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新型手機電源管理芯片

作者:上海東鉅電子有限公司,薛宏斌 時間:2004-06-29 來源:電子設(shè)計應(yīng)用2003年第5期 收藏
工作良好的管理電路是手機正常工作的基礎(chǔ)。如果管理電路能夠做到省電、高效、多功能而占用很小面積的電路板,就有可能使手機做得小巧而工作時間很長,理光(RICOH)新型的手機管理芯片R5313B正是這樣一款專用芯片。


圖1 R5313B的構(gòu)成電路


圖2 R5313B充電回路


圖3 R5313B內(nèi)部電路(1)


圖4 R5313B內(nèi)部電路(2)


R5313B的構(gòu)成
R5313B采用CMOS制程,CSP封裝,有48只引腳,尺寸僅5×5×1.05mm3,它蘊含了手機內(nèi)所需的電源管理的幾乎所有功能(參見圖1):有九路LDO,其中一路是DC-DC高效率穩(wěn)壓源,對于輸出電壓1.8V以下的大電流,節(jié)電優(yōu)勢顯著;多功能鋰電充電電路;震動馬達和鈴聲驅(qū)動;SIM卡電源和接口電路;還有完善的保護、上電復(fù)位以及電壓監(jiān)測電路。下面就穩(wěn)壓和充電等部分進行重點介紹。

穩(wěn)壓電源的構(gòu)成和特性
LDO是手機供電回路的主要形式,針對手機整個電路的不同特點,R5313B中的LDO分別對應(yīng)了射頻、基帶和DSP內(nèi)核等電路的供電,同時各路LDO均為微功耗且可進行管理。參見表1,可以看出,各組LDO的鮮明特征及對應(yīng)應(yīng)用性能。
針對目前基帶部分MCU、DSP的功能不斷增強,核心電壓逐步降低,線性穩(wěn)壓電路顯然不能滿足高效率、大動態(tài)范圍供電的需求。R5313B中在此部分供電中引入了DC-DC方式,使低電壓(輸出電壓低于2.0V)、穩(wěn)壓輸出時的效率明顯提高,節(jié)電效果顯著。

充電電路
手機充電電路的,重要性不言而喻,R5313B內(nèi)含有一個完整的鋰電充電電路,能夠根據(jù)電池電壓的不同選擇相應(yīng)的充電方式按照合理的充電曲線進行充電,并通過外接發(fā)光二極管顯示狀態(tài),內(nèi)部還含有電池狀態(tài)監(jiān)測電路,對電池是否聯(lián)接、過壓、欠壓,并結(jié)合過流/溫度保護電路保證充電乃至整個系統(tǒng)正常工作。
高集成度的R5313B的充電回路外接元件要求很少,參見圖2。系統(tǒng)通過CHG引腳控制充電是否進行,高電平打開充電,低電平關(guān)閉充電,充電狀態(tài)除了能在內(nèi)部監(jiān)控之外,系統(tǒng)還可以通過BATMON 的引腳了解電池的準(zhǔn)確電壓。
當(dāng)電池電壓低于3.15V,有外接電源接入時,就對電池進行預(yù)充電,充電電流50m A,同時LED閃爍指示,在電池電壓達到了3.15V,轉(zhuǎn)為正常充電,內(nèi)部電源使能端開啟,可向基帶部分供電,整個手機可以使用,同時系統(tǒng)也能夠通過FLASH-LED端對LED進行控制以顯示當(dāng)前充電狀態(tài)。
當(dāng)電池電壓在3.15V~4.2V之間時,通過CHG端置高電平,充電回路進入快速充電狀態(tài)(充電電流可設(shè)定),在電池電壓達到4.2V后,系統(tǒng)可關(guān)閉充電,也可以通過CHG進行脈沖充電,頻率逐漸降低,以保證充電完全。

上電復(fù)位電路SIM卡接口電路
R5313B內(nèi)部有完善的上電和開機電路,以及保護電路,參見圖3。
在電池電壓高于3.15V,芯片溫度低于140℃時,外接電源接入,ON/OFF或UP-ON-OFF引腳置高電平時,都會執(zhí)行開機動作。
R5313B內(nèi)有不但有可設(shè)定電壓的SIM卡供電回路,還有具備電平轉(zhuǎn)換接口,參見圖4。
從以上可以看出,R5313B具有優(yōu)秀的手機電源管理性能,不但功能強大,而且不必為此專門編寫軟件,通過外接的控制引腳,利用高低電平就可以使它正常工作,是從傳統(tǒng)分立元件進化成單顆電源管理芯片的最佳途徑?!?BR>



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