GlobalFoundries全球首發(fā)22nm FD-SOI工藝

　　GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工藝平臺(tái)，全球第一家實(shí)現(xiàn)22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。 FD-SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管， 目前并不為業(yè)內(nèi)看好，因?yàn)闊o論Intel還是三星、臺(tái)積電，22n時(shí)代起就紛紛轉(zhuǎn)入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技 術(shù)實(shí)力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù)，22nm上只能繼續(xù)改進(jìn)平面型，20nm上努力了一陣放棄了，14nm索性直接借用三星的。

　　盡管如此，GF 22nm FD-SOI工藝也是有一些獨(dú)特優(yōu)勢(shì)的，雖然無法制造高性能芯片，但也很適合移動(dòng)計(jì)算、IoT物聯(lián)網(wǎng)、射頻聯(lián)網(wǎng)、網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)架構(gòu)等領(lǐng)域。

　　GlobalFoundries宣稱，該工藝功耗比28nm HKMG降低了70%，芯片面積比28nm Bulk縮小了20%，光刻層比FinFET工藝減少接近50%，芯片成本比16/14nm低了20%，而且功耗超低，電壓可以做到業(yè)界最低的0.4V，并可通過軟件控制晶體管電壓，還集成了RF射頻，功耗降低最多50%。甚至，它可以提供類似FinFET工藝的性能。

　　GF 22nm FD-SOI工藝將于2016年下半年在德國德累斯頓工廠投產(chǎn)，為此已投資2.5億美元。ARM、Imagination、意法半導(dǎo)體、飛思卡爾、VeriSilicon、IBS、Semeria、Soitec等都表達(dá)了支持，將會(huì)采納。