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基于MPX2100型傳感器的高精度數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)

作者: 時(shí)間:2010-01-19 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

  摘要:在壓力的測(cè)量與分析中,通常壓力值的變化速度不快,但要求測(cè)量精度很高。本文介紹了一種基于壓力,給出了X型硅以及A/D轉(zhuǎn)換核心部件ICL7135各自的性能特點(diǎn)及其相關(guān)接口電路;提供了系統(tǒng)的組成框圖、各主要部分電路圖及A/D轉(zhuǎn)換軟件設(shè)計(jì)流程圖。
  
  關(guān)鍵詞:;;數(shù)據(jù)采集;A/D轉(zhuǎn)換;液晶顯示;單片機(jī)
  
  一、引言
  
  在石油、化工、冶金、電力、紡織、輕工、水利等工業(yè)及科研領(lǐng)域中,都必須進(jìn)行相關(guān)的壓力檢測(cè)與分析。通常壓力值的變化速度較緩慢,但在測(cè)量壓力值并把它由非電量轉(zhuǎn)變成電量這一過程中,要求精度非常高,本文介紹了一種通用的壓力。系統(tǒng)的壓力傳感器選用Motorola公司的高精度X型硅壓力傳感器,轉(zhuǎn)換精度高、靈敏度高,具有極好的線性度,在高性能單片機(jī)AT89S52的控制下,放大調(diào)理后的模擬電量通過高精度、高性能芯片ICL7135進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換,可以保證系統(tǒng)具有很高的數(shù)據(jù)采集精度和很強(qiáng)的抗干擾能力,使用壽命長(zhǎng)。系統(tǒng)采用液晶顯示及PS/2鍵盤接口,實(shí)現(xiàn)了良好的人機(jī)交換。PLD技術(shù)的應(yīng)用,節(jié)省了硬件電路的開銷。


  
  二、系統(tǒng)的硬件組成及工作原理
  
  高精度壓力框圖如圖1所示。壓力傳感器輸出的模擬信號(hào)被放大調(diào)理后經(jīng)模/數(shù)轉(zhuǎn)換模塊轉(zhuǎn)換為數(shù)字量,傳送給單片機(jī),經(jīng)過標(biāo)定、運(yùn)算及零點(diǎn)補(bǔ)償?shù)忍幚?,在液晶顯示模塊上顯示出來,同時(shí)可經(jīng)串行接口傳送到上位機(jī),實(shí)現(xiàn)良好的人機(jī)交換,鍵盤提供人機(jī)交互的手段。
  
  1、壓力數(shù)據(jù)采集及信號(hào)調(diào)理電路
  
  壓力傳感器是一種將壓力轉(zhuǎn)換成電流/電壓的器件,可用于測(cè)量壓力、位移等物理量。壓力傳感器的種類很多,其中硅半導(dǎo)體傳感器因其體積小、重量輕、成本低、性能好、易集成等優(yōu)點(diǎn)得到廣泛的應(yīng)用。硅壓阻式傳感器屬于其中的一種,它是在硅片上用擴(kuò)散或離子注入法形成四個(gè)阻值相等的電阻條,并將它們接成一個(gè)惠斯登電橋。當(dāng)沒有外加壓力時(shí),電橋處于平衡狀態(tài),電橋輸出為零。當(dāng)有外加壓力時(shí),電橋失去平衡而產(chǎn)生輸出電壓,該電壓大小與壓力有關(guān),通過檢測(cè)電壓,即可得到相應(yīng)的壓力值。但這種傳感器由于四個(gè)橋臂電阻不完全匹配而引起測(cè)量誤差,零點(diǎn)偏移較大,不易調(diào)整。
  
  Motorola公司生產(chǎn)的X型硅壓力傳感器則可以克服上述缺點(diǎn)。如圖2所示,與惠斯登電橋不同,Motorola專利技術(shù)采用單個(gè)X型電阻元件,而不是電橋結(jié)構(gòu),其壓敏電阻元件呈X型,因而稱為X型壓力傳感器。該X型電阻是利用離子注入工藝光刻在硅膜片上,并采用計(jì)算機(jī)控制的激光修正技術(shù),溫度補(bǔ)償技術(shù),使Motorola硅MPX系列壓力傳感器的精度很高,其模擬輸出電壓正比于輸入的壓力值和電源偏置電壓,具有極好的線性度,且靈敏度高,長(zhǎng)期重復(fù)性好。此系列中的MPX2100DP壓力傳感器是一種高精度硅壓式壓力傳感器,本系統(tǒng)采用MPX2100DP作為壓力傳感器,可以很好地滿足系統(tǒng)的要求,它具有如下特點(diǎn):
  
 ?、儆捎诓捎眉す馕⒄{(diào)技術(shù),使電橋零漂輸出很小,一般小于±1mV;
  
 ?、趥鞲衅黛`敏度較高,為40mV±1.5mV;
  
 ?、蹅鞲衅饔蔁崦綦娮杞M成溫度補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò),在-40℃~+125℃范圍內(nèi)有較好的溫度補(bǔ)償效果,從而提高了傳感器的精度;
  
 ?、芫哂袠O好的線性度(±0.25%F.S);
  
 ?、萦休^寬的工作溫度范圍(-40℃~+125℃);
  
 ?、拊试S過載大(400%)。


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