解決智能手機EMI干擾問題
在靜電放電防護方面,該系列產(chǎn)品中的瞬態(tài)電壓抑制器具有極低的鉗位電壓(Vclamp)。當靜電放電事件發(fā)生時,瞬態(tài)電壓抑制器的鉗位電壓越低,則越能適時導通可觀的靜電放電電流,以避免受保護電路遭到靜電放電侵害而造成永久受損失效。圖2所示即為利用傳輸線脈沖產(chǎn)生系統(tǒng)(TLP系統(tǒng))測量到的鉗位電壓比較圖表。在圖表中可以清楚看到,晶焱科技所開發(fā)的電磁干擾濾波器在17A的大靜電放電電流下,其鉗位電壓遠低于相似產(chǎn)品,因此可以非常有效地為受保護電路提供一個快速有效的靜電放電旁路。
抗靜電防護效果高達15kV以上(IEC 61000-4-2 ±15kV接觸放電模式)。根據(jù)IEC 61000-4-2標準制定的規(guī)格,第四級防護至少需要提供8kV接觸放電模式和15kV空氣放電模式的靜電放電防護能力。該系列產(chǎn)品提供了15kV以上接觸放電模式的靜電放電防護能力,明顯超出了IEC 61000-4-2標準中第四級所規(guī)定的需求數(shù)值。
由于智能手機需要依靠電池來提供所需電能,所以在器件正常使用時漏電流越大,則電池供電的時間就將越短。圖3所示為晶焱科技推出的電磁干擾濾波器新產(chǎn)品和相似產(chǎn)品的漏電流比較圖。由圖中兩條曲線的比較可知,晶焱科技的電磁干擾濾波器新產(chǎn)品,其漏電流比相似產(chǎn)品更小,因此可以增加智能手機電池的可持續(xù)使用時長。
在封裝方面,晶焱科技的電磁干擾濾波器產(chǎn)品在雙排扁平無引腳(DFN)封裝形式方面采用了0.4mm或0.5mm的引腳間距,在CSP形式方面則采用了0.4mm的引腳間距。因此,在進行系統(tǒng)設計時,可以有效縮減電磁干擾濾波器所需占用的電路板面積,而方便其它電路元器件的放置和設計。
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