意法半導(dǎo)體(ST)推出新抗輻射基準電壓芯片，在各種工作條件下實現(xiàn)穩(wěn)定可靠的性能

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)在最近召開的巴黎核能與太空輻射效應(yīng)大會(NSREC, Nuclear and Space Radiation Effects Conference)上宣布，其現(xiàn)有的JANS/JANSR產(chǎn)品新增一系列經(jīng)過篩選的獲得國防軍備后勤局(DLA, Defense Logistics Agency)認證的JANSR雙極晶體管。新晶體管擁有同類產(chǎn)品中最佳的抗輻射性能，特別適合航天和高可靠性系統(tǒng)，包括衛(wèi)星以及核物理(nuclear physics)和醫(yī)療應(yīng)用。

　　意法半導(dǎo)體自1977年起開始為歐洲航天局(European Space Agency)提供半導(dǎo)體解決方案，在歐洲航天局成立后一直獲得該航天局的產(chǎn)品認證。意法半導(dǎo)體不斷改善抗輻射產(chǎn)品性能，目前推出的新產(chǎn)品就是一個典型實例。

　　JANS系統(tǒng)屬于意法半導(dǎo)體于2013年發(fā)布的歐洲空間元器件協(xié)調(diào)委員會(ESCC, European Space Components Coordination)項目的創(chuàng)新成果。新發(fā)布的JANSR+包括一系列100krad JANSR高劑量速率雙極晶體管，意法半導(dǎo)體對每顆晶圓做了額外的100krad低劑量速率(100 mrad/s)測試。此外，意法半導(dǎo)體還宣布其JANSR+產(chǎn)品將提供超低劑量速率(10 mrad/s)測試數(shù)據(jù)，展示其出色的抗輻射效應(yīng)性能。

　　因此，意法半導(dǎo)體的JANSR+系列產(chǎn)品讓客戶有機會使用抗輻射性能優(yōu)異且配備所有相關(guān)測試數(shù)據(jù)的抗輻射產(chǎn)品。客戶可直接使用這些產(chǎn)品，無需任何額外的篩選成本和交貨周期，因此大幅提升了抗輻射產(chǎn)品的市場標準。

　　意法半導(dǎo)體事業(yè)部副總裁兼功率晶體管產(chǎn)品部總經(jīng)理Mario Aleo表示：“意法半導(dǎo)體為歐洲航天工業(yè)提供抗輻射雙極晶體管的時間長達35年，我們的產(chǎn)品飛行時間累計超過數(shù)億個小時。我們專門調(diào)整的航天技術(shù)設(shè)計取得了同類最好的抗輻射性能，現(xiàn)在又獲得了DLA證書，美國客戶將受益于我們的無與倫比的耐輻射性能。”

　　所有產(chǎn)品都采用先進的密閉UB封裝，可立即提供樣品及開放大批量訂貨。

　　詳情請查詢網(wǎng)頁www.st.com/radhard-bipoltransistors-pr