透過USB連接器確保電源和充電組件安全性

今天，大多數(shù)電子設(shè)備都擁有USB連接器，它們透過USB實現(xiàn)數(shù)據(jù)交換和/或?qū)蓴y設(shè)備的電池充電。雖然USB這種通訊協(xié)議已經(jīng)相當普及，但當目標應用需要透過USB連接為設(shè)備供電時，仍須注意一些安全防范措施。

電氣特性和防護措施

透過USB連接的下游系統(tǒng)可透過多種類型的主機供電。

在連接個人計算機(PC)等標準USB源設(shè)備時，連接器上將包含Vbus電源端子和數(shù)據(jù)端子(D+和D-)。Vbus電壓值由USB規(guī)格明確定義：額定電壓為5V，最高可達5.25V。事實上，較長的纜線會因串連電感產(chǎn)生振鈴現(xiàn)象。這個最大振鈴紋波電壓取決于行動設(shè)備的輸入電容和寄生電感。售后非原配件往往具有較低的性能，電纜也會有較高的寄生參數(shù)，這些因素對連接的外圍設(shè)備可能造成潛在危害。

通常Vbus接腳連接至收發(fā)器的電源輸入接腳(有時會透過最大額定電壓為6V的低壓降穩(wěn)壓器進行連接)，在Vbus電源用于對鋰離子電池充電時(大多數(shù)情況下最大額定電壓為7V或10V)也可以連接至充電器的輸入接腳。

但用戶也可以連接外圍設(shè)備為內(nèi)建鋰離子電池充電(如圖1的墻配接器部份)，然后使用市場上出售的墻配接器。在這個案例中，僅有Vbus接腳和GND被連接，而D+和D-被短路。

圖1：透過外圍設(shè)備為內(nèi)建電池充電。

根據(jù)這種配接器的質(zhì)量和復雜程度，其輸出電壓可能產(chǎn)生遠遠超過制造目前小型可攜式產(chǎn)品所需感應電子組件最大額定值的輸出瞬態(tài)現(xiàn)象。

對一些交流-直流電源的基準測試顯示出不良的線路穩(wěn)壓性能，而在存在光耦反饋(開關(guān)充電器)損耗的情況下更糟糕，輸出電壓可能升高至20V。

透過在設(shè)備前面設(shè)計過壓保護(OVP)組件，突波效應和主機不盡責現(xiàn)象可以被消除。

如何設(shè)計

USB電流能力在正常模式下是100mA(未配置模式)，而在配置模式下可達500mA。為了節(jié)省功率，在沒有數(shù)據(jù)流量時USB將進入暫停模式。當組件處在暫停模式，而且又是總線供電的話，組件將不能從總線抽取超過500μA的電流。一個主機能夠發(fā)出恢復指令或遠程喚醒指令來啟動另一個待機狀態(tài)的主機。上述要點顯示OVP電路需要滿足不同指針要求，如電流能力、散熱、欠壓和過壓保護及靜態(tài)電流消耗。

當處在暫停模式時，與Vbus線路串連的OVP組件將呈現(xiàn)最低的電流消耗，并由收發(fā)器啟動序列喚醒過程(圖2)。

OVP核心(圖2)采用的是PMOS驅(qū)動器，因此電流消耗極低。為了透過PMOS旁路組件消除任何類型的寄生耦合電壓，必須在盡可能靠近OVP組件的地方安排一些小型輸入和輸出電容(圖3)。

圖2：USB組件暫停模式下的電流消耗。

在圖3的案例2中，輸出電容已被移除。這樣，當OVP組件輸入端出現(xiàn)快速輸入瞬態(tài)現(xiàn)象時，旁路組件將保持開路。這時可以在輸出端觀察到過沖，這個過沖可能會損壞連接至OVP輸出端的電子零組件。為了解決這個問題，必須在輸出接腳上連接一個輸出電容，并盡量靠近OVP組件擺放。

圖3：利用輸出電容來消除瞬態(tài)過沖。

由于源極和漏極之間存在PMOS寄生電容，在輸入脈沖期間正電壓電平將被傳遞，因而在PMOS驅(qū)動器喚醒期間維持一個比閘電位更低的電壓(電容填充)。1個1μF的陶瓷電容足以解決這個問題。見圖3中的案例1。

另一個要點是過壓閥值的定義。過壓鎖定(OVLO)和欠壓鎖定(UVLO)閥值由產(chǎn)生欠壓或過壓事件時切斷旁路組件的內(nèi)部電容所確定。OVLO電平必須高于Vbus最大工作輸出電壓(5.25V)加上比較器的滯后電壓。同樣，UVLO參數(shù)的最大值必須低于系統(tǒng)中第一個組件的最大額定電壓。通常OVLO的中心位于5.675V，能夠有效保護下游系統(tǒng)，使其承受6V的電壓，而Vusb紋波電壓可達5.25V。此前的文章(參考數(shù)據(jù)1)中提供了更詳細的數(shù)據(jù)，也提供了與墻配接器電源兼容的OVLO和UVLO參數(shù)值。

在設(shè)計OVP部份時，鑒于驅(qū)動關(guān)鍵電流的內(nèi)部MOSFET的原因，不應忽視散熱問題。大家已經(jīng)明白為什么建議這類保護使用PMOS(低電流消耗)，而且由于PFet比NFet擁有更高的導通阻抗(Rdson)，必須最佳化熱傳遞，以避免熱能損壞。根據(jù)應用所需的功率，建議采用具有裸露焊盤的封裝(如NCP360 μDFN)。

幾種不同的保護等級

正如‘電氣特性和防護措施’小節(jié)所述那樣，突波電流是造成組件電氣損壞的根源之一，需要采用OVP組件來克服這一問題。為了避免任何類型的突波行為，OVP組件中通常都包含了軟啟動順序。這個特殊順序貫穿于PFet閘的逐漸上升過程中，見圖4。

圖 4：克服突波的OVP組件的軟啟動過程。

即便出現(xiàn)Vusb或墻配接器快速輸出上升(熱插)，在組件的Vout端也觀察不到電壓尖峰，這得益于4ms的軟啟動控制。這種保護的最關(guān)鍵特性是能以最快速度檢測到任何過壓情況，然后將內(nèi)部FET開路。

OVP組件的關(guān)閉時間從突破OVLO閥值開始算到Vout接腳下降為止。NCP360盡管消耗電流極低，但具有典型值700ns/最大值1.5μs的極快關(guān)閉時間(圖5)。

圖5：NCP360具有極快的關(guān)閉時間。

為了提供更高的保護等級，這些組件中可以加入過流保護(OCP)特性。透過提供這種額外的功能模塊，充電電流或設(shè)備的負載電流不會超過內(nèi)部編程好的限定值。為了符合USB規(guī)格，而瞬態(tài)電流又可能高達550mA，因此電流極限必須高于這個值。這個功能整合在更先進的型號NCP361之中。這兩款產(chǎn)品都提供熱保護功能。

解決方案

考慮到USB廣泛應用于兩個組件之間的通訊，而且從現(xiàn)在起，還要為鋰離子電池充電，平臺制造商都會在設(shè)計中整合USB連接器。安森美半導體公司提供的NCP360和NCP361能夠同時提高電子IC和最終用戶的安全性。這些完全整合的解決方案符合USB1.0和2.0版規(guī)格，電流消耗非常低，而且具有實際市場上最快的關(guān)閉時間性能。

為了覆蓋滿足中國新充電標準的大多數(shù)應用要求，安森美半導體公司提供了多種不同的OVLO型號。其OVP或OVP+OCP版本可以提供μDFN和TSOP5兩種不同封裝，后者在解決方案成本和熱性能方面具有折衷性能。