基于Ansoft Maxwell的小型化真空滅弧室絕緣優(yōu)化設(shè)計(jì)
引言
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/259932.htm隨著真空開(kāi)關(guān)技術(shù)的加速發(fā)展,真空滅弧室不斷地走向小型化,真空滅弧室內(nèi)部絕緣水平的合理設(shè)計(jì)已顯得尤為重要,并成為領(lǐng)域內(nèi)普遍關(guān)注的研究方向,真空滅弧室內(nèi)部電場(chǎng)的分布是內(nèi)部絕緣水平設(shè)計(jì)的關(guān)鍵,而內(nèi)部電場(chǎng)分析研究是一項(xiàng)極其復(fù)雜的動(dòng)態(tài)絕緣問(wèn)題,其基礎(chǔ)是真空滅弧室內(nèi)部靜電場(chǎng)問(wèn)題的研究。這里僅從真空滅弧室的靜態(tài)電場(chǎng)來(lái)著手分析,在小型化真空滅弧室設(shè)計(jì)與改進(jìn)過(guò)程中,借助Ansoft Maxwell軟件的靜電場(chǎng)分析功能可以對(duì)真空滅弧室內(nèi)部各組成元件的不同形狀和不同位置下的靜電場(chǎng)進(jìn)行分析,根據(jù)分析結(jié)果不斷地調(diào)整,最終使其內(nèi)部靜電場(chǎng)達(dá)到均勻分布的狀態(tài),從而提高了小型化真空滅弧室的內(nèi)部絕緣水平。
1、Ansoft Maxwell軟件介紹
Ansoft Maxwell軟件是國(guó)際上流行的大型通用有限軟件包,是功能強(qiáng)大的電磁場(chǎng)仿真工具,主要應(yīng)用于電場(chǎng)、磁場(chǎng)、渦流場(chǎng)、熱場(chǎng)等領(lǐng)域的計(jì)算與分析中。
Ansoft Maxwell軟件是完全的Window程序,友好的用戶(hù)界面,使用起來(lái)直觀、方便。該軟件較比其它有限元分析軟件具有如下幾點(diǎn)優(yōu)勢(shì):
(1)具有強(qiáng)大的數(shù)據(jù)處理功能。
(2)擁有簡(jiǎn)便易行的繪圖功能的同時(shí)兼有模型輸入端口,可以方便的導(dǎo)入其他繪圖軟件形成的模型。
(3)在剖分過(guò)程中,可進(jìn)行手動(dòng)剖分和自動(dòng)剖分,網(wǎng)格形狀和疏密程度靈活多樣,能量誤差可減小到任意指定值。
(4)能夠進(jìn)行各類(lèi)線(xiàn)性和非線(xiàn)性分析。
2、Ansoft Maxwell軟件在小型化真空滅弧室絕緣優(yōu)化設(shè)計(jì)中的應(yīng)用
真空滅弧室內(nèi)部主要由觸頭、導(dǎo)電桿、屏蔽罩、波紋管等元件組成,影響其內(nèi)部絕緣水平的因素很多,但內(nèi)部結(jié)構(gòu)的合理設(shè)計(jì)可以有效實(shí)現(xiàn)內(nèi)部各間隙之間的電容均衡,內(nèi)部電場(chǎng)強(qiáng)度分布均勻,從而提高內(nèi)部絕緣水平。下面是筆者在工作中利用Ansoft Maxwell 二維軟件對(duì)小型化真空滅弧室內(nèi)部結(jié)構(gòu)和電場(chǎng)進(jìn)行分析優(yōu)化的一些方法和體會(huì),供同仁們探討。
2.1真空滅弧室計(jì)算模型的建立
Ansoft Maxwell的二維靜電場(chǎng)分析主要包括3個(gè)部分:前處理模塊、分析模塊和后處理模塊。主要過(guò)程為建立模型、設(shè)置邊界、定義材料、賦予邊界條件和載荷、剖分、求解和后處理等。
真空滅弧室是典型的軸對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu),其內(nèi)部電場(chǎng)可以視為軸對(duì)稱(chēng)電場(chǎng),所以在建立計(jì)算模型時(shí)只需要繪制一半的結(jié)構(gòu)圖即可,這樣可簡(jiǎn)化為二維軸對(duì)稱(chēng)問(wèn)題來(lái)分析,可減少后處理過(guò)程中的計(jì)算量。模型可在Ansoft Maxwell 中建立,也可以在其它繪圖軟件中繪制,然后通過(guò)輸入端口導(dǎo)入模型。筆者建議在AUTO CAD或CAXA中建立模型,導(dǎo)入Ansoft Maxwell 中后即可使用,旋轉(zhuǎn)所成的體即可視為求解對(duì)象。結(jié)構(gòu)模型如圖1所示:
圖1 真空滅弧室計(jì)算模型圖
模型建立起來(lái)后,設(shè)置邊界條件很關(guān)鍵,事實(shí)上真空滅弧室電場(chǎng)的求解是屬于開(kāi)域場(chǎng)問(wèn)題,這里我們?yōu)榱撕侠泶_定真空滅弧室電場(chǎng)無(wú)界計(jì)算區(qū),我們通常取相當(dāng)于滅弧室內(nèi)部區(qū)域的5倍距離處作為開(kāi)域場(chǎng)邊界,其外部即可視為一無(wú)限遠(yuǎn)空間,如圖2所示:
圖2 真空滅弧室全場(chǎng)域電場(chǎng)計(jì)算模型場(chǎng)域分區(qū)
1—真空滅弧室 2—空氣3—無(wú)限遠(yuǎn)計(jì)算區(qū)域 4—開(kāi)域場(chǎng)邊界
2.2 靜態(tài)電場(chǎng)的計(jì)算
電算前要根據(jù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)對(duì)各種材料進(jìn)行賦值,將無(wú)限遠(yuǎn)邊界定義為氣球邊界。計(jì)算條件為:動(dòng)觸頭及與其連接的金屬件電位設(shè)為零,靜觸頭及與其連接的金屬件電位設(shè)為10kV,屏蔽罩設(shè)置為懸浮電位,無(wú)限遠(yuǎn)處的氣球邊界設(shè)置為電壓,這里的動(dòng)靜端電壓條件的設(shè)定也可以反過(guò)來(lái)。根據(jù)設(shè)定的條件,Ansoft Maxwell 軟件運(yùn)用自適應(yīng)網(wǎng)格剖分技術(shù),自動(dòng)生成剖分單元,進(jìn)行有限元電場(chǎng)分析,如圖3所示。其計(jì)算誤差可減小到任意指定值,本文計(jì)算中能量誤差小于1%。
圖3 自適應(yīng)剖分結(jié)果
Ansoft Maxwell軟件具有強(qiáng)大的后處理功能,可以分析電場(chǎng)方面的多種問(wèn)題,例如電場(chǎng)強(qiáng)度、電力線(xiàn)分布、電感、電容等,本文主要從特殊點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度和瓷殼沿面的電力線(xiàn)分布來(lái)分析。
2.3 小型化真空滅弧室內(nèi)部結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)
真空滅弧室小型化后,內(nèi)部各結(jié)構(gòu)件的尺寸、形狀及其相互位置關(guān)系對(duì)內(nèi)部絕緣水平的影響非常大,下面針對(duì)幾種不同的結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析,結(jié)構(gòu)示意圖如圖3所示。
圖3—a與圖3—b的區(qū)別在于屏蔽罩的裝配方向與位置不同;
圖3—c與圖3—b的區(qū)別在于靜端屏蔽罩的設(shè)置。
圖3不同的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)
利用Ansoft Maxwell軟件分別對(duì)3種方案進(jìn)行分析計(jì)算,在施加相同載荷的條件下得到的結(jié)果截然不同。
2.3.1電力線(xiàn)的分布
真空滅弧室的擊穿點(diǎn)都是表現(xiàn)在瓷殼上,瓷殼本身具備一定的絕緣強(qiáng)度,但如果滅弧室內(nèi)部結(jié)構(gòu)不合理,使得瓷殼沿面的電場(chǎng)分布不均勻,就可能在動(dòng)態(tài)電場(chǎng)作用下導(dǎo)致瓷殼局部擊穿。
對(duì)這三種結(jié)構(gòu)進(jìn)行計(jì)算后,得到的電力線(xiàn)分布圖形如圖4所示:a、b、c為靜端加高壓情況;a1、b1、c1為動(dòng)端加高壓情況。
a a1
b b1
c c1
圖4 電力線(xiàn)的分布圖
【分析】
圖4—a中:電力線(xiàn)的分布明顯不均勻,中間電位線(xiàn)偏向靜端很多,這樣就增大了靠近靜端的瓷殼沿面的電位梯度,當(dāng)在靜端施加高電壓時(shí)很容易導(dǎo)致靠近靜端的瓷殼沿面發(fā)生擊穿;圖4-a1中,在動(dòng)端施加高電壓時(shí)的情況稍好些,但中間電位線(xiàn)也是偏向靜端的,同樣會(huì)導(dǎo)致瓷殼沿面的電位梯度不均勻,所以這種方案可以不予考慮。
圖4—b、圖4-b1、圖4-c、圖4-c1中:瓷殼沿面的電力線(xiàn)分布基本均勻,且中間電位線(xiàn)基本趨于瓷殼沿面的中間位置,這樣在瓷殼沿面上的電位梯度變化就會(huì)比較均勻,有利于降低瓷殼沿面的擊穿率,尤其在結(jié)構(gòu)c中增加了端屏蔽罩后,雖然靜端施加高電壓時(shí)體現(xiàn)的不很明顯,但當(dāng)變?yōu)閯?dòng)端施加高電壓時(shí),中間電位線(xiàn)基本就位于瓷殼沿面的中間位置了,這樣整個(gè)瓷殼沿面得電位梯度不會(huì)出現(xiàn)突變,提高了瓷殼沿面的絕緣水平,所以加了端屏蔽罩后的結(jié)構(gòu)c要好于其他兩種結(jié)構(gòu)。
2.3.2電場(chǎng)強(qiáng)度的分析
真空滅弧室絕緣設(shè)計(jì)的另一個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)就是真空、絕緣外殼與空氣的三相交界處的電場(chǎng)強(qiáng)度。大體積的真空滅弧室可以從設(shè)置端屏蔽罩、均壓罩等措施來(lái)改善,但小型化的真空滅弧室則不易從這方面著手,只能通過(guò)對(duì)內(nèi)部各元件的形狀不斷地進(jìn)行修正和合理的布置并進(jìn)行電場(chǎng)強(qiáng)度校核,最終優(yōu)化出內(nèi)部電場(chǎng)均勻分布、三相交界處的電場(chǎng)強(qiáng)度盡量小的設(shè)計(jì)方案。
采用相同的設(shè)定條件,對(duì)上述三種結(jié)構(gòu)計(jì)算后的電場(chǎng)強(qiáng)度分布圖如圖5所示:a、b、c為靜端加高壓情況;a1、b1、c1為動(dòng)端加高壓情況。
a 靜端三相交界處Emax:5.33 e+004kV/m a1 靜端三相交界處Emax:4.27e+004kV/m
動(dòng)端三相交界處Emax:1.86 e+004kV/m 動(dòng)端三相交界處Emax:2.66e+004kV/m
b 靜端三相交界處Emax:3.73e+004kV/m b1 靜端三相交界處Emax:3.32e+004kV/m
動(dòng)端三相交界處Emax:2.4 e+004kV/m 動(dòng)端三相交界處Emax:2.4e+004kV/m
c 靜端三相交界處Emax:3.46e+004.kV/m c1 靜端三相交界處Emax:3.2e+004kV/m
動(dòng)端三相交界處Emax:2.33e+004kV/m動(dòng)端三相交界處Emax:2.4e+004kV/m
圖5為電場(chǎng)強(qiáng)度分布圖
【分析】
圖中所示的數(shù)值是相對(duì)一定的設(shè)定參數(shù)而測(cè)得的。
結(jié)構(gòu)a:所示數(shù)值表明,無(wú)論在靜端施加高電壓還是在動(dòng)端施加高電壓,其靜端的三相交界處的電場(chǎng)強(qiáng)度均明顯高于動(dòng)端的三相交界處,所以很容易在靠近靜端出現(xiàn)絕緣破壞,這與上面的電力線(xiàn)的分析結(jié)果是一致的。
結(jié)構(gòu)b:動(dòng)靜端三相交界處的電場(chǎng)強(qiáng)度低于結(jié)構(gòu)a,且施加高電壓時(shí)動(dòng)靜端的電場(chǎng)強(qiáng)度差值縮小,較結(jié)構(gòu)a的絕緣水平得到了優(yōu)化。
結(jié)構(gòu)c:在靜端增加了端屏蔽罩后,靜端三相交界處的電場(chǎng)強(qiáng)度又降低到更小值,而動(dòng)端變化不明顯,這就使得滅弧室的絕緣水平得到進(jìn)一步的優(yōu)化。所以三種結(jié)構(gòu)比較而然,結(jié)構(gòu)c是最優(yōu)的。
從上面的兩種分析情況來(lái)看,在滅弧室的絕緣優(yōu)化的結(jié)果是一致的。
以上僅對(duì)有限的幾種方案進(jìn)行了優(yōu)化分析,旨在介紹Ansoft Maxwell軟件的具體應(yīng)用。在對(duì)小型化真空滅弧室的絕緣優(yōu)化設(shè)計(jì)中,還需要從很多方面進(jìn)行優(yōu)化分析,比如觸頭的厚度、半徑、曲率半徑、觸頭與杯座的過(guò)渡銜接、屏蔽罩的端口形狀與曲率半徑、觸頭與屏蔽罩的距離、動(dòng)靜觸頭之間的拉開(kāi)距離等等。還要將電力線(xiàn)的分析與電場(chǎng)強(qiáng)度的分析兼顧一起來(lái)考慮,雖然這個(gè)優(yōu)化過(guò)程比較繁瑣,但通過(guò)一系列的優(yōu)化分析后,可以幫助我們合理的設(shè)計(jì)各元件的尺寸并合理的布置各元件的位置,可以有效改善小型化真空滅弧室內(nèi)部的電場(chǎng)分布,提高小型化真空滅弧室的絕緣水平。
3、結(jié)束語(yǔ)
1)Ansoft Maxwell軟件的應(yīng)用,為領(lǐng)域內(nèi)的設(shè)計(jì)者們提供了科學(xué)的設(shè)計(jì)依據(jù),大大縮短了設(shè)計(jì)周期,為我們提供了競(jìng)爭(zhēng)條件。
2)利用Ansoft Maxwell軟件優(yōu)化后的小型化真空滅弧室,內(nèi)部絕緣水平能夠得到很大的提高,從而進(jìn)一步適應(yīng)了市場(chǎng)對(duì)高壓產(chǎn)品的小型化需求。
3)本文探討的計(jì)算方法僅是筆者在工作中的一點(diǎn)應(yīng)用體會(huì),并且僅適用于二維靜電場(chǎng)的定性分析,更多的應(yīng)用還有待同仁進(jìn)一步探討。
評(píng)論