W波段功率分配器及應(yīng)用

　　1 引言

　　現(xiàn)代的毫米波系統(tǒng)中，對(duì)固態(tài)電路的輸出功率要求越來越高，提高輸出功率的基本技術(shù)就是功率合成，即通過組合若干個(gè)相干工作單元,或者通過疊加多個(gè)分離電路功率的方法，獲取更大的輸出功率。目前,毫米波功率合成技術(shù)大致可以劃分為4類：芯片級(jí)合成、電路合成、空間合成、以及多級(jí)合成的方法。

　　功率分配器是功率合成電路的重要組成部分，它的作用是將輸入功率分成相等或不相等的幾路功率輸出的一種多端口微波網(wǎng)絡(luò)。在微波系統(tǒng)中, 需要將發(fā)射功率按一定的比例分配到各發(fā)射單元, 如相控陣?yán)走_(dá)等, 因此功分器在微波系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用。它的性能好壞直接影響到整個(gè)系統(tǒng)能量的分配、合成效率。

　　基于毫米波固態(tài)功率合成技術(shù)研究,本文首先提出了一種新型W頻段低損耗3dB微帶集成電橋,并對(duì)以此電橋?yàn)榛緲?gòu)架的毫米波功率合成網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行了相關(guān)討論。

　　圖1 3dB電橋功率分配-合成基本單元

　　2 3dB電橋選取

　　目前，毫米波集成電路中廣泛采用的電橋主要包括：分支線電橋、環(huán)形電橋( rat-race hybrid)、Wilkinson電橋、Lange電橋等。分支線電橋只能用于低頻率情況,當(dāng)微帶線寬和工作波長處于同一數(shù)量級(jí)時(shí),其性能會(huì)很差。 Lange電橋是通過耦合的方法來進(jìn)行功率分配,適合進(jìn)行功率不等分分配，當(dāng)要獲得某些特定的耦合度時(shí),耦合微帶間的間隔非常的小,要求較高的制作加工精度。

　　這些電橋構(gòu)成的無耗互易三端口網(wǎng)絡(luò)不可能達(dá)到完全匹配, 且輸出端口間無隔離，需要在隔離口匹配接地連接,這對(duì)微帶等平面電路工藝來說極不方便。相對(duì)于其他3種電橋,Wilkinson電橋電路結(jié)構(gòu)更簡(jiǎn)單(圖2),當(dāng)輸出端口都匹配時(shí),它仍具有無耗的有用特性,它只是耗散了反射功率，從而改善了普通功分器的不足，且可方便地用微帶線或帶狀線來實(shí)現(xiàn)，傳輸信號(hào)在幅度和相位上平衡主要依靠電路結(jié)構(gòu)固有的對(duì)稱性來滿足,因而帶寬較寬,較容易滿足功率合成時(shí)信號(hào)平衡度的要求。

　　因此以Wilkinson電橋?yàn)榛竞铣蓡卧亩嗉?jí)功率合成、分配網(wǎng)絡(luò),具有結(jié)構(gòu)緊湊、平衡性好、帶寬寬、集成度高的優(yōu)良性能,廣泛應(yīng)用于功率MMIC中,以提高單器件的輸出功率。

　　圖2 傳統(tǒng)Wilkinson電橋

　　但是對(duì)于傳統(tǒng)的Wilkinson電橋，需要引入隔離電阻,作為有耗網(wǎng)絡(luò),其構(gòu)成的分配-合成電路損耗相對(duì)較大,合成效率相對(duì)不高，于是嘗試去掉隔離電阻。分析如下：Wilkinson電橋具有對(duì)稱結(jié)構(gòu),通過電橋分路的信號(hào)無論在幅度還是相位上,總是平衡的,這樣電橋的隔離電阻兩端電壓總是相等而并無電流流過,于是,去掉Wilkinson電橋的隔離電阻后,并不會(huì)影響功率分配-合成網(wǎng)絡(luò)的性能。

　　基于以上分析,我們要設(shè)計(jì)的3dB電橋可以看作傳統(tǒng)Wilkinson電橋去掉隔離電阻后,經(jīng)優(yōu)化設(shè)計(jì)的結(jié)果。由于電路中無阻性元件,可忽略微帶傳輸線的損耗。

　　3 W頻段3dB電橋設(shè)計(jì)及其應(yīng)用

　　如圖2，設(shè)計(jì)目標(biāo)為port1反射最小, port2與port3對(duì)稱。選用Rogers公司RT Duroid5880基片,厚度0.127mm,介電常數(shù)相對(duì)較小(εr=2.2),對(duì)相同阻抗的傳輸線,金屬導(dǎo)帶更寬,傳輸線金屬損耗越低;同時(shí),在保持端口阻抗為50歐姆不變的前提下,盡量加寬金屬導(dǎo)帶的寬度,對(duì)本電路來說,主要是加寬與Wilkinson電橋70.7歐姆線相對(duì)應(yīng)的那部分微帶傳輸線的寬度。應(yīng)用HFSS工具對(duì)整個(gè)3dB電橋進(jìn)行電磁場(chǎng)仿真模擬,通過合理改變電路尺寸以消除不連續(xù)性對(duì)電路性能的影響,從而得到優(yōu)化的結(jié)果。電路結(jié)構(gòu)與仿真結(jié)果如圖4。

　　再設(shè)計(jì)波導(dǎo)-微帶過渡，采用E-面探針結(jié)構(gòu)，電路結(jié)構(gòu)與仿真結(jié)果如圖5，利用此過渡可與此前的電橋可組成背靠背功率分配與合成網(wǎng)絡(luò)。

　　在以上設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上,我們可以設(shè)計(jì)兩路功率放大合成電路。將設(shè)計(jì)的電橋與過渡應(yīng)用于圖1所示的網(wǎng)絡(luò)，為使兩放大支路上器件與微帶線連接處等不連續(xù)性引起的反射回波在3dB電橋處反相抵消,以進(jìn)一步提高整個(gè)網(wǎng)絡(luò)端口駐波性能,放大芯片的安裝位置相互錯(cuò)開90°。

　　由前述分析,單個(gè)3dB三口網(wǎng)絡(luò)與的損耗約為0.2dB,再加上波導(dǎo)-微帶轉(zhuǎn)換的損耗約為0.1dB,合成時(shí),電路損耗約為0.35dB(由于電路尺寸很小，可忽略傳輸線損耗)。當(dāng)然,實(shí)際應(yīng)用中還要按產(chǎn)品手冊(cè)給出的芯片飽和輸出功率來計(jì)算合成效率,還要考慮微帶鍵合等電路加工、安裝因素的影響;對(duì)毫米波功率合成電路來說,電路的加工工藝是引起合成效率降低的一個(gè)重要因素。同時(shí),合成信號(hào)不平衡程度也會(huì)引起功率合成效率降低?？梢灶A(yù)計(jì),進(jìn)一步提高加工工藝，選用同批次放大芯片以提高合成的兩路信號(hào)的平衡度,采用此種電橋進(jìn)行毫米波固態(tài)功率放大合成,可以達(dá)到很好的效果。

　　4 結(jié)論

　　毫米波集成電路技術(shù)實(shí)現(xiàn)功率合成,基本合成單元是兩路電橋合成,關(guān)鍵技術(shù)是制作出低損耗3dB合成電橋。本文描述的W波段3dB電橋,由于工作頻率很高，所以尺寸很小，對(duì)加工精度要求很高，但其相應(yīng)功率合成網(wǎng)絡(luò)具有低損耗、低成本等優(yōu)點(diǎn),具有一定實(shí)用價(jià)值，可以進(jìn)一步加工實(shí)物進(jìn)行驗(yàn)證。