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Synopsys全新已流片DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP將面積縮小高達(dá)50%

—— 采用14/16nm FinFET和28nm工藝的小片芯占用面積PHY降低了消費(fèi)類、移動(dòng)、存儲(chǔ)及網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的硅成本
作者: 時(shí)間:2014-05-07 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  為加速芯片和電子系統(tǒng)創(chuàng)新而提供軟件、知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)及服務(wù)的全球性領(lǐng)先供應(yīng)商新思科技公司(, Inc.,納斯達(dá)克股票市場代碼:SNPS)于2014年4月29日宣布:通過推出全新的DesignWare®USB femtoPHY系列IP,已將的實(shí)現(xiàn)面積縮小多達(dá)50%;從而可在28nm和14/16nmFinFET工藝節(jié)點(diǎn)上,將設(shè)計(jì)的片芯占用面積和成本降至最低。采用28nm和14nm FinFET硅工藝的DesignWare USB femtoPHY已展示出穩(wěn)固的性能,使設(shè)計(jì)師能夠在先進(jìn)工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)該IP,同時(shí)降低系統(tǒng)級(jí)芯片()設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)。DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY專為極小面積而優(yōu)化,滿足了諸如智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)設(shè)備,以及諸如數(shù)字電視、存儲(chǔ)等網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用等大批量消費(fèi)應(yīng)用的嚴(yán)苛要求。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/246493.htm

  DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP(DWC SS USB femtoPHY Samsung 14nm FinFET和DWC HS USB femtoPHY Samsung 14nm FinFET)已經(jīng)在第三方實(shí)驗(yàn)室中通過了USB-IF一致性測試。DesignWare USB femtoPHY達(dá)到或超過了USB-IF標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范,包括5V耐壓和3.3V信令體制,提供了有利于系統(tǒng)配置運(yùn)行全部規(guī)格定義功能的強(qiáng)大性能。DesignWare USB femtoPHY支持所有的USB應(yīng)用模式,為系統(tǒng)設(shè)計(jì)師提供了一系列多樣化的設(shè)計(jì)選項(xiàng)。DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY兩個(gè)產(chǎn)品都支持Hi-Speed高速、Full-Speed全速和Low-Speed低速運(yùn)行,以及作為主控、設(shè)備和OTG等不同配置,同時(shí)DesignWare USB 3.0 femtoPHY還支持超高速USB運(yùn)行(USB 3.0)。

  “基于我們長期成功使用DesignWare USB IP的經(jīng)驗(yàn),我們實(shí)現(xiàn)了帶有高品質(zhì)DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP芯片的一次流片成功,”三星電子晶圓代工市場營銷副總裁Shawn Han博士表示:“在三星晶圓代工廠中制造的帶有DesignWare USB femtoPHY IP的芯片,是首款采用14 nm FinFET工藝的、通過了USB-IF認(rèn)證的芯片。通過集成一個(gè)面積顯著縮小的PHY,提高了我們客戶系統(tǒng)級(jí)芯片的競爭力,并且簡化了添加USB連接的過程。的DesignWare femtoPHY夠滿足大批量移動(dòng)和消費(fèi)類應(yīng)用的成本、功耗、性能和上市時(shí)間的需求,它們對(duì)于我們?cè)谶@些快速發(fā)展的市場中獲得成功至關(guān)重要。”

  開發(fā)的USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP使設(shè)計(jì)師能夠?yàn)槠鋺?yīng)用選擇最佳實(shí)現(xiàn)方式,而不犧牲USB一致性認(rèn)證所要求的功能或性能。需要高性能的設(shè)計(jì)可以使用USB 3.0 femtoPHY符合SuperSpeed USB(USB 3.0)規(guī)范的5.0 Gbps數(shù)據(jù)傳輸速率。需要較低性能的應(yīng)用可以使用USB 2.0 femtoPHY符合Hi-Speed USB(USB 2.0)規(guī)范的480MHz傳輸速率。兩種DesignWare USB femtoPHY都能夠?qū)?a class="contentlabel" href="http://m.butianyuan.cn/news/listbylabel/label/SoC">SoC外部所需的引腳數(shù)量降至最低,以進(jìn)一步縮減SoC的面積和成本。當(dāng)PHY閑置時(shí),關(guān)閉電源這一功能可將電池耗電量降至最低,同時(shí)保持所有的PHY狀態(tài),以確??焖?、精確的上電后功能。此外,DesignWare USB femtoPHY支持廣為使用的v1.2USB電池充電規(guī)范和USB On-The-Go (OTG) v2.0協(xié)議。

  “18多年來,作為USB-IF的一名活躍成員,Synopsys一直不斷地開發(fā)相關(guān)IP產(chǎn)品,簡化了USB 3.0和USB 2.0接口的集成和應(yīng)用,”USB應(yīng)用者論壇總裁兼首席運(yùn)營官Jeff Ravencraft表示道:“獲得USB-IF認(rèn)證表明一款產(chǎn)品符合USB-IF的互操作性標(biāo)準(zhǔn),并且符合相應(yīng)的USB規(guī)范。Synopsys提供的全新的、面積更小的DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY,使制造商能夠?qū)⒃摷夹g(shù)引入其SoC中。”

  “SoC設(shè)計(jì)師已經(jīng)依靠Synopsys 在3,000多款設(shè)計(jì)和100多種工藝技術(shù)中實(shí)現(xiàn)了USB接口,使我們十多年來一直領(lǐng)跑USB IP供應(yīng),”Synopsys IP與原型設(shè)計(jì)市場營銷副總裁John Koeter表示:“我們能夠?yàn)橄冗M(jìn)工藝技術(shù)提供高質(zhì)量IP這樣的專業(yè)技術(shù)和成功記錄,使設(shè)計(jì)師可集成能夠可靠地滿足其嚴(yán)格應(yīng)用需求的IP。隨著DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP的面市,以及在FinFET工藝中成功流片,我們將能夠幫助我們的客戶滿足業(yè)界對(duì)更小的、高性價(jià)比的、高性能的SoC需求。”

  亮點(diǎn):

  · DesignWare USB 2.0 femtoPHY IP的面積小于0.2平方毫米,DesignWare USB 3.0 femtoPHY的面積小于0.5平方毫米,使設(shè)計(jì)師能夠節(jié)省面積并降低整體硅成本

  · DesignWare USB 3.0 femtoPHY完全支持USB 2.0,與全球數(shù)十億部設(shè)備兼容

  · 具有關(guān)閉電源后保留數(shù)據(jù)的功能,在確保數(shù)據(jù)被保存的同時(shí)延長電池壽命;支持USB 電池充電v1.2版規(guī)范(USB Battery Charging v1.2),以確保便攜式設(shè)備的高效充電

  · DesignWare USB femtoPHY采用減少引腳數(shù)量的設(shè)計(jì),從而將SoC的外部面積和寬度降至最低

  · 帶有DesignWare USB femtoPHY的28nm和14nm FinFET工藝的消費(fèi)類芯片已成功流片



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