新聞中心

EEPW首頁 > 電源與新能源 > 設計應用 > TPS79918 LDO可支持向StrataFlash嵌入式存儲器(P30)升級

TPS79918 LDO可支持向StrataFlash嵌入式存儲器(P30)升級

作者: 時間:2007-05-25 來源:網絡 收藏

(TI)推出的TPS79918低壓差()線性調節(jié)器可滿足新的Intel StrataFlash嵌入式存儲器(P30)的需求。英特爾公司正從第三代180nm StrataFlash嵌入式存儲器(J30)向第四代130nm StrataFlash嵌入式存儲器(P30)過渡。從J3 到 P30存儲器的轉變可以減少系統(tǒng)在運行中消耗的總電流,因為P30 VCC所需電壓降低到1.8伏。英特爾推薦采用一個線性調節(jié)器來提供新的1.8伏電壓軌。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/258868.htm

TPS79918 可支持向StrataFlash嵌入式存儲器(P30)升級



關鍵詞: LDO 德州儀器

評論


相關推薦

技術專區(qū)

關閉