基于電荷泵改進(jìn)型CMOS模擬開關(guān)電路
2改進(jìn)型模擬開關(guān)電路設(shè)計(jì)
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/274678.htm2.1電路描述和分析
圖4為本文設(shè)計(jì)的柵增壓電路,M3和M4組成了一對(duì)傳輸門,可以保證輸入信號(hào)在高低電壓無損失地傳輸?shù)絺鬏旈T的另一端。M1的柵極接反相器的輸出端,漏源兩端分別接電容正極板和電源電壓,M1的作用是當(dāng)開關(guān)連通且時(shí)鐘信號(hào)為高電平時(shí),保證電容電壓抬升后不會(huì)迅速放電使電容正極板電位為0.M2的柵極接時(shí)鐘信號(hào)CLK,漏源兩端分別接電容正極板和電源電壓,它的作用是當(dāng)開關(guān)關(guān)閉時(shí),M2導(dǎo)通時(shí)使電容正極板電位保持在電源電壓。下面分析該電路的工作情況:
當(dāng)開關(guān)關(guān)閉時(shí),S為低電平,M1導(dǎo)通,保證電容正極板上的電壓最低為VDD,此時(shí)M3和M4都不導(dǎo)通,信號(hào)不能達(dá)到輸出端。當(dāng)開關(guān)導(dǎo)通時(shí),S為高電平,M1截止,時(shí)鐘為低電平時(shí),M2和M5導(dǎo)通,M1和M6關(guān)閉,電容充電至P-Vds;CLK為高時(shí),由于電容兩邊電壓不會(huì)突變,電容正極板上的電壓會(huì)被抬升至原來的兩倍。
從上面分析可知,所有跟開關(guān)柵端電壓連通的電壓都是和輸入信號(hào)無關(guān)的,因此開關(guān)導(dǎo)通電阻與輸入信號(hào)無關(guān),可以大大抑制信號(hào)有關(guān)的電壓損失,保證了信號(hào)的線性度和器件的可靠性。
圖3柵增壓仿真結(jié)果
圖4改進(jìn)型柵增壓電路
2.2性能仿真及結(jié)果分析
基于NEC0.35umCMOS工藝的模型參數(shù),采用Spectre模擬軟件,對(duì)圖3進(jìn)行模擬仿真。電源電壓為5V,輸入信號(hào)singlin為500KHZ,信號(hào)幅度5V,電荷泵時(shí)鐘為100MHZ,電容為1.8pf,仿真得到了開關(guān)導(dǎo)通電阻隨Vg電壓的變化(圖5)、電荷泵抬升后的電壓(圖6)和輸出信號(hào)結(jié)果(圖7),可見,導(dǎo)通電阻在大于電源電壓時(shí)急劇降低,電容正極板上的電壓可以抬升至9V,輸出電壓波形比較理圖想,損耗很小,幾乎沒有。
圖5開關(guān)導(dǎo)通電阻的DC仿真結(jié)果
圖6柵電壓tran仿真結(jié)果
圖7輸出電壓仿真結(jié)果
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評(píng)論