超越GTX285！鍍銀iGame GTX275詳細(xì)拆解

Computex大會(huì)之前，iGame GTX275曾經(jīng)流出少量秘照，0.7ns的全球最強(qiáng)規(guī)格吸引了眾多用戶(hù)的關(guān)注，同時(shí)其也延續(xù)了iGame的鍍銀PCB等特色，無(wú)數(shù)玩家在論壇都非常期待該卡的實(shí)物。近日，筆者手頭終于收到這款傳說(shuō)中的神卡，下面就隨筆者一起詳細(xì)拆解。

一、iGame GTX275外觀篇

從外形上來(lái)看，iGame GTX275顯卡延續(xù)了260+的設(shè)計(jì)風(fēng)格，依然是自主研發(fā)的散熱器，同時(shí)科技感更強(qiáng)的貼紙使其更顯高檔。

背面依然采用了固定背板設(shè)計(jì)，可以防止PCB的變形，這當(dāng)然是由于這款顯卡的重量超重，光純銅散熱器的重量就已超過(guò)600g，而整個(gè)顯卡的重量更是達(dá)到了驚人的1210g，是目前市面上最重的顯卡，這也可以看出該卡做工非常扎實(shí)，用料很猛。

iGame GTX275和260+一樣采用了ICS雙流散熱系統(tǒng)，純銅散熱片和熱管可以提供非常出色的散熱，從多家媒體和論壇里玩家的測(cè)試可以看到，該散熱器的效果是非常不錯(cuò)的。從上圖可以看到散熱器、純銅散熱片、PCB和背板的清晰格局。

對(duì)于iGame GTX275來(lái)說(shuō)，散熱系統(tǒng)相對(duì)于老版的GTX260+進(jìn)行了改革，不僅從8020 BLOWER FAN升級(jí)為8025 BLOWER FAN。同時(shí)將風(fēng)扇的高度和扇葉的高度同時(shí)提高，風(fēng)扇的高度從原來(lái)的20mm提升到25mm，扇葉的高度從原來(lái)的16mm提升到21mm，這主要是為了提供更大的風(fēng)量。此外，葉片數(shù)量也從21片增加到47片。另外，扇葉上還加裝了蓋盤(pán)，主要用來(lái)增加扇葉的強(qiáng)度和減少葉片與機(jī)殼間的氣體泄漏。

二、iGame GTX275內(nèi)部篇

iGame 275的裸卡照片可以看到其在做工、用料和工藝上都非常奢華，而且延續(xù)了260+的SPT超量鍍銀工藝，可提升超頻過(guò)程中的穩(wěn)定性以及具有加強(qiáng)散熱的效果。

背面PCB板上同樣不含糊，做工和用料讓人感覺(jué)非常塌實(shí)，不愧為最強(qiáng)GTX275稱(chēng)號(hào)。另外，可以在背面看到IPU芯片，IPU增效芯片從顯卡的外部控制和內(nèi)部控制兩方面來(lái)加強(qiáng)提升顯卡性能。通過(guò)IPU增效芯片，可實(shí)現(xiàn)一鍵加壓超頻、控制6+1項(xiàng)供電、雙BIOS開(kāi)關(guān)和燈光偵錯(cuò)(L.A.D)等功能，從而為玩家挖掘顯卡的強(qiáng)大性能提供強(qiáng)大的保證。IPU芯片同時(shí)還增加了三重保護(hù)功能，并且有效降低了降低“趨膚效應(yīng)”和“波紋噪音”。

供電電路依然采用了6+1相供電，而且與260+一樣采用了Poscab高分子聚合物電容和R125封閉式電感，其中每相由Poscab高分子聚合物電容、R125封閉式電感和一進(jìn)兩出的三個(gè)MOSFET管構(gòu)成。

顯存方面，iGame GTX275采用了現(xiàn)代的0.7ns DDR3高速顯存，編號(hào)為H5RS5223CFR N31-911A，而非iGame 260+采用的三星0.8ns顯存。很顯然，0.7ns的顯存速度更快，頻率可以達(dá)到更高的水平，超頻更具吸引力。

在核心的左邊可以看到一顆標(biāo)配的NVIO2控制芯片，它是統(tǒng)籌GT200的信號(hào)輸出，這款芯片內(nèi)置2個(gè)400MHz的RAMDAC、兩個(gè)Dual Link規(guī)格的TDMS和HDCP，支持顯卡輸出10bit色彩。另外可以看到，封裝型DVI輸出接口，可有效降低EMI電磁干擾，最大限度提升顯卡輸出畫(huà)質(zhì)。

三、iGame GTX275接口篇

接口方面，依然采用了雙DVI+HDMI的接口設(shè)計(jì)，可以滿(mǎn)足大多用戶(hù)的需求。同時(shí)在PCI檔板上也可以看到iGame的獨(dú)家特色一鍵超頻按鍵。

SLI接口對(duì)于GTX275這樣的顯卡而言，自然不可獲缺，而且由于采用了自主研發(fā)的散熱器，可以直接使用橋接線進(jìn)行SLI搭建，而類(lèi)似于市面上其他三風(fēng)扇版本的顯卡來(lái)說(shuō)，搭建SLI是非常困難的，需要額外購(gòu)買(mǎi)SLI軟橋接線。從這點(diǎn)可以看出，iGame顯卡在設(shè)計(jì)之初就已經(jīng)為玩家考慮到SLI的需求。

電源接口方面，則需要2個(gè)6Pin供電接口設(shè)計(jì)。

四、彪悍!性能超越GTX285

功能上，為了滿(mǎn)足高端玩家的需求，這款非公版GTX275顯卡依然采用了SPT超量鍍銀工藝、ICS雙流散熱系統(tǒng)、IPU增效芯片、雙BIOS設(shè)計(jì)、6+1相供電、三重保護(hù)等功能。

頻率方面，由于采用了一鍵超頻功能，NORMAL的頻率為633/1404/2268MHz(核心/SHADER/顯存)，TURBO模式下頻率為660/1476/2500MHz(核心/SHADER/顯存)。

隨后，我們利用3DMark Vantange進(jìn)行性能簡(jiǎn)測(cè)，iGame GTX275在Turbo頻率下P模式得分為14567，而GTX285公版得分只有14520分，輕松超越GTX285，成為NVIDIA目前最強(qiáng)單卡。

總結(jié)

Computex2009過(guò)后，iGame GTX275終于實(shí)物曝光，從詳細(xì)拆解圖不難看到iGame顯卡的做工越來(lái)越出色，而且從性能測(cè)試也可以看到性能已經(jīng)超越GTX285顯卡，如果玩家自己動(dòng)手進(jìn)行超頻的話，相信風(fēng)冷狀態(tài)下也能充分挖掘0.7ns顯存的潛力，相信等這款顯卡上市之后，勢(shì)必又會(huì)掀起一陣iGame定制顯卡熱潮。