40Gb/s WD-PIN-PD/TIA 組件的光電特性及其測試
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3.3 光響應度
衡量40Gb/s WD-PIN-PD的另一重要指標是光響應度(Re)，它是所產生的光生電流與入射光功率的比值。光響應度不僅與吸收層材料的吸收率、吸收長度、內量子效率、入射面反射率等有關，還與PN結離表面的距離和光纖耦合效率等緊密相關。對40Gb/s WD-PIN-PD僅有0.5×6μm2的進光面來說，光纖耦合效率及光纖定位是最關鍵的問題。
我們設計并制作了一種楔形光纖，采用一種特定墊片和特定固化膠，使40Gb/s WD-PIN-PD在200μW光功率下，光生電流達95-120μA。
3.4 40Gb/s PIN-PD-TIA組件光接收靈敏度
通過共面波導，把40Gb/s WD-PIN-PD和40Gb/s TIA精細組裝起來，40Gb/s PIN-PD-TIA組件便制作完成了。經初步測試，該組件的光接收靈敏度可達-7dBm。
4.光電特性測試
我們通過湖北省電子產品質量檢驗監(jiān)督所和中科院微電子所（測試S21），測量了40Gb/s SDH光纖通信設備用PIN-TIA組件，其檢測結果如表1所示。
表1 40Gb/s SDH光纖通信設備用PIN-TIA組件檢測結果
圖5 40Gb/s WG-PIN-PD的暗電流、響應度實測裝置
通過近2年不懈的努力，我們設計并制作出了具有自己知識產權40Gb/s CE側面進光的波導型光探測器。初步測試表明，該光探測器在-3.3V下暗電流一般可小于15nA，光響應度可大于0.45A/W，-3dB下模擬電帶寬可達32GHz。
作者單位：武漢電信器件有限公司
謝辭 在40Gb/s WD-PIN-PD研制工作中，羅飆、周鵬、王進、汪飛參加了工藝制作，張學軍、雷誠進行了管芯安裝、光耦合和測試，在此表示衷心的感謝。
參考文獻
John E. Bowers and Charles A .Burrus, Ultrawide-Band Long-Wavelength P-I-N Photodetectors, J. of Lightwave Technology, vol. LT-5,No. 10, pp.1339-1350, October 1987.
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