物聯(lián)網(wǎng)熱潮下的中芯國(guó)際之“勢(shì)”

　　物聯(lián)網(wǎng)商機(jī)持續(xù)發(fā)燒，全球穿戴式、物聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)的應(yīng)用需求繼續(xù)升溫，帶動(dòng)MEMS、MCU、指紋識(shí)別等芯片需求，推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的急速發(fā)展。

　　分析師認(rèn)為，為了達(dá)到高性能傳輸、數(shù)據(jù)處理以及超低功耗等特性，IC制造商的制程技術(shù)發(fā)展策略轉(zhuǎn)向由成熟制程技術(shù)推進(jìn)特殊工藝發(fā)展，更有甚者將8寸晶圓特殊制程轉(zhuǎn)移至12寸晶圓，以提高產(chǎn)能利用率、降低成本。

　　IBS預(yù)測(cè)，2020年全球IoT產(chǎn)業(yè)將產(chǎn)生高達(dá)7000億美元的價(jià)值。中芯國(guó)際深圳8寸廠的投產(chǎn)，正是看準(zhǔn)了這一市場(chǎng)。IoT產(chǎn)品，由于產(chǎn)品特性更注重殺手級(jí)應(yīng)用，卻并不需要先進(jìn)制程技術(shù)，這使得中芯國(guó)際深研成熟制程，發(fā)揮差異化優(yōu)勢(shì)的策略成效漸顯。

　　雖然全球晶圓制造企業(yè)正追逐14/16納米的先進(jìn)制程，中芯國(guó)際今年剛試產(chǎn)28納米，差距仍在。但在55納米 eFlash， 38納米NAND， CIS-BSI、MEMS等方面，據(jù)集微網(wǎng)了解到，中芯國(guó)際進(jìn)步明顯。CIS方面，F(xiàn)SI 和 BSI 均已投入生產(chǎn)，與芯視達(dá)合作的CIS-BSI產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。中芯國(guó)際提供包括 CIS 晶圓制造，彩色濾光片和微鏡頭制造，硅通孔芯片級(jí)封裝(TSV-CSP)及測(cè)試在內(nèi)的一站式服務(wù)。

　　MEMS方面，中芯國(guó)際更側(cè)重IoT傳感器的開發(fā)，MEMS振蕩器早于2013年投入量產(chǎn)，麥克風(fēng)和加速器在今年火熱試產(chǎn)中，中芯國(guó)際還為敏芯(MEMSensing)三軸加速度傳感器 MSA330 提供 TSV 封裝的解決方案。RF方面，中芯國(guó)際更實(shí)現(xiàn)多種產(chǎn)品的量產(chǎn)，同時(shí)提供RF-FEM的解決方案。

　　去年8月，中芯與華大電子推出國(guó)內(nèi)第一顆55納米智能卡芯片，采用中芯國(guó)際55納米低功耗嵌入式閃存(eFlash)平臺(tái)，成功導(dǎo)入中國(guó)移動(dòng)、中國(guó)聯(lián)通及部分海外運(yùn)營(yíng)商實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。中芯通過自主研發(fā)的38納米NAND技術(shù)，提供面向移動(dòng)計(jì)算、嵌入式存儲(chǔ)、電視、機(jī)頂盒和IoT市場(chǎng)的多技術(shù)平臺(tái)，這些成熟技術(shù)的優(yōu)化項(xiàng)目還能提供高密度，低漏電，低功耗和嵌入式NVM的解決方案。

　　中芯國(guó)際CEO邱慈云曾公開表示，去年我們?cè)?0納米與65納米產(chǎn)品線上成功流片了涵蓋廣泛應(yīng)用的新產(chǎn)品，這使得2015年中芯國(guó)際第一財(cái)季營(yíng)收再創(chuàng)歷史新高，達(dá)到5.098億美元，29.4%的毛利率也是近十年來(lái)最高，實(shí)現(xiàn)連續(xù)第十二個(gè)季度的盈利。

　　公開數(shù)據(jù)顯示，從2007年至2011年，4年間中國(guó)國(guó)內(nèi)IC產(chǎn)值占全球份額提升了1.7個(gè)百分點(diǎn)。從2011到2013，兩年間又提升了2.1個(gè)百分點(diǎn)。隨著市場(chǎng)和技術(shù)壁壘的消除，國(guó)內(nèi)IC產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展，對(duì)成熟工藝的需求旺盛，使中芯國(guó)際國(guó)內(nèi)客戶穩(wěn)固增長(zhǎng)。最新財(cái)報(bào)顯示，中芯國(guó)際(2015)一季度中來(lái)自中國(guó)客戶的收入破紀(jì)錄的達(dá)到47%。國(guó)內(nèi)IC市場(chǎng)的急速增長(zhǎng)，IC產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈的建立，讓中芯國(guó)際處于有利地位。

　　當(dāng)然，看準(zhǔn)物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)的不止中芯一家。今年3月聯(lián)電在廈門啟動(dòng)12寸建廠計(jì)劃，向無(wú)塵室供應(yīng)商亞翔采購(gòu)超過85億元相關(guān)設(shè)備，同時(shí)宣布與ARM合作全新的55納米超低功耗制程(55ULP)技術(shù)，搶攻物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)。礙于大陸半導(dǎo)體廠“N-1技術(shù)”法規(guī)的限制，聯(lián)電目前在臺(tái)灣量產(chǎn)的是28納米制程，因此到大陸只能生產(chǎn)55納米和40納米制程的產(chǎn)品。預(yù)計(jì)2016年4月開始裝機(jī)，試產(chǎn)等到明年第三季度，真正量產(chǎn)時(shí)間要到2017年。

　　傳聞聯(lián)電與IC設(shè)計(jì)公司展開18納米制程合作，為廈門12寸廠推進(jìn)28納米鋪路。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，聯(lián)電18納米制程采用FinFET設(shè)計(jì)，技術(shù)難度相當(dāng)高，聯(lián)電好不容易量產(chǎn)28納米，并投入14納米制程，若18納米制程同時(shí)研發(fā)，必將分散內(nèi)部研發(fā)資源。

　　對(duì)于聯(lián)電廈門建廠之事，業(yè)內(nèi)一直有傳臺(tái)積電也在考慮中。分析師認(rèn)為，目前臺(tái)積電合資的法令規(guī)范尚未解套，能否以獨(dú)資身份來(lái)陸建廠仍不明朗，困難重重。

　　去年6月，國(guó)務(wù)院公布《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，提出到2015年集成電路產(chǎn)業(yè)銷售收入超過3500億元的目標(biāo)，到2030年產(chǎn)業(yè)鏈主要環(huán)節(jié)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，并提出成立產(chǎn)業(yè)基金等創(chuàng)新支持模式。中芯國(guó)際正處于產(chǎn)業(yè)基金重點(diǎn)支持的制造領(lǐng)域，今年2月，大基金宣布向中芯國(guó)際注資約31億港元(約合4億美元)，4月發(fā)改委已對(duì)“大基金”投資中芯國(guó)際的項(xiàng)目予以備案。

　　中國(guó)集成電路行業(yè)發(fā)展迅速，在大基金的促進(jìn)下，更出現(xiàn)“蛇吞象”式的跨國(guó)并購(gòu)。中芯國(guó)際攜手長(zhǎng)電科技及國(guó)家產(chǎn)業(yè)基金，聯(lián)合收購(gòu)全球第四大封裝測(cè)試公司星科金朋這一事件攪動(dòng)了全球半導(dǎo)體行業(yè)格局，對(duì)于中芯國(guó)際來(lái)說，與長(zhǎng)電合資成立的12 寸Bumping 產(chǎn)線更是指向未來(lái)半導(dǎo)體封測(cè)最核心的中段技術(shù)，與IC行業(yè)上下游的垂直合作，為中芯國(guó)際的做大做強(qiáng)打下基礎(chǔ)。

　　一直以來(lái)，關(guān)于中芯與東部高科的并購(gòu)消息傳聞不斷。國(guó)際芯片市場(chǎng)的并購(gòu)大戲高潮迭起，英特爾170億美元收購(gòu)Altera，安華高370億美元收購(gòu)博通，NXP斥資118億美元收購(gòu)飛思卡爾，如若中芯國(guó)際能夠成功實(shí)現(xiàn)并購(gòu)，全球8英寸晶圓市場(chǎng)格局有望被打破，晶圓制造行業(yè)的并購(gòu)之火能否被點(diǎn)燃?