因應(yīng)中國市場需求　Intel大連廠轉(zhuǎn)生產(chǎn)3D NAND

　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)龍頭英特爾(Intel)日前宣布與中國的大連市政府配合，將原先以65奈米制程生產(chǎn)處理器晶片的中國大連廠，轉(zhuǎn)型為生產(chǎn)最新的3D-NAND Flash 晶片，總投資金額高達55億美元，預(yù)計于明年下半年開始量產(chǎn)。

　　根據(jù)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新公布數(shù)據(jù)，2015年整體中國市場NAND Flash總消耗量換算產(chǎn)值高達66.7億美元，占全球產(chǎn)值29.1%，明年更可望達到全球NAND Flash產(chǎn)量的三分之一，成長幅度十分驚人。

　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，英特爾大連廠在2010年完工，原先規(guī)劃以12寸晶圓搭配65奈米制程來生產(chǎn)中央處理器為主，但經(jīng)營績效不如預(yù)期。此次轉(zhuǎn)型生產(chǎn)最先進的3D-NAND Flash，除了可以提升大連廠的生產(chǎn)績效外，也可望搭上中國記憶體消耗量起飛的快速成長期，以及最重要的配合中國政府積極投入記憶體產(chǎn)業(yè)的大趨勢，可謂是雙贏的布局。

　　根據(jù)英特爾投資金額與大連廠的產(chǎn)能建置來評估，DRAMeXchange初步預(yù)估每個月至少可布建30,000-40,000片的3D-NAND Flash。英特爾在與美光共同開發(fā)3D-NAND Flash以及3D X Point等戰(zhàn)略合作關(guān)系更加緊密的情況下，新增的大連廠3D-NAND Flash產(chǎn)能將提供美光英特爾陣營更有彈性的產(chǎn)能規(guī)劃，來滿足高成長的固態(tài)硬碟需求。

　　楊文得進一步表示，NAND Flash市場在今年第四季到明年第一季供過于求的格局將不會產(chǎn)生變化，但在NAND Flash產(chǎn)業(yè)低檔時刻，中國政府仍積極加速推動中國本土NAND Flash與SSD供應(yīng)鏈的布建(中國模組大廠江波龍與主控芯片廠Marvell戰(zhàn)略合作、武漢新芯持續(xù)加速3D-NAND Flash的開發(fā)等)，并加強透過與國際NAND Flash大廠合作的串聯(lián)契機(三星西安廠3D-NAND Flash產(chǎn)能明年可望提升每個月10萬片的水準(zhǔn))，預(yù)期未來英特爾大連廠明年下半年完工后，中國NAND Flash市場將更為百花齊放。