Yole：2019年覆晶LED滲透率破三成 作者： 時間：2014-12-12 來源：新電子 加入技術(shù)交流群 掃碼加入和技術(shù)大咖面對面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 市場研究機構(gòu)Yole Developpement指出，覆晶(Flip Chip)技術(shù)可大幅降低發(fā)光二極體(LED)晶粒成本，且散熱效果較現(xiàn)今利用MESA蝕刻制程或垂直式結(jié)構(gòu)開發(fā)的晶粒更佳，因此包括韓國、日本、美國及臺灣等地的LED制造商皆開始擴大采用;預計2014年覆晶LED占總體晶粒出貨量約15%，2019年則可望躍升至32%。本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/266713.htm
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