LED 芯片封裝缺陷檢測方法及機理研究
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3結論
針對引腳式LED芯片封裝過程中存在的封裝缺陷問題，基于p-n結的光生伏特效應，利用電子隧穿效應分析了一種封裝缺陷對LED性能的影響。理論分析表明，當LED芯片電極表面存在非金屬膜層時，流過LED支架回路的光電流小于光生電流，隨著膜層厚度的增加，回路光電流逐漸減小，其檢測信號減小。通過非接觸法檢測待測LED光激勵信號并與焊接合格的LED光激勵信號進行比較，實現(xiàn)對引腳式封裝LED芯片在壓焊工序中／后的功能狀態(tài)及封裝缺陷的檢測。分析了影響檢測精度的因素。用焊接合格與芯片電極表面存在非金屬膜的12mil黃LED樣品進行實驗，結果表明，該方法可以檢測LED支架回路微安量級光生電流信號，并具有較高的信噪比，檢測結果能實現(xiàn)對焊接質(zhì)量合格與芯片失效或存在封裝缺陷的LED的區(qū)分，達到對LED芯片在壓焊工序中／后的功能狀態(tài)及封裝缺陷檢測的目的，從而降低LED生產(chǎn)成本、提高產(chǎn)品質(zhì)量、避免使用存在缺陷的LED造成重大損失。
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作者：
蔡有海(1982-)，2005年畢業(yè)于重慶大學電子科學與技術系，獲學士學位，現(xiàn)于重慶大學光電工程學院攻讀碩士學位，研究方向為儀器科學與技術。
文玉梅(1964一)，1984年畢業(yè)于北京航空航天大學電子工程系，獲學士學位，1987年航天部第一研究院研究生院畢業(yè)獲碩士學位，1997年重慶大學獲博士學位。1988年起在重慶大學光電工程學院工作至今，教授，博士生導師。1999年至2000年英國牛津大學工程系高級訪問研究員。主要研究方向為傳感器技術，信號(圖象)處理。
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