釋放MEMS機(jī)械結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)

SVR-vHF氧化物釋放模塊結(jié)合現(xiàn)有的memsstar SVR-Xe 犧牲性汽相釋放模塊，利用無(wú)水氫氟蒸汽(aHF)來(lái)去除犧牲氧化物，從而釋放MEMS機(jī)械結(jié)構(gòu)。SVR蝕刻方法可以完全地去除犧牲材料而不損害機(jī)械結(jié)構(gòu)或?qū)е吗じ?，它同時(shí)提供了高度的可選擇性、可重復(fù)性和均勻性。SVR保留有干燥的表面，沒(méi)有任何殘留物或水汽，這也省去了包含在濕法工藝中的表面準(zhǔn)備、引入酸、中和以及隨后的干燥等步驟。

SVR與CMOS工藝和CMOS晶圓設(shè)施是兼容的，這使得MEMS器件可以像傳統(tǒng)的集成電路一樣在相同的設(shè)施和基板上進(jìn)行生產(chǎn)，這也將適用于新類(lèi)型的單片MEMS/CMOS 器件。SVR進(jìn)一步的好處包括減少材料的使用和更低的浪費(fèi)。