淺談反激式LED驅動中的PFC原理
作為一種固態(tài)光源,發(fā)光二級管(LED)具備使用壽命長、功效出色以及環(huán)保特性,因此得到了廣泛應用。目前,LED正在取代現有的照明光源,如白熾燈、熒光燈和HID燈等。若要點亮LED,需要用恒定電流進行操作,而且必須具有高功率因數。除了適用于固態(tài)照明的最新EnergyStar指令要求功率超過3 W的照明光源具有大于0.9的功率因數,鎮(zhèn)流器輸入線路電流諧波還需要滿足IEC61000-3-2 C類規(guī)范的要求。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/248341.htm為了達到這些LED照明應用要求,通常會在低功率(<25 W) LED照明應用中使用一個集成PFC的單級反激式轉換器。此外,在各種反激式拓撲電路中,初級端調節(jié)(PSR)反激式電路是最為經濟高效的解決方案。通過使用具有初級端調節(jié)(PSR)的單級拓撲,LED照明電路板無需輸入電解電容和反饋電路,可用極少的外部元件來完成,從而將成本降至最低。圖1所示為單級PSR反激式LED驅動器電路。
![](http://editerupload.eepw.com.cn/201406/a78ce6842070ed8a743e4673fceee729.jpg)
圖1:具有高功率因數的單級PSR反激式LED驅動器
對于初級端調節(jié),通常優(yōu)先使用非連續(xù)導通工作模式(DCM),因為它能提供極為精確的輸出調節(jié)。為了實現高功率因數和低總諧波失真(THD),通常會在開關頻率固定的DCM反激式轉換器中采用恒定導通時間控制。圖2所示為初級端開關電流、次級端二極管電流和MOSFET開關柵極信號的典型理論波形。
![](http://editerupload.eepw.com.cn/201406/cf3db82b6f9a54a9b9300262e6adb18b.jpg)
圖2:DCM反激式PFC轉換器的時序和輸入電流
在導通時間恒定的條件下,平均輸入電流如下式所示:
![f1.jpg](http://editerupload.eepw.com.cn/201406/dbf46df35fc5b353372731661502fbb5.jpg)
此處,D為轉換器的開關占空比,為反激變壓器的初級繞組電感。上式表明輸入電流波形始終跟隨輸入電壓。因此,轉換器實現單位功率因數。
然后,可通過下式計算RMS輸入電流:
![](http://editerupload.eepw.com.cn/201406/3ef39e9426ef215e4aee707bec47c822.jpg)
為輸入交流電壓達到最大值時MOSFET的關斷瞬態(tài)電感電流。
為了保持DCM工作模式,最大占空比D必須滿足:
![](http://editerupload.eepw.com.cn/201406/5598cb70cfaf7574c72ab9a3bc34bfe7.jpg)
為次級二極管導通時變壓器初級端的反射電壓。
為了確保反激式轉換器在DCM模式下以單位功率因數工作并具備低THD性能,通常使用匝數比相對較小的變壓器。這類反激式變壓器會導致較小的開關占空比,使流過MOSFET開關和變壓器的峰值以及RMS電流變大,從而造成更多功耗損失。由于峰值開關電流較高,因此需要用到相對較大的EMI濾波器。
具有臨界導通工作模式(BCM)的反激式轉換器具有零電壓導通特性,可最大程度降低開關損耗,因此常用作單級PFC轉換器。與DCM工作模式不同,BCM反激式方法由恒定導通時間和可變開關頻率控制。用于PFC的BCM反激式方法適用于需要相對較高PF但總體諧波失真(THD)并不低于10%的很多應用。下面的圖3顯示了其初級端開關電流、次級端二極管電流和MOSFET柵極開關信號的理論波形。
![](http://editerupload.eepw.com.cn/201406/c6396c927af890bedf3edebd9a9c4618.jpg)
圖3: BCM反激式PFC轉換器的時序和輸入電流
平均輸入電流表述如下:
![](http://editerupload.eepw.com.cn/201406/09713db81d7096618f0cb4ab264a1c57.jpg)
很遺憾,上文輸入電流等式中的分母使得電流波形呈現出明顯的非正弦形態(tài),除非比率 非常小。下面的圖4顯示了BCM反激式拓撲的輸入電流波形,其中RVR為參數。對輸入電流波形的諧波分析表明,若RVR為2,則很難獲得低于10%的THD。
![](http://editerupload.eepw.com.cn/201406/9f828000ae3a4b1499e0ffc359c14d52.jpg)
圖4: 以RVR作為參數的BCM反激式拓撲輸入電流波形
在開關的關斷期間,開關上的最大電壓等于峰值輸入電壓加上反射電壓VR。因此,由于MOSFET開關的額定電壓限制,RVR的可能值范圍僅為1(美國標準輸入電壓)和2至3(歐洲標準輸入電壓)。對于采用通用輸入電壓的照明應用而言,為了達到相對較低的THD,必須使用800 V甚至1000 V MOSFET,以使RVR比率盡可能低。它的開關頻率也有可能變得非常高,尤其是在高輸入交流電壓的LED調光應用中。
仔細回顧上述表達式可得出以下結論:
1. 無需作為參考用于MOSFET峰值漏極電流的輸入電壓。如果導通時間在半周期間是恒定的,則峰值漏極電流將會隨著輸入電壓的變化而變化。
2. 輸入電流波形不理想的主要原因是可變頻率,更確切地說是可變占空比。在漏極電流波形相同的情況下,如果占空比在半周期間保持恒定,則輸入電流將會是正弦曲線。
評論