霍尼韋爾推出新型半導體銅錳濺射靶材

　　霍尼韋爾(紐約證券交易所代碼：HON)今日宣布推出新型銅錳濺射靶材，其采用的專利技術能為半導體生產(chǎn)商帶來更高的靶材硬度、更長的使用壽命以及更卓越的性能表現(xiàn)。

　　新型靶材采用霍尼韋爾等徑角塑型(ECAE)專利技術，它是霍尼韋爾最初為鋁和鋁合金靶所研發(fā)的先進生產(chǎn)工藝。

　　“霍尼韋爾電子材料積累了近半個世紀的冶金經(jīng)驗和專業(yè)技術，”霍尼韋爾靶材業(yè)務產(chǎn)品總監(jiān)克里斯•拉皮耶特拉(ChrisLapietra)表示：“憑借這些技術的運用，我們不斷研發(fā)出能夠幫助我們客戶獲益的產(chǎn)品技術，新型ECAE銅錳合金靶就是很好的例證。”

　　采用ECAE工藝生產(chǎn)的靶材擁有超細晶粒尺寸，確保高度均勻的材料結構，更高的材質硬度，更少的雜質顆粒。普通標準靶材的晶粒尺寸一般在50至80微米之間，而新型ECAE銅錳合金靶則屬于亞微米尺寸。采用ECAE技術生產(chǎn)的超細晶粒尺寸能夠有效避免半導體生產(chǎn)商在采用普通帶背板設計靶材時會碰到的濺射電壓突然降低問題;該問題將造成尖端放電，形成雜質粒子，影響晶圓質量，最終導致晶圓報廢和替換新的靶材，從而引起不必要的高額成本。

　　增強的硬度允許靶材能夠采用一塊金屬進行一體化設計，從而使靶材使用壽命延長了一倍，從原先的1800千瓦小時提升至3600千瓦小時。延長的使用壽命意味著生產(chǎn)商可以降低靶材的需求量，節(jié)省靶材更換以及機臺維護所需的時間和精力，所有這一切都有助于幫助半導體生產(chǎn)商降低整體生產(chǎn)成本。