聯(lián)華電子取得Cypress半導(dǎo)體40納米嵌入式閃存硅智財(cái)授權(quán)

　　聯(lián)華電子與嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存解決方案廠商Cypress今(21日)共同宣布，聯(lián)華電子40納米制程平臺(tái)已取得Cypress的SONOS嵌入式閃存硅智財(cái)授權(quán)。Cypress的SONOS硅智財(cái)具有容易整合的NVM單元，以及可順應(yīng)未來(lái)發(fā)展的可微縮性。此技術(shù)主要使用于物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用產(chǎn)品、穿戴式電子、微控制器，以及邏輯IC產(chǎn)品。

　　在這三年內(nèi)，此次已是聯(lián)華電子與Cypress雙方第三次的SONOS技術(shù)合作。2014年聯(lián)華電子取得Cypress的55納米SONOS制程授權(quán)，2013年則認(rèn)證通過(guò)Cypress的65納米技術(shù)。

　　Cypress的40納米SONOS嵌入式NVM制程，與其他嵌入式NVM技術(shù)相較，具有不同的優(yōu)勢(shì)。在標(biāo)準(zhǔn)CMOS制程之外，其它嵌入式閃存技術(shù)需要外加至少12層光罩，而SONOS技術(shù)則僅需額外加上5層即可。除此之外，在加入一般CMOS制程時(shí)，SONOS不會(huì)改變標(biāo)準(zhǔn)組件特性或model，不影響并保留現(xiàn)有硅智財(cái)。SONOS具備高良率與高可靠度、十年的資料保存、十萬(wàn)次的編程/擦除耐久周期，以及避免軟錯(cuò)誤發(fā)生的高抵抗力。聯(lián)華電子與Cypress已展現(xiàn)出將SONOS微縮到更小制程的豐厚實(shí)力，并可進(jìn)一步促進(jìn)未來(lái)硅智財(cái)?shù)拈_(kāi)發(fā)。

　　聯(lián)華電子負(fù)責(zé)特殊技術(shù)開(kāi)發(fā)的簡(jiǎn)山杰副總表示：「除了具備因應(yīng)物聯(lián)網(wǎng)需求的專門技術(shù)與設(shè)計(jì)平臺(tái)，聯(lián)華電子也提供物聯(lián)網(wǎng)設(shè)計(jì)套件與硅智財(cái)，以加速我們客戶的產(chǎn)品上市時(shí)程。我們很高興擴(kuò)展了本公司涵蓋廣泛的eFlash解決方案，在我們high-volume與high-demand的40納米制程平臺(tái)，加入Cypress的SONOS硅智財(cái)，提供客戶高效能低功耗的嵌入式內(nèi)存選項(xiàng)，讓客戶的物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品能有流暢并可微縮的制程移轉(zhuǎn)路徑。」

　　Cypress技術(shù)與硅智財(cái)事業(yè)群副總Sam Geha表示：「Cypress很高興與聯(lián)華電子持續(xù)攜手合作，拓展我們SONOS硅智財(cái)作為客戶嵌入式NVM最佳首選的采用度。此40納米SONOS制程系嵌入于超低功耗制程技術(shù)，亦可嵌入于其它40納米制程技術(shù)，對(duì)于欲開(kāi)發(fā)智能型，合乎功耗效能產(chǎn)品，進(jìn)軍物聯(lián)網(wǎng)與穿戴式市場(chǎng)的聯(lián)華電子廣泛客戶，都可獲得此40納米SONOS制程所提供的優(yōu)勢(shì)。此制程同時(shí)也可賦予微處理器更快的處理速度與更低的功耗?！?/p>