造的最重要因素是它的成本。具有最差容差和TCR的薄膜片狀電阻器的常見價位要比最接近它的厚膜同類產(chǎn)品高10?100倍。為了減少這種差異，供應(yīng)商需要對薄膜材料進(jìn)行完全重新設(shè)計，以滿足高速低成本生產(chǎn)的需要。它還需要開發(fā)一種高速的內(nèi)聯(lián)式薄膜制造工藝。降低成本的最后一步是將對薄膜材料的要求從高精度級別（0.1%的容差和25×10-6/℃的TCR）放寬到商用、通用和商品級別（1%容差和100×10-6/℃的TCR）。這3項進(jìn)步可以同時應(yīng)用于價格僅為常見商品厚膜片狀電阻器的10%?20%的片狀電阻器。那可能是所有發(fā)展中最引人注目的一項。