意法半導(dǎo)體(ST)推出電流隔離gapDRIVE：新的尖端智能集成柵驅(qū)動器

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出先進(jìn)的單通道柵驅(qū)動器 (single-channel gate driver) 芯片STGAP1S。新產(chǎn)品在同一芯片上集成電隔離層 (galvanic isolation) 和模擬及邏輯電路 (analog and logic circuitry)，有助于設(shè)計人員簡化驅(qū)動器設(shè)計，同時確保產(chǎn)品具有優(yōu)異的抗噪性能 (noise immunity)，實現(xiàn)安全可靠的功率控制效果。

　　STGAP1S是意法半導(dǎo)體新一代gapDRIVE™柵驅(qū)動器的首款產(chǎn)品。新產(chǎn)品整合意法半導(dǎo)體獨(dú)有的雙極-CMOS-DMOS (BCD) 制造工藝以及在芯片上植入隔離層的創(chuàng)新技術(shù)，可進(jìn)一步提高系統(tǒng)集成度。高壓軌上可耐受最高達(dá)1500V電壓，而不會干擾其它電路;高可靠性使其適用于工業(yè)驅(qū)動器、大功率600V或1200V逆變器、太陽能逆變器以及不間斷電源 (uninterruptible power supplies) 。

　　100ns電隔離層信號傳播延時，使STGAP1S能夠傳輸高精度的PWM信號。新產(chǎn)品集成驅(qū)動級的灌入或源出電流最高達(dá)5A;軌對軌輸出支持負(fù)驅(qū)動電壓，可與大型絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistors) 或?qū)拵?(wide-bandgap) 電源開關(guān)(例如碳化硅MOSFET)配套使用。新產(chǎn)品具有優(yōu)異的共模瞬變免疫能力 (common-mode transient immunity)，可耐受超過±50V/ns的共模瞬變電壓，支持跨電隔離層通信和安全的工作環(huán)境。灌入與源出輸出分開式設(shè)計可提高設(shè)計的靈活性，有助于減少外部元器件的使用。

　　新產(chǎn)品可通過內(nèi)置的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)接口SPI端口與主控制器通信，內(nèi)部控制邏輯可實時監(jiān)控工作狀態(tài)。STGAP1S通過這個接口向主控制器提供豐富的診斷信息，進(jìn)一步提升系統(tǒng)保護(hù)性能和工作可靠性。

　　新智能驅(qū)動器還集成大量的保護(hù)功能，幫助芯片最大限度提升在惡劣工業(yè)環(huán)境中的工作可靠性。這些保護(hù)功能包括防止無用的晶體管導(dǎo)通的功率級有源米勒箝位 (active Miller clamp);在短路條件下保護(hù)開關(guān)的去飽和檢測 (desaturation detection);可防止有危害性的電壓過沖的集電極-發(fā)射極的過壓保護(hù) (collector-emitter overvoltage protection) 及輸出雙電平關(guān)斷功能;過熱保護(hù) (over-temperature protection)、欠壓保護(hù) (UVLO, Under-Voltage Lockout) 和過壓保護(hù) (OVLO, Over-Voltage Lockout) 以及過流(over-current) 檢測專用引腳。

　　STGAP1S是一款具有完美集成度且尺寸精巧的SO24W芯片。

　　欲了解更多詳情，請訪問：www.st.com/gapdrive-nb