ReRAM公布最新成果,性能接近理論數(shù)據(jù)

　　可變電阻式ReRAM 作為新的存儲技術(shù)，從研發(fā)到商用總是要歷經(jīng)漫長的艱難坎坷。現(xiàn)在ReRAM芯片的研制已經(jīng)初見成效，日前索尼和Micron就聯(lián)手公布了他們的最新研究成果，稱他們試制的產(chǎn)品在性能上已經(jīng)非常接近理論數(shù)據(jù)。

　　索尼和Micron聯(lián)手公布的是一款容量為16Gb(2GB)的ReRAM芯片，據(jù)稱這款芯片基于27nm CMOS工藝打造，可以用于替換現(xiàn)有的DDR SDRAM芯片，可用于移動設(shè)備或者是PC上。

　　按照公布的信息稱，索尼和Micron聯(lián)手公布的這顆芯片實際性能是讀取900MB/s，寫入180MB/s，和它讀取1000MB/s、寫入200MB/s的理論性能已經(jīng)非常接近，進(jìn)入量產(chǎn)、商品化的可能性很高。