TPS79918 RF LDO可支持向StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器（P30）的升級(jí)
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時(shí)間：2007-04-02
來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)
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德州儀器TPS79918低壓降線性穩(wěn)壓器（LDO）可為英特爾（Intel）新型StrataFlash P30嵌入式存儲(chǔ)器提供核心動(dòng)力所需的性能。Intel正在將其采用0.18微米工藝的第三代StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器（J3）升級(jí)至采用0.13微米的第四代StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器（P30）。此新型嵌入式存儲(chǔ)器已將所需VCC電壓降至1.8V，因此存儲(chǔ)器從J3升級(jí)至P30可使得系統(tǒng)的總體工作電流消耗較低。Intel在其應(yīng)用手冊(cè)AP812中建議使用LDO提供新的1.8V電壓軌。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/258891.htm
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