瑞薩科技發(fā)布HAT1125H P溝道功率MOSFET
作者：電子設(shè)計(jì)應(yīng)用
時(shí)間：2004-06-28
來源：電子設(shè)計(jì)應(yīng)用
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今天瑞薩科技公司發(fā)布了HAT1125H –30 V擊穿電壓P溝道功率MOSFET，它具有非常低的2.7 mΩ (典型值)導(dǎo)通電阻，用于筆記本電腦和類似產(chǎn)品中的電源管理開關(guān)和鋰離子電池充電/放電控制。2004年6月8日，將在日本開始樣品發(fā)貨。
與瑞薩科技先前的產(chǎn)品相比，HAT1125H的導(dǎo)通電阻大約減小了25%，是業(yè)界導(dǎo)通電阻最低的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOP-8尺寸小型表面安裝封裝產(chǎn)品。由于其損耗很低，將有助于設(shè)計(jì)小型、節(jié)省空間的系統(tǒng)。
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